晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOTF10B65M2	1.8700	询价	219	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特夫10	标准		30W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1767	EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，10A，30欧姆，15V											262纳秒	-	650伏	20A	30A	2V@15V，10A	180μJ（开），130μJ（关）	24nC	12纳秒/91纳秒
AO3424_102	-	询价	7395	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34				SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					3.8A（塔）
AOT254L	0.9135	询价	1313	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT254		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1430-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		150伏	4.2A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	46毫欧@20A，10V	2.7V@250μA	40nC@10V	±20V	2150pF@75V	-	2.1W（Ta）、125W（Tc）
AO4430	0.9700	询价	8	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	5.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	124nC@10V	±20V	7270pF@15V	-	3W（塔）
AON4421_001	-	询价	4232	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	AON44		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	26毫欧@8A，10V	1.8V@250μA	21nC@10V	±20V	1120pF@15V	-	2.5W（塔）
怡安7290	0.7584	询价	1278	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	15A（Ta）、50A（Tc）	6V、10V	12.6毫欧@15A，10V	3.4V@250μA	38nC@10V	±20V	2075pF@50V	-	6.25W（Ta）、83W（Tc）
AONP36332	1.2000年	询价	第1594章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONP363		MOSFET（金属O化物）	3.4W（Ta）、33W（Tc）、3.1W（Ta）、30W（Tc）	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	24A（Ta）、50A（Tc）、20A（Ta）、50A（Tc）		3.7毫欧@20A、10V、4.7毫欧@20A、10V	1.9V@250μA	40nC@10V，30nC@10V		1520pF@15V	标准
AOCA32112E	0.1157	询价	5597	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅	奥卡32112		MOSFET（金属O化物）	1.1W（塔）	4-阿尔法DFN (0.97x0.97)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15,000	2 N 沟道（双）共漏极			20V	4.5A（塔）		48毫欧@3A，4.5V	1.3V@250μA	11.5nC@4.5V		-	-
奥恩斯36346	0.2543	询价	7115	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯363		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS36346TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	26.5A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	5.5毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	20nC@10V	±20V	800pF@15V	-	6.2W（Ta）、31W（Tc）
AOD2NL60	-	询价	8434	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AOD2					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOD2NL60TR	过时的		2,500人
AOD1N60	0.6000	询价	6314	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD1		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	1.3A（温度）	10V	9欧姆@650mA，10V	4.5V@250μA	8nC@10V	±30V	160pF@25V	-	45W（温度）
AOI510	-	询价	8832	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI51		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		30V	45A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	60nC@10V	±20V	2719pF@15V	-	7.5W（Ta）、60W（Tc）
AOT270L	-	询价	5697	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT270		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1439-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	21.5A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	2.6毫欧@20A，10V	3V@250μA	215nC@10V	±20V	10350pF@37.5V	-	2.1W（Ta）、500W（Tc）
AO4821	-	询价	8938	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			12V	9A		19毫欧@9A，4.5V	850mV@250μA	23nC@4.5V		2100pF@6V	逻辑电平门
AOD5N50_001	-	询价	9851	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-			REACH 不出行	785-AOD5N50_001			1		N沟道		500V	5A（温度）	10V	1.6欧姆@2.5A，10V	4.5V@250μA	14nC@10V	±30V	670pF@25V	-	104W（温度）
奥尼36306	0.4557	询价	6565	阿尔法与欧米茄半导体公司	XSPairFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	奥尼363		MOSFET（金属O化物）	2.9W（Ta）、22W（Tc）、3.4W（Ta）、33W（Tc）	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONY36306TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	17.5A（Ta）、32A（Tc）、24A（Ta）、32A（Tc）		6mOhm @ 20A, 10V, 3.8mOhm @ 20A, 10V	2.2V@250μA，1.9V@250μA	30nC@10V，42nC@10V		1000pF@15V，1930pF@15V	标准
AOI468	0.6880	询价	8021	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-50°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区46		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		300伏	11.5A（温度）	10V	420毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	16nC@10V	±30V	790pF@25V	-	150W（温度）
怡安6280	2.5300	询价	19	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		80V	17A（Ta）、85A（Tc）	6V、10V	4.1毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	82nC@10V	±20V	3930pF@40V	-	7.3W（Ta）、83W（Tc）
AOT1608L	0.7826	询价	9567	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT1608		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1412-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		60V	11A（Ta）、140A（Tc）	10V	7.6毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	84nC@10V	±20V	3690pF@25V	-	2.1W（Ta）、333W（Tc）
AO6405_102	-	询价	8019	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	5A（塔）	4.5V、10V	52mOhm@5A，10V	2.4V@250μA	11nC@10V	±20V	520pF@15V	-	2W（塔）
怡安4421	0.2360	询价	5493	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	AON44		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	26毫欧@8A，10V	1.8V@250μA	21nC@10V	±20V	1120pF@15V	-	2.5W（塔）
AOD518_051	-	询价	1617	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AOD51					-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人						4.5V、10V				±20V
AOC3844	-	询价	第1442章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AOC384					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOC3844TR	EAR99	8541.29.0095	5,000
AOT10N60	1.6000	询价	907	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特10		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1191-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	250W（温度）
AOWF160A60	1.6199	询价	9824	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF160		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOWF160A60	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	24A（温度）	10V	160毫欧@12A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	27.7W（温度）
AOD2610	-	询价	7931	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD26		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	10A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	10.7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V	±20V	2410pF@30V	-	2.5W（Ta）、71.5W（Tc）
AO3498	-	询价	4993	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3498TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.8A（塔）	2.5V、10V	55毫欧@3.8A，10V	1.5V@250μA	20nC@10V	±12V	15V时为235pF	-	1.4W（塔）
AOD526_台达	-	询价	4670	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD52		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	50A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	33nC@10V	±20V	1550pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOI4T60P	-	询价	9406	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区4		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.1欧姆@2A，10V	5V@250μA	15nC@10V	±30V	522pF@100V	-	83W（温度）
怡安6754	-	询价	9093	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	52A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	1.8毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	64nC@10V	±20V	15V时为2796pF	肖特基分化（体）	7.3W（Ta）、83W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²