晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
奥恩斯36316	0.6800	询价	9501	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯363	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	28A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	4.1毫欧@20A，10V	1.9V@250μA	42nC@10V	±12V	2005pF@15V	-	5W（Ta）、26W（Tc）
怡安3818	0.1888	询价	5628	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安381	MOSFET（金属O化物）	2.7W	8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极		24V	8A		13.5毫欧@8A，4.5V	1.2V@250μA	15nC@4.5V		840pF @ 12V	逻辑电平门
冠安6268	1.4600	询价	7	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃（TA）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	44A（温度）	10V	4.7毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	65nC@10V	±20V	2520pF@30V	-	56W（温度）
AOWF12N60	0.8770	询价	8847	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF12	MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	12A（温度）	10V	550mOhm@6A，10V	4.5V@250μA	50nC@10V	±30V	2100pF@25V	-	28W（温度）
AOK42S60L	6.5200	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK42S60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	39A（温度）	10V	99毫欧@21A，10V	3.8V@250μA	40nC@10V	±30V	100V时为2154pF	-	417W（温度）
AOB240L	1.9500	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB240	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	20A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	72nC@10V	±20V	3510pF@20V	-	1.9W（Ta）、176W（Tc）
美国在线1454	0.4322	询价	7829	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14	MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	12A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@20A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±20V	1920pF@20V	-	2.1W（Ta）、60W（Tc）
AOK500V120X2	4.2302	询价	4930	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK500	SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK500V120X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道	1200伏	6.3A（温度）	15V	675毫欧@1.2A，15V	3.5V@1.2mA	12nC@15V	+15V，-5V	800V时为206pF	-	44W（温度）
AO8818	-	询价	1238	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO881	MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极		30V	-		18毫欧@7A，10V	1.5V@250μA	14nC@4.5V		1060pF@15V	逻辑电平门
AOTF600A70L	1.7300	询价	750	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫600	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF600A70L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	700伏	8.5A（Tj）	10V	600毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	15.5nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	27W（温度）
AOD600A70	1.3500	询价	3	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD600	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	700伏	8.5A（温度）	10V	600毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	15.5nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	104W（温度）
AOD2922	0.6100	询价	29	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD292	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	3.5A（Ta）、7A（Tc）	4.5V、10V	140mOhm@5A，10V	2.7V@250μA	10nC@10V	±20V	50V时为310pF	-	5W（Ta）、17W（Tc）
AOC2415	-	询价	6836	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅	AOC24	MOSFET（金属O化物）		4-AlphaDFN (1.57x1.57)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	3.5A（塔）	1.5V、4.5V	33毫欧@1.5A，4.5V	1V@250μA	28nC@4.5V	±8V	1685pF@10V	-	550毫W（塔）
怡安2400	-	询价	2796	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON24	MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	8V	8A（塔）	1.2V、2.5V	11毫欧@8A，2.5V	750mV@250μA	16nC@4.5V	±5V	1645pF@4V	-	2.8W（塔）
AOB210L	-	询价	5130	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB21	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	30V	20A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	58nC@10V	±20V	4300pF@15V	-	1.9W（Ta）、176W（Tc）
AO8822#A	-	询价	4138	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO882	MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 N 沟道（双）共漏极		20V	7A		18毫欧@7A，10V	1V@250μA	18nC@10V		780pF@10V	逻辑电平门
AON7400AL_101	-	询价	7269	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安740	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	15A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	3.1W（Ta）、25W（Tc）
奥恩斯32100	2.1100	询价	14	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯321	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	73A（Ta）、400A（Tc）	4.5V、10V	0.73毫欧@20A，10V	1.6V@250μA	240nC@10V	±20V	15200pF@12.5V	-	6.2W（Ta）、250W（Tc）
AOTF15S60L	2.7900	询价	第403章	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫15	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	3.8V@250μA	15.6nC@10V	±30V	100V时为717pF	-	27.8W（温度）
AOD458	0.3471	询价	6913	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	250伏	14A（温度）	10V	280毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	15nC@10V	±30V	770pF@25V	-	150W（温度）
AOTF600A60L	0.8024	询价	4025	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫600	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF600A60L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	8A（天）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@250μA	11.5nC@10V	±20V	608pF@100V	-	27.5W（温度）
AOB1606L	-	询价	3407	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB16	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	60V	12A（Ta）、178A（Tc）	10V	6毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	102nC@10V	±20V	4500pF@25V	-	2.1W（Ta）、417W（Tc）
AON6756_101	-	询价	1298	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	爱安67	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	36A（温度）	4.5V、10V	2.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	64nC@10V	±20V	15V时为2796pF	肖特基分化（体）	7.3W（Ta）、83W（Tc）
AOY66620	0.4153	询价	1866年	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY666	MOSFET（金属O化物）		TO-251B	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOY66620	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	60V	20A（Ta）、58A（Tc）	8V、10V	8.5毫欧@20A，10V	3.6V@250μA	25nC@10V	±20V	1070pF@30V	-	6.2W（Ta）、52W（Tc）
怡安2705	-	询价	5447	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	AON27	MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	3A（塔）	4.5V、10V	108毫欧@3A，10V	2.3V@250μA	6nC@10V	±20V	180pF@15V	肖特基分化（体）	1.5W（塔）
AON6758_102	-	询价	6628	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	爱安67	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	27A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	3.6毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	40nC@10V	±20V	1975pF@15V	肖特基分化（体）	4.1W（Ta）、41W（Tc）
怡安6796	0.2497	询价	5618	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	32A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	3.9毫欧@20A，10V	1.9V@250μA	23nC@10V	±12V	1350pF@15V	-	6.2W（Ta）、31W（Tc）
AOB2144L	1.6583	询价	9428	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB21	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOB2144LTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	205A（高温）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	95nC@10V	±20V	5225pF@20V	-	8.3W（Ta）、187W（Tc）
怡安6756	-	询价	4300	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	47A（Ta）、36A（Tc）	4.5V、10V	2.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	64nC@10V	±20V	15V时为2796pF	肖特基分化（体）	7.3W（Ta）、83W（Tc）
AO4710	-	询价	9924	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO47	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	12.7A（塔）	4.5V、10V	11.8毫欧@12.7A，10V	2.3V@250μA	43nC@10V	±12V	15V时为2376pF	肖特基分化（体）	3.1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²