晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
怡安7458	0.2226	询价	6777	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安745	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	250伏	1.5A（Ta）、5A（Tc）	10V	560毫欧@1.5A，10V	4.3V@250μA	10V时为7.2nC	±30V	370pF@25V	-	3.1W（Ta）、33W（Tc）
怡安6754	-	询价	9093	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安67	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	52A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	1.8毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	64nC@10V	±20V	15V时为2796pF	肖特基分化（体）	7.3W（Ta）、83W（Tc）
AOTS21313C	0.1921	询价	4302	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AOTS21313	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTS21313CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	7.3A（塔）	4.5V、10V	32毫欧@7.3A，10V	2.2V@250μA	33nC@10V	±20V	1100pF@15V	-	2.7W（塔）
AOC2800	-	询价	6085	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-UFBGA、WLCSP	AOC280	MOSFET（金属O化物）	1.3W	4-WLCSP (1.57x1.57)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极		-	-		-	-	9.1nC@4.5V		-	逻辑电平门
AOB210L	-	询价	5130	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB21	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	30V	20A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	58nC@10V	±20V	4300pF@15V	-	1.9W（Ta）、176W（Tc）
AO4818BL_101	-	询价	7586	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO481	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AO4476A_104	-	询价	7425	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	7.7毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	3.1W（塔）
怡安6756	-	询价	4300	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安67	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	47A（Ta）、36A（Tc）	4.5V、10V	2.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	64nC@10V	±20V	15V时为2796pF	肖特基分化（体）	7.3W（Ta）、83W（Tc）
AOWF20S60	1.7111	询价	5088	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF20	MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	20A（温度）	10V	199毫欧@10A，10V	4.1V@250μA	19.8nC@10V	±30V	1038pF@100V	-	28W（温度）
AOD2NL60	-	询价	8434	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AOD2				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOD2NL60TR	过时的		2,500人
AOD518_051	-	询价	1617	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AOD51				-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人					4.5V、10V				±20V
奥恩斯36346	0.2543	询价	7115	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯363	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS36346TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	26.5A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	5.5毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	20nC@10V	±20V	800pF@15V	-	6.2W（Ta）、31W（Tc）
怡安6410	-	询价	6694	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安641	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	10A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	12毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	28nC@10V	±12V	1452pF@15V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
AO3418	0.4600	询价	77	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.8A（塔）	2.5V、10V	60毫欧@3.8A，10V	1.8V@250μA	3.2nC@4.5V	±12V	270pF@15V	-	1.4W（塔）
怡安7518	-	询价	1768	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	24A（温度）	4.5V、10V	8.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1086pF@15V	-	3.1W（Ta）、23W（Tc）
AOB15S65L	1.7604	询价	1796	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB15	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	650伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	17.2nC@10V	±30V	100V时为841pF	-	208W（温度）
怡安3611	0.6000	询价	50	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安361	MOSFET（金属O化物）	2.1W、2.5W	8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道，共漏极		30V	5A、6A		50mOhm@5A，10V	2.5V@250μA	10nC@10V		170pF@15V	逻辑电平门
AOT125A60L	2.3211	询价	7048	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT125	MOSFET（金属O化物）		TO-220	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT125A60L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	28A（温度）	10V	125毫欧@14A，10V	4.5V@250μA	39nC@10V	±20V	2993pF@100V	-	357W（温度）
AONH36328	0.2364	询价	2418	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	奥恩H363	MOSFET（金属O化物）	2.5W（Ta）、23W（Tc）	8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONH36328TR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道（双）不定价		30V	13.8A（Ta）、18A（Tc）		8.5毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	20nC@10V		700pF@15V	标准
AONR21307	0.7100	询价	255	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR213	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道	30V	24A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@17A，10V	2.3V@250μA	50nC@10V	±25V	1995pF@15V	-	5W（Ta）、28W（Tc）
AO3415_108	-	询价	7428	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000				4A（塔）
AOT2146L	0.9409	询价	9974	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT2146	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOT2146LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	40V	42A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	70nC@10V	±20V	3830pF@20V	-	8.3W（Ta）、119W（Tc）
AONV140A60	2.0713	询价	8971	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-PowerTSFN	奥诺夫140	MOSFET（金属O化物）		4-DFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONV140A60	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	600伏	4.9A（Ta）、28A（Tc）	10V	140毫欧@14A，10V	4.5V@250μA	44nC@10V	±20V	2995pF@100V	-	8.3W（Ta）、312W（Tc）
AO6401	-	询价	3676	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO6401TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	5A（塔）	2.5V、10V	47毫欧@5A，10V	1.3V@250μA	17nC@10V	±12V	780pF@15V	-	2W（塔）
AOWF9N70	0.8556	询价	6881	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF9	MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	700伏	9A（温度）	10V	1.2欧姆@4.5A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1630pF@25V	-	28W（温度）
AOW7S65	1.1541	询价	6745	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW7	MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	650伏	7A（温度）	10V	650毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	9.2nC@10V	±30V	100V时为434pF	-	104W（温度）
怡安7804	0.5000	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安780	MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）		30V	9A		21毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOP605	-	询价	3495	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	AOP60	MOSFET（金属O化物）	2.5W	8-PDIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N 和 P 沟道		30V	-		28毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	16.6nC@4.5V		820pF@15V	逻辑电平门
AO4862E	0.1579	询价	9532	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO486	MOSFET（金属O化物）	1.7W	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	4.5A（塔）		46毫欧@4.5A，10V	2.5V@250μA	6nC@4.5V		215pF@15V	-
AO4421L	-	询价	2346	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	60V	6.2A（塔）	4.5V、10V	40毫欧@6.2A，10V	3V@250μA	55nC@10V	±20V	2900pF@30V	-	3.1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²