晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOT502	-	询价	2713	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT5		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		33V	9A（Ta）、60A（Tc）	10V	11.5毫欧@30A，10V	2.7V@250μA	28nC@10V	-	1450pF@15V	-	1.9W（Ta）、79W（Tc）
AO4430L_102	-	询价	3356	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	5.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	124nC@10V	±20V	7270pF@15V	-	3W（塔）
怡安3613	-	询价	3782	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安361		MOSFET（金属O化物）	2.1W	8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道，共漏极			30V	4.5A		52毫欧@4.5A，10V	1.5V@250μA	10nC@10V		245pF@15V	逻辑电平门
AO4421L	-	询价	2346	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	6.2A（塔）	4.5V、10V	40毫欧@6.2A，10V	3V@250μA	55nC@10V	±20V	2900pF@30V	-	3.1W（塔）
怡安6410	-	询价	6694	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安641		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	10A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	12毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	28nC@10V	±12V	1452pF@15V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
AOT5B65M1	1.5800	询价	第738章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT5	标准		83 W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1765	EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，5A，60欧姆，15V											195纳秒	-	650伏	10A	15A	1.98V@15V，5A	80μJ（开），70μJ（关）	14nC	8.5纳秒/106纳秒
怡安3814L	-	询价	2369	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安381		MOSFET（金属O化物）	2.5W	8-DFN (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（双）共漏极			20V	6A（温度）		17毫欧@6A，4.5V	1.1V@250μA	13nC@4.5V		1100pF@10V	-
AOWF11N70	1.0292	询价	5145	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF11		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		700伏	11A（温度）	10V	870毫欧@5.5A，10V	4.5V@250μA	45nC@10V	±30V	2150pF@25V	-	28W（温度）
AONH36334	0.4175	询价	6653	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	的积极	-	-	-	奥恩H363		-		-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		-			-	-	-	-		-		-	-
AOTF18N65_001	-	询价	8936	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫18		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AON6718L_101	-	询价	3551	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-DFN	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	3.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	72nC@10V	±20V	15V时为4463pF	肖特基分化（体）	2.1W（Ta）、83W（Tc）
AOTF4N60_002	-	询价	2988	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AOH3254	0.6586	询价	4937	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	AOH32		MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		150伏	5A（塔）	4.5V、10V	63毫欧@5A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	675pF@75V	-	4.1W（塔）
AONV140A60	2.0713	询价	8971	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-PowerTSFN	奥诺夫140		MOSFET（金属O化物）		4-DFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONV140A60	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		600伏	4.9A（Ta）、28A（Tc）	10V	140毫欧@14A，10V	4.5V@250μA	44nC@10V	±20V	2995pF@100V	-	8.3W（Ta）、312W（Tc）
AOT2146L	0.9409	询价	9974	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT2146		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOT2146LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	42A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	70nC@10V	±20V	3830pF@20V	-	8.3W（Ta）、119W（Tc）
AOWF9N70	0.8556	询价	6881	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF9		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		700伏	9A（温度）	10V	1.2欧姆@4.5A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1630pF@25V	-	28W（温度）
AO6401	-	询价	3676	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO6401TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	5A（塔）	2.5V、10V	47毫欧@5A，10V	1.3V@250μA	17nC@10V	±12V	780pF@15V	-	2W（塔）
AONR21307	0.7100	询价	255	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR213		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		30V	24A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@17A，10V	2.3V@250μA	50nC@10V	±25V	1995pF@15V	-	5W（Ta）、28W（Tc）
AOTF15B60D	1.3833	询价	8635	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫15	标准		50W	TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，15A，20欧姆，15V											196纳秒	-	600伏	30A	60A	1.8V@15V，15A	420μJ（开），110μJ（关）	25.4nC	21纳秒/73纳秒
AOTF11N62L	-	询价	1107	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1436-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		620伏	11A（温度）	10V	650mOhm@5.5A，10V	4.5V@250μA	37nC@10V	±30V	1990pF@25V	-	39W（温度）
AOI7N60_001	-	询价	2548	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区7		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	-			REACH 不出行	785-AOI7N60_001			1		N沟道		600伏	7A（温度）	10V	1.3欧姆@3.5A，10V	4.5V@250μA	24nC@10V	±30V	1170pF@25V	-	178W（温度）
AO6802	0.1660	询价	5271	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO680		MOSFET（金属O化物）	1.15W	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	3.5A		50毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V		210pF@15V	逻辑电平门
AON5802ALS	-	询价	6139	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-WFDFN 裸露焊盘	怡安5802		-		6-DFN-EP (2x5)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000												-
AONS34304C	0.9914	询价	4666	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯343		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS34304CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	84A（Ta）、200A（Tc）	6.5V、10V	0.68毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	340nC@10V	±20V	11200pF@15V	-	7.3W（Ta）、208W（Tc）
AOCA36116C	1.0300	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法DFN™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-XFDFN			MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (3.2x2.1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	-			24V	30A（塔）		3.1毫欧@5A，4.5V	1.2V@250μA	35nC@4.5V		-	标准
AO4614BL_103	-	询价	8639	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO4614		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道			40V	6A、5A		30mOhm@6A，10V	3V@250μA	10.8nC@10V		650pF@20V	逻辑电平门
怡安6200L	-	询价	7833	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	13A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	7.8毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	20nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	1.95W（Ta）、35W（Tc）
AO4492	0.7400	询价	23	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	14A（塔）	4.5V、10V	9.5毫欧@14A，10V	2.2V@250μA	18nC@10V	±20V	770pF@15V	-	3.1W（塔）
AOB296L	-	询价	6162	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB296		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	9.5A（Ta）、70A（Tc）	6V、10V	9.7毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	52nC@10V	±20V	2785pF@50V	-	2.1W（Ta）、107W（Tc）
AOTF15B60D2	-	询价	4303	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫15	标准		42W	TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，10A，30欧姆，15V											105纳秒	-	600伏	23A	40A	1.8V@15V，10A	260μJ（开），70μJ（关）	17.4nC	10纳秒/72纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²