晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOB2144L	1.6583	询价	9428	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB21		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOB2144LTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		40V	205A（高温）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	95nC@10V	±20V	5225pF@20V	-	8.3W（Ta）、187W（Tc）
怡安6796	0.2497	询价	5618	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	32A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	3.9毫欧@20A，10V	1.9V@250μA	23nC@10V	±12V	1350pF@15V	-	6.2W（Ta）、31W（Tc）
AOY66620	0.4153	询价	1866年	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY666		MOSFET（金属O化物）		TO-251B	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOY66620	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		60V	20A（Ta）、58A（Tc）	8V、10V	8.5毫欧@20A，10V	3.6V@250μA	25nC@10V	±20V	1070pF@30V	-	6.2W（Ta）、52W（Tc）
AOT502	-	询价	2713	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT5		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		33V	9A（Ta）、60A（Tc）	10V	11.5毫欧@30A，10V	2.7V@250μA	28nC@10V	-	1450pF@15V	-	1.9W（Ta）、79W（Tc）
怡安2400	-	询价	2796	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON24		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		8V	8A（塔）	1.2V、2.5V	11毫欧@8A，2.5V	750mV@250μA	16nC@4.5V	±5V	1645pF@4V	-	2.8W（塔）
AO4430L_102	-	询价	3356	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	5.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	124nC@10V	±20V	7270pF@15V	-	3W（塔）
建安7400B	0.4400	询价	9380	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	18A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	26nC@10V	±20V	1440pF@15V	-	4.1W（Ta）、24W（Tc）
AOD526_台达	-	询价	4670	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD52		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	50A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	33nC@10V	±20V	1550pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOI468	0.6880	询价	8021	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-50°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区46		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		300伏	11.5A（温度）	10V	420毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	16nC@10V	±30V	790pF@25V	-	150W（温度）
AOT472	-	询价	9029	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT47		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		75V	10A（Ta）、140A（Tc）	10V	8.9毫欧@30A，10V	3.9V@250μA	115nC@10V	±20V	4500pF@30V	-	1.9W（Ta）、417W（Tc）
AO4627	0.2116	询价	2170	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO462		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			30V	4.5A、3.5A		50毫欧@4.5A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V		210pF@15V	逻辑电平门
奥恩斯66923	1.5000	询价	20	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯669		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	15A（Ta）、47A（Tc）	4.5V、10V	10.8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	35nC@10V	±20V	1725pF@50V	-	5W（Ta）、48W（Tc）
怡安6406	-	询价	8796	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安640		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	25A（Ta）、170A（Tc）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	100nC@10V	±20V	5200pF@15V	-	2.3W（Ta）、110W（Tc）
AOK10N90	-	询价	2897	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK10		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		900伏	10A（温度）	10V	980毫欧@5A，10V	4.5V@250μA	75nC@10V	±30V	3160pF@25V	-	403W（温度）
AOD425	-	询价	5482	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD42		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		30V	9A（Ta）、50A（Tc）	5V、10V	17毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	38nC@10V	±25V	2200pF@15V	-	2.5W（Ta）、71W（Tc）
AO6N7S65	-	询价	1406	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买									-			REACH 不出行	785-AO6N7S65			1
AOTF10N90	-	询价	8784	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		900伏	10A（温度）	10V	980毫欧@5A，10V	4.5V@250μA	75nC@10V	±30V	3160pF@25V	-	50W（温度）
怡安6752	-	询价	7933	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	54A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	1.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	72nC@10V	±20V	3509pF@15V	肖特基分化（体）	7.4W（Ta）、83W（Tc）
AO4419	0.7000	询价	29	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	9.7A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@9.7A，10V	2.7V@250μA	32nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	3.1W（塔）
AO4812L	-	询价	5559	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO481		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	6A		30mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	6.3nC@10V		310pF@15V	-
AOI4286	0.6300	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI42		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1647-5	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		100伏	4A（Ta）、14A（Tc）	4.5V、10V	68毫欧@5A，10V	2.9V@250μA	10nC@10V	±20V	50V时为390pF	-	2.5W（Ta）、30W（Tc）
AO4914	-	询价	4468	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO491		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4914	EAR99	8541.29.0095	100	2 N 沟道（双），肖特基			30V	8A（塔）		20.5毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		865pF@15V	-
AOY2N60	0.2634	询价	2207	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY2		MOSFET（金属O化物）		TO-251B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		600伏	2A（温度）	10V	4.7欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11nC@10V	±30V	295pF@25V	-	57W（温度）
AOK40B65M3	4.2100	询价	72	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		300W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1755	EAR99	8541.29.0095	30			400V，40A，7.5欧姆，15V											365纳秒	-	650伏	80A	120A	2.45V@15V，40A	1.3mJ（开），500μJ（关）	59nC	40纳秒/125纳秒
AOI296A	0.6703	询价	9654	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI296		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		100伏	70A（温度）	4.5V、10V	8.3毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	60nC@10V	±20V	50V时为3130pF	-	89W（温度）
AOTF5B60D	0.7934	询价	5386	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF5	标准		31.2W	TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，5A，60欧姆，15V											98纳秒	-	600伏	14A	20A	1.8V@15V，5A	140μJ（开），40μJ（关）	9.4nC	12纳秒/83纳秒
AOSP66925	0.3226	询价	7966	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT2™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSP669		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOSP66925TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	11A（塔）	4.5V、10V	12.5毫欧@11A，10V	2.6V@250μA	33nC@10V	±20V	1590pF@50V	-	3.1W（塔）
AOD409	0.9200	询价	154	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		60V	26A（温度）	4.5V、10V	40毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	54nC@10V	±20V	3600pF@30V	-	2.5W（Ta）、60W（Tc）
AOD4184A	0.6800	询价	276	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD4184		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		40V	13A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	33nC@10V	±20V	1800pF@20V	-	2.3W（Ta）、50W（Tc）
AOT2916L	-	询价	3193	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2916		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	5A（Ta）、23A（Tc）	4.5V、10V	34mOhm@10A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	870pF@50V	-	2.1W（Ta）、41.5W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²