晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AOTF16N50_001	-	询价	9754	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫16	MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		-	-	-	-		-		-	-
奥恩斯21321	0.5300	询价	47	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯213	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	14A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	16.5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	34nC@10V	±25V	1180pF@15V	-	5W（Ta）、24.5W（Tc）
怡安6404	-	询价	8288	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安640	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	25A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.2毫欧@20A，10V	2V@250μA	155nC@10V	±20V	9000pF@15V	-	2.1W（Ta）、83W（Tc）
AOT16N50	1.0079	询价	9369	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT16	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	16A（温度）	10V	370毫欧@8A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	278W（温度）
AO4466L	-	询价	7788	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	9.4A（塔）	4.5V、10V	23毫欧@9.4A，10V	3V@250μA	17nC@10V	±20V	15V时为820pF	-	3.1W（塔）
AO4807	0.8800	询价	13	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	6A		35mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	16nC@10V		760pF@15V	逻辑电平门
AOTF7N70	0.6017	询价	2143	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF7	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	700伏	7A（温度）	10V	1.8欧姆@3.5A，10V	4.5V@250μA	25nC@10V	±30V	1175pF@25V	-	38.5W（温度）
AOC3870C	0.8600	询价	1366	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	AOC387	MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (3.01x1.52)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8,000	2个N沟道（双）共漏极		12V	25A（塔）		3.8毫欧@5A，4.5V	1.1V@250μA	32nC@4.5V		-	标准
AOU2N60A	-	询价	5814	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	奥乌2	MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		N沟道	600伏	2A（温度）	10V	4.7欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11nC@10V	±30V	295pF@25V	-	57W（温度）
AO7411	0.1530	询价	9425	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	AO741	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	1.8A（塔）	1.8V、4.5V	120毫欧@1.8A，4.5V	1V@250μA	6.24nC@4.5V	±8V	524pF@10V	-	630毫W（塔）
AONU32320_201	-	询价	1070	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥努323	MOSFET（金属O化物）	5W（Ta）、16.5W（Tc）	8-DFN (3x3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONU32320_201TR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）		30V	15A（Ta）、15A（Tc）		13毫欧@11A，10V	2.3V@250μA	40nC@10V		1500pF@15V	-
AOW296	-	询价	5001	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW29	MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	100伏	70A（温度）	6V、10V	9.7毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	52nC@10V	±20V	2785pF@50V	-	104W（温度）
AOB266L	1.4469	询价	800	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB266	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	60V	18A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	3.2毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	80nC@10V	±20V	6800pF@30V	-	2.1W（Ta）、268W（Tc）
AOTF9N70L	-	询价	9175	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF9	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF9N70L			1		N沟道	700伏	9A（温度）	10V	1.2欧姆@4.5A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1630pF@25V	-	27.8W（温度）
AO3407	-	询价	1666	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	4.1A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@4.1A，10V	2.4V@250μA	11nC@10V	±20V	520pF@15V	-	1.4W（塔）
怡安6448	0.6556	询价	4913	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安644	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	11A（Ta）、65A（Tc）	7V、10V	9.6毫欧@10A、10V	3.7V@250μA	53nC@10V	±25V	3100pF@40V	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
怡安2401	-	询价	6594	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON24	MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	8V	8A（塔）	1.2V、2.5V	22毫欧@8A，2.5V	650mV@250μA	18nC@4.5V	±5V	1465pF@4V	-	2.8W（塔）
AOTF22N50_001	-	询价	9766	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫22	MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		-	-	-	-		-		-	-
AO3419_101	-	询价	6008	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000				3.5A（塔）
AO4240	1.5100	询价	9440	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	24A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	87nC@10V	±20V	4245pF@20V	-	3.1W（塔）
AO6404	0.4200	询价	25	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	8.6A（塔）	1.8V、10V	17毫欧@8.5A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V	±12V	1810pF@10V	-	2W（塔）
AOV11S60	1.2417	询价	第1674章	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-PowerTSFN	AOV11	MOSFET（金属O化物）		4-DFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	600伏	650mA（Ta）、8A（Tc）	10V	500毫欧@3.8A，10V	4.1V@250μA	11nC@10V	±30V	545pF@100V	-	8.3W（Ta）、156W（Tc）
AO4440	-	询价	2490	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	5A（塔）	4.5V、10V	55mOhm@5A，10V	3V@250μA	10V时为10.5nC	±20V	540pF@30V	-	2.5W（塔）
AOB256L	0.8738	询价	2346	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB256	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	150伏	3A（Ta）、19A（Tc）	4.5V、10V	85毫欧@10A，10V	2.8V@250μA	22nC@10V	±20V	75V时为1165pF	-	2.1W（Ta）、83W（Tc）
AO7600	-	询价	4091	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	AO760	MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-70-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	900毫安、600毫安		300mOhm@900mA，4.5V	900mV@250μA	1.9nC@4.5V		120pF@10V	逻辑电平门
AOB27S60L	4.0400	询价	5	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB27S60	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	600伏	27A（温度）	10V	160毫欧@13.5A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±30V	1294pF@100V	-	357W（温度）
冠安7422E	-	询价	2097	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安742	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	20A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	4.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	50nC@10V	±20V	15V时为2940pF	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
奥恩斯36316	0.6800	询价	9501	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯363	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	28A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	4.1毫欧@20A，10V	1.9V@250μA	42nC@10V	±12V	2005pF@15V	-	5W（Ta）、26W（Tc）
怡安3818	0.1888	询价	5628	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安381	MOSFET（金属O化物）	2.7W	8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极		24V	8A		13.5毫欧@8A，4.5V	1.2V@250μA	15nC@4.5V		840pF @ 12V	逻辑电平门
冠安6268	1.4600	询价	7	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃（TA）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	AON62	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	44A（温度）	10V	4.7毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	65nC@10V	±20V	2520pF@30V	-	56W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²