晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOD458	0.3471	询价	6913	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		250伏	14A（温度）	10V	280毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	15nC@10V	±30V	770pF@25V	-	150W（温度）
AOB296L	-	询价	6162	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB296		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	9.5A（Ta）、70A（Tc）	6V、10V	9.7毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	52nC@10V	±20V	2785pF@50V	-	2.1W（Ta）、107W（Tc）
AOTF18N65_001	-	询价	8936	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫18		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AOD9N50	1.1200	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD9		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		500V	9A（温度）	10V	860毫欧@4.5A，10V	4.5V@250μA	24nC@10V	±30V	1160pF@25V	-	178W（温度）
AONH36334	0.4175	询价	6653	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	的积极	-	-	-	奥恩H363		-		-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		-			-	-	-	-		-		-	-
AOTF4N60_002	-	询价	2988	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AON6718L_101	-	询价	3551	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-DFN	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	3.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	72nC@10V	±20V	15V时为4463pF	肖特基分化（体）	2.1W（Ta）、83W（Tc）
AOTF12N60FD	-	询价	2998	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫12		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	12A（温度）	10V	650mOhm@6A，10V	4V@250μA	50nC@10V	±30V	2010pF@25V	-	50W（温度）
AOD4184A	0.6800	询价	276	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD4184		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		40V	13A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	33nC@10V	±20V	1800pF@20V	-	2.3W（Ta）、50W（Tc）
怡安6994	1.0700	询价	1628	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安699		MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	19A、26A		5.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	13nC@10V		820pF@15V	逻辑电平门
AOTF5B65M1	1.4400	询价	907	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOTF5	标准		25W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1773	EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，5A，60欧姆，15V											195纳秒	-	650伏	10A	15A	1.98V@15V，5A	80μJ（开），70μJ（关）	14nC	8.5纳秒/106纳秒
AOT430	0.6993	询价	5361	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT43		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		75V	80A（温度）	10V	11.5毫欧@30A，10V	4V@250μA	114nC@10V	±25V	4700pF@30V	-	268W（温度）
AONS34304C	0.9914	询价	4666	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯343		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS34304CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	84A（Ta）、200A（Tc）	6.5V、10V	0.68毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	340nC@10V	±20V	11200pF@15V	-	7.3W（Ta）、208W（Tc）
AOI7N60_001	-	询价	2548	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区7		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	-			REACH 不出行	785-AOI7N60_001			1		N沟道		600伏	7A（温度）	10V	1.3欧姆@3.5A，10V	4.5V@250μA	24nC@10V	±30V	1170pF@25V	-	178W（温度）
AOTF11N62L	-	询价	1107	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1436-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		620伏	11A（温度）	10V	650mOhm@5.5A，10V	4.5V@250μA	37nC@10V	±30V	1990pF@25V	-	39W（温度）
AON5802ALS	-	询价	6139	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-WFDFN 裸露焊盘	怡安5802		-		6-DFN-EP (2x5)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000												-
AOCA36116C	1.0300	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法DFN™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-XFDFN			MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (3.2x2.1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	-			24V	30A（塔）		3.1毫欧@5A，4.5V	1.2V@250μA	35nC@4.5V		-	标准
AO4614BL_103	-	询价	8639	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO4614		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道			40V	6A、5A		30mOhm@6A，10V	3V@250μA	10.8nC@10V		650pF@20V	逻辑电平门
AO4492	0.7400	询价	23	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	14A（塔）	4.5V、10V	9.5毫欧@14A，10V	2.2V@250μA	18nC@10V	±20V	770pF@15V	-	3.1W（塔）
怡安7752	-	询价	3417	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安77		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	15A（Ta）、16A（Tc）	4.5V、10V	8.2毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	15nC@10V	±20V	605pF@15V	-	3.1W（Ta）、20W（Tc）
AO6802	0.1660	询价	5271	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO680		MOSFET（金属O化物）	1.15W	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	3.5A		50毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V		210pF@15V	逻辑电平门
AONR34332C	0.4969	询价	7087	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	AONR34332		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONR34332CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	48A（Ta）、50A（Tc）	2.5V、10V	1.8毫欧@20A，10V	1.2V@250μA	105nC@10V	±12V	4175pF@15V	-	6.2W（Ta）、83.3W（Tc）
怡安6200L	-	询价	7833	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	13A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	7.8毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	20nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	1.95W（Ta）、35W（Tc）
AOWF600A70	1.0490	询价	第1771章	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF600		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOWF600A70	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		700伏	8.5A（Tj）	10V	600毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	15.5nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	25W（温度）
怡安6210	-	询价	3627	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	28A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	1.8毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	100nC@10V	±20V	6300pF@15V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
怡安4803	-	询价	9666	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安480		MOSFET（金属O化物）	1.7W	8-DFN (3x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	3.4A		90毫欧@3.4A，4.5V	1V@250μA	8nC@4.5V		745pF@10V	逻辑电平门
AONR62818	0.4816	询价	3830	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	AONR628		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONR62818TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		80V	18A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	6.6毫欧@18A，10V	2.3V@250μA	48nC@10V	±20V	2420pF@40V	-	4.1W（Ta）、54W（Tc）
AO4812	0.1693	询价	7644	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO481		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	6A		30mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	6.3nC@10V		310pF@15V	-
AON7422E_101	-	询价	3217	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安742		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	20A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	4.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	50nC@10V	±20V	15V时为2940pF	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
AON6504_002	-	询价	9889	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安650		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载			REACH 不出行	785-AON6504_002TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	51A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.1毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	60nC@10V	±20V	2719pF@15V	-	7.3W（Ta）、83W（Tc）

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²