晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
怡安7700	-	询价	7580	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安77		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	16A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@12A，10V	3V@250μA	33nC@4.5V	±12V	4250pF@15V	肖特基分化（体）	3.1W（Ta）、26W（Tc）
AOD4504	0.3763	询价	4448	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		200V	1.5A（Ta）、6A（Tc）	10V	400mOhm@3A，10V	3.7V@250μA	115nC@10V	±20V	100V时为328pF	-	2.5W（Ta）、42.5W（Tc）
AO4612L	-	询价	5343	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO461		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			60V	4.5A（塔）、3.2A（塔）		56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V	3V@250μA	10.5nC@10V，20nC@10V		540pF@30V，1120pF@30V	-
冠安6424	-	询价	9510	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安642		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	11A（Ta）、41A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@20A，10V	1.7V@250μA	32nC@10V	±12V	1900pF@15V	-	2W（Ta）、25W（Tc）
怡安7232	0.4484	询价	7031	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	37A（温度）	4.5V、10V	13.5毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	1770pF@50V	-	39W（温度）
AOTF10N50FD_001	-	询价	8345	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		500V	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.2V@250μA	35nC@10V	±30V	1240pF@25V	-	50W（温度）
自动检测仪4102	-	询价	1062	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI41		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		30V	8A（Ta）、19A（Tc）	4.5V、10V	37.5毫欧@12A，10V	3V@250μA	8nC@10V	±20V	15V时为432pF	-	4.2W（Ta）、21W（Tc）
AOT482L	1.2789	询价	2630	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT482		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		80V	11A（Ta）、105A（Tc）	7V、10V	7.2毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	10V时为81nC	±25V	4870pF@40V	-	2.1W（Ta）、333W（Tc）
AO4447A_104	-	询价	第1473章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4447A_104TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	18.5A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@18.5A，10V	2.2V@250μA	130nC@10V	±20V	5020pF@15V	-	3.1W（塔）
AOTF12T60	-	询价	5030	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫12		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	12A（温度）	10V	520毫欧@6A，10V	5V@250μA	50nC@10V	±30V	1954pF@100V	-	50W（温度）
AOTF600A70FL	0.8511	询价	6132	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫600		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF600A70FL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		700伏	8.5A（Tj）	10V	600毫欧@2.5A，10V	4V@250μA	10V时为14.5nC	±20V	900 pF @ 100 V	-	26W（温度）
AOT260L	3.1700	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT260		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1273-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	20A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	2.5毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	180nC@10V	±20V	14200pF@30V	-	1.9W（Ta）、330W（Tc）
AO3160E	0.4300	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	AO31		MOSFET（金属O化物）		SOT-23A-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		600伏	40毫安（塔）	4.5V、10V	500欧姆@16mA，10V	3.2V@8μA	10V时为0.9nC	±20V	9.5pF@25V	-	1.39W（塔）
美国在线1202	-	询价	8755	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线12		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	16A（Ta）、54A（Tc）	4.5V、10V	4.2毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	33nC@10V	±20V	2200pF@15V	-	2.1W（Ta）、58W（Tc）
AOD4136	-	询价	9122	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	25A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	16.8nC@10V	±20V	734pF@12.5V	-	2.1W（Ta）、30W（Tc）
AOT12N60_001	-	询价	1644	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特12		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	12A（温度）	10V	550mOhm@6A，10V	4.5V@250μA	50nC@10V	±30V	2100pF@25V	-	278W（温度）
奥恩斯66923	1.5000	询价	20	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯669		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	15A（Ta）、47A（Tc）	4.5V、10V	10.8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	35nC@10V	±20V	1725pF@50V	-	5W（Ta）、48W（Tc）
怡安2411	-	询价	8420	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWFDFN	AON24		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		12V	20A（塔）	1.8V、4.5V	8毫欧@12A，4.5V	900mV@250μA	30nC@4.5V	±8V	2180pF@6V	-	5W（塔）
AOD409_002	-	询价	6907	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		60V	26A（温度）	4.5V、10V	40毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	54nC@10V	±20V	3600pF@30V	-	2.5W（Ta）、60W（Tc）
AOD600A70R	1.3500	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD600		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		700伏	8.5A（温度）	10V	600毫欧@2.5A，10V	4V@250μA	15.5nC@10V	±20V	950pF@100V	-	104W（温度）
AOB4184	0.4820	询价	1100	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB41		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		40V	12A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	10毫欧@20A，10V	3V@250μA	35nC@10V	±20V	1800pF@20V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AO3404A	0.4300	询价	618	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	5.8A（塔）	4.5V、10V	28毫欧@5.8A，10V	3V@250μA	17nC@10V	±20V	15V时为820pF	-	1.4W（塔）
AOWF7S65	0.9059	询价	9319	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF7		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	7A（温度）	10V	650毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	9.2nC@10V	±30V	100V时为434pF	-	25W（温度）
AOTF8N65_002	-	询价	9372	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫8		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AOWF15S65	1.4876	询价	6975	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF15		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	17.2nC@10V	±30V	100V时为841pF	-	28W（温度）
AO4568	-	询价	5012	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO45		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	12A（塔）	4.5V、10V	11.5毫欧@12A，10V	2.2V@250μA	15nC@10V	±20V	600pF@15V	-	2.5W（塔）
AOTF5B60D	0.7934	询价	5386	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF5	标准		31.2W	TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，5A，60欧姆，15V											98纳秒	-	600伏	14A	20A	1.8V@15V，5A	140μJ（开），40μJ（关）	9.4nC	12纳秒/83纳秒
AOT190A60CL	2.4800	询价	7912	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT190		MOSFET（金属O化物）		TO-220	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT190A60CL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	190毫欧@7.6A，10V	4.6V@250μA	34nC@10V	±30V	1935pF@100V	-	208W（温度）
AOV15S60	1.4244	询价	7033	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-PowerTSFN	AOV15		MOSFET（金属O化物）		4-DFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		600伏	520mA（Ta）、12A（Tc）	10V	360毫欧@7.5A，10V	3.8V@250μA	15.6nC@10V	±30V	100V时为717pF	-	8.3W（Ta）、208W（Tc）
AOI8N25	0.4160	询价	3681	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI8		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1454-5	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		250伏	8A（温度）	10V	560毫欧@1.5A，10V	4.3V@250μA	10V时为7.2nC	±30V	306pF@25V	-	78W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²