晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AOD2910	0.3793	询价	9645	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD291	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	6.5A（Ta）、31A（Tc）	4.5V、10V	24毫欧@20A，10V	2.7V@250μA	25nC@10V	±20V	1190pF@15V	-	2.5W（Ta）、53.5W（Tc）
怡安6400	-	询价	5465	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安640	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	31A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	1.4毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	170nC@10V	±20V	15V时为8300pF	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOT27S60L_001	-	询价	4231	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特27	MOSFET（金属O化物）		TO-220	-			REACH 不出行	785-AOT27S60L_001			1		N沟道	600伏	27A（温度）	10V	160毫欧@13.5A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±30V	1294pF@100V	-	357W（温度）
AOTF8N65_002	-	询价	9372	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫8	MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		-	-	-	-		-		-	-
AOD3C50	-	询价	9213	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	500V	3A（温度）	10V	1.4欧姆@2.2A，10V	5V@250μA	25nC@10V	±30V	662pF@100V	-	83W（温度）
AO4840	0.7100	询价	165	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		40V	6A		30mOhm@6A，10V	3V@250μA	10.8nC@10V		650pF@20V	逻辑电平门
AOTF14N50FD	-	询价	9710	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫14	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	14A（温度）	10V	470毫欧@7A，10V	4V@250μA	47nC@10V	±30V	2010pF@25V	-	50W（温度）
AOTF8N60	-	询价	7652	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	8A（温度）	10V	900毫欧@4A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1370pF@25V	-	50W（温度）
AOTF450L	-	询价	8022	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫450	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1381-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	200V	5.8A（温度）	10V	700毫欧@2.9A，10V	4.5V@250μA	4.4nC@10V	±30V	235pF@25V	-	27W（温度）
AOD409_002	-	询价	6907	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	60V	26A（温度）	4.5V、10V	40毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	54nC@10V	±20V	3600pF@30V	-	2.5W（Ta）、60W（Tc）
AOTF288L	0.8800	询价	9042	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫288	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	80V	10.5A（Ta）、43A（Tc）	6V、10V	9.2毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	38nC@10V	±20V	1871pF@40V	-	2.1W（Ta）、35.5W（Tc）
怡安4421	0.2360	询价	5493	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	AON44	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	8A（塔）	4.5V、10V	26毫欧@8A，10V	1.8V@250μA	21nC@10V	±20V	1120pF@15V	-	2.5W（塔）
AO4433	-	询价	3943	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	11A（塔）	5V、20V	14毫欧@11A，20V	3.5V@250μA	38nC@10V	±25V	2200pF@15V	-	3W（塔）
AOSX32128	0.0958	询价	2637	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	AOSX321	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOSX32128TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	3.2A（塔）	1.8V、4.5V	75毫欧@3.2A，4.5V	1.3V@250μA	6nC@4.5V	±8V	190pF@10V	-	1.1W（塔）
AO4402G	0.4763	询价	6667	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4402GTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	20A（塔）	2.5V、4.5V	5.9毫欧@20A，4.5V	1.25V@250μA	45nC@4.5V	±12V	3300pF@10V	-	3.1W（塔）
AO4806	0.3704	询价	4676	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	-		14毫欧@9.4A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V		1810pF@10V	逻辑电平门
AOT290L	5.4200	询价	8761	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT290	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1271-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	18A（Ta）、140A（Tc）	10V	3.5毫欧@20A，10V	4.1V@250μA	126nC@10V	±20V	9550pF@50V	-	2.1W（Ta）、500W（Tc）
AOTF18N65	1.6405	询价	8359	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫18	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1431-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	18A（温度）	10V	390毫欧@9A，10V	4.5V@250μA	68nC@10V	±30V	3785pF@25V	-	50W（温度）
AOI4T60P	-	询价	9406	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区4	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		N沟道	600伏	4A（温度）	10V	2.1欧姆@2A，10V	5V@250μA	15nC@10V	±30V	522pF@100V	-	83W（温度）
AO4724	-	询价	2228	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO47	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	7.7A（塔）	4.5V、10V	17.5毫欧@10.5A，10V	2V@250μA	16nC@10V	±20V	900pF@15V	肖特基分化（体）	1.7W（塔）
AOT10T60P	-	询价	9291	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	10A（温度）	10V	700毫欧@5A，10V	5V@250μA	40nC@10V	±30V	1595pF@100V	-	208W（温度）
美国在线1240	0.6674	询价	3543	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线12	MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	19A（Ta）、69A（Tc）	4.5V、10V	3mOhm@20A，10V	2.3V@250μA	50.5nC@10V	±20V	3800pF@20V	-	2.1W（Ta）、125W（Tc）
奥恩斯32311	0.5191	询价	7252	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯323	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS32311TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	56A（Ta）、220A（Tc）	4.5V、10V	1.35毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	150nC@10V	±20V	6060pF@15V	-	6.2W（Ta）、119W（Tc）
AOT416L	-	询价	8231	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT41	MOSFET（金属O化物）		TO-220	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	100伏	4.7A（Ta）、42A（Tc）	7V、10V	37毫欧@20A，10V	4V@250μA	23nC@10V	±25V	1450pF@50V	-	1.92W（Ta）、150W（Tc）
AOD472A	-	询价	2289	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD47	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	2200pF@12.5V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AO3416L_102	-	询价	1244	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	6.5A（塔）	1.8V、4.5V	22毫欧@6.5A，4.5V	1V@250μA	16nC@4.5V	±8V	1160pF@10V	-	1.4W（塔）
怡安6578	0.4175	询价	7650	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安657	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	28A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	4.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	30nC@10V	±20V	1340pF@15V	-	5.6W（Ta）、35W（Tc）
AOM033V120X2	17.9071	询价	1960年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	AOM033	SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOM033V120X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道	1200伏	68A（温度）	15V	43毫欧@20A，15V	2.8V@17.5mA	104nC@15V	+15V，-5V	800V时为2908pF	-	300W（塔）
AO4832	0.2467	询价	3059	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO483	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	10A		13毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	17nC@10V		910pF@15V	逻辑电平门
AOD4132	1.1200	询价	56	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	85A（温度）	4.5V、10V	4mOhm@20A，10V	3V@250μA	76nC@10V	±20V	4400pF@15V	-	2.5W（Ta）、100W（Tc）

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²