晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
怡安7548	-	询价	6846	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	24A（温度）	4.5V、10V	8.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1086pF@15V	-	3.1W（Ta）、23W（Tc）
AOD3T40P	0.6300	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	2A（温度）	10V	3.3欧姆@1A，10V	5V@250μA	6nC@10V	±30V	139pF@100V	-	35W（温度）
AOTF6N90	0.7844	询价	9382	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF6		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		900伏	6A（温度）	10V	2.2欧姆@3A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	50W（温度）
AOT15S65L	2.8200	询价	230	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT15		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	17.2nC@10V	±30V	100V时为841pF	-	208W（温度）
AO4806L	-	询价	3926	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			20V	-		14毫欧@9.4A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V		1810pF@10V	逻辑电平门
AO4433	-	询价	3943	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	11A（塔）	5V、20V	14毫欧@11A，20V	3.5V@250μA	38nC@10V	±25V	2200pF@15V	-	3W（塔）
AOSP32320C	0.5400	询价	19	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSP323		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	8.5A（塔）	4.5V、10V	22毫欧@8.5A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V	±20V	650pF@15V	-	2.5W（塔）
AO4435L	-	询价	8661	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	10.5A（塔）	5V、20V	14毫欧@11A，20V	3V@250μA	24nC@10V	±25V	1400pF@15V	-	3.1W（塔）
AOD280A60	2.0100	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD280		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	14A（温度）	10V	280毫欧@7A，10V	3V@250μA	10V时为23.5nC	±20V	1350 pF @ 100 V	-	138W（温度）
AOTF4N60	0.4379	询价	6216	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.2欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	18nC@10V	±30V	615pF@25V	-	35W（温度）
怡安6734	-	询价	2667	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	37A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2V@250μA	45nC@10V	±12V	1900pF@15V	-	6.2W（Ta）、32.2W（Tc）
怡安2407	-	询价	8287	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON24		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	6.3A（塔）	2.5V、10V	37.5毫欧@6.3A，10V	1.5V@250μA	21nC@10V	±12V	746pF@15V	-	2.8W（塔）
AOTF10N90	-	询价	8784	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		900伏	10A（温度）	10V	980毫欧@5A，10V	4.5V@250μA	75nC@10V	±30V	3160pF@25V	-	50W（温度）
AOT416	-	询价	3942	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT41		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1239-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	4.7A（Ta）、42A（Tc）	7V、10V	37毫欧@20A，10V	4V@250μA	23nC@10V	±25V	1450pF@50V	-	1.92W（Ta）、150W（Tc）
奥恩斯36386	-	询价	6182	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				奥恩斯363					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS36386TR	EAR99	8541.29.0095	3,000
AON6370_001	-	询价	7173	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	AON63		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	23A（Ta）、47A（Tc）	4.5V、10V	7.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	13nC@10V	±20V	15V时为840pF	-	6.2W（Ta）、26W（Tc）
AOB2918L	-	询价	3066	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2918		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	13A（Ta）、90A（Tc）	10V	7毫欧@20A，10V	3.9V@250μA	53nC@10V	±20V	50V时为3430pF	-	2.1W（Ta）、267W（Tc）
AOW10N65	0.8115	询价	7492	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW10		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	10A（温度）	10V	1欧姆@5A，10V	4.5V@250μA	33nC@10V	±30V	1645pF@25V	-	250W（温度）
AOB20S60L	3.2400	询价	3329	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB20		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	199毫欧@10A，10V	4.1V@250μA	19.8nC@10V	±30V	1038pF@100V	-	266W（温度）
AOH3106	0.1660	询价	8883	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	AOH31		MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	2A（塔）	4.5V、10V	360毫欧@2A，10V	2V@250μA	10nC@10V	±20V	185pF@50V	-	3.1W（塔）
AOK20B65M2	3.8200	询价	121	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK20	标准		227 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1752	EAR99	8541.29.0095	30			400V，20A，15欧姆，15V											292纳秒	-	650伏	40A	60A	2.15V@15V，20A	580μJ（开），280μJ（关）	46 纳克	26纳秒/123纳秒
AOTF8N50	0.5670	询价	5676	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	8A（温度）	10V	850mOhm@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1042pF@25V	-	38.5W（温度）
AO3413L_101	-	询价	3376	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	3A（塔）	1.8V、4.5V	97毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	6.1nC@4.5V	±8V	540pF@10V	-	1.4W（塔）
AO3402L	-	询价	6635	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	4A（塔）	2.5V、10V	55mOhm@4A，10V	1.4V@250μA	4.34nC@4.5V	±12V	15V时为390pF	-	1.4W（塔）
怡安6406	-	询价	8796	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安640		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	25A（Ta）、170A（Tc）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	100nC@10V	±20V	5200pF@15V	-	2.3W（Ta）、110W（Tc）
AO3421E	0.4100	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	3A（塔）	4.5V、10V	95毫欧@3A，10V	2.5V@250μA	8nC@10V	±20V	15V时为215pF	-	1.4W（塔）
AO4611	1.2100	询价	25	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO461		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			60V	-		25毫欧@6.3A，10V	3V@250μA	58nC@10V		2300pF@30V	逻辑电平门
AOT1404L	1.3581	询价	4059	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT1404		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1410-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	15A（塔）、220A（TC）	10V	4.2毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	86nC@10V	±20V	4300pF@20V	-	2.1W（Ta）、417W（Tc）
AO6405_101	-	询价	5942	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	5A（塔）	4.5V、10V	52mOhm@5A，10V	2.4V@250μA	11nC@10V	±20V	520pF@15V	-	2W（塔）
AO4806	0.3704	询价	4676	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	-		14毫欧@9.4A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V		1810pF@10V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²