晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AOT20N25L	0.6584	询价	9821	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT20	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	250伏	20A（温度）	10V	170mOhm@10A，10V	4.5V@250μA	25nC@10V	±30V	1028pF@25V	-	208W（温度）
奥安6596	-	询价	9723	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安659	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	20A（Ta）、35A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1150pF@15V	-	5W（Ta）、41W（Tc）
AOD4286	0.2360	询价	4976	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD42	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100V	4A（Ta）、14A（Tc）	4.5V、10V	68毫欧@5A，10V	2.9V@250μA	10nC@10V	±20V	50V时为390pF	-	2.5W（Ta）、30W（Tc）
AOD413A	0.6100	询价	第368章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	40V	12A（温度）	4.5V、10V	44毫欧@12A，10V	3V@250μA	21nC@10V	±20V	1125pF@20V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOD600A60	1.2600	询价	128	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD600	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	8A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@250μA	11.5nC@10V	±20V	608pF@100V	-	96W（温度）
AOTF8T50PL	-	询价	2164	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	8A（温度）	10V	810毫欧@4A，10V	5V@250μA	19nC@10V	±30V	905pF@100V	-	28W（温度）
AO3422L	-	询价	7011	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	55V	2.1A（塔）	2.5V、4.5V	160毫欧@2.1A，4.5V	2V@250μA	3.3nC@4.5V	±12V	300pF@25V	-	1.25W（塔）
怡安6816	1.0100	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安681	MOSFET（金属O化物）	2.8W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极		30V	17A		6.2毫欧@16A，10V	2.2V@250μA	45nC@10V		1540pF@15V	逻辑电平门
AOB480L	1.3300	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB480	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	80V	15A（Ta）、180A（Tc）	7V、10V	4.2毫欧@20A，10V	4V@250μA	140nC@10V	±25V	7820pF@40V	-	1.9W（Ta）、333W（Tc）
AO4812L	-	询价	5559	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO481	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	6A		30mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	6.3nC@10V		310pF@15V	-
奥安6546	-	询价	2292	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安654	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	22A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1210pF@15V	-	5.5W（Ta）、35.5W（Tc）
AOTF450L	-	询价	8022	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫450	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1381-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	200V	5.8A（温度）	10V	700毫欧@2.9A，10V	4.5V@250μA	4.4nC@10V	±30V	235pF@25V	-	27W（温度）
AOTL66610	3.8800	询价	13	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	AOTL666	MOSFET（金属O化物）		托拉	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	61A（Ta）、350A（Tc）	6V、10V	1.2毫欧@20A，10V	3.6V@250μA	145nC@10V	±20V	7625pF@30V	-	8.3W（Ta）、272W（Tc）
怡安7406	0.4600	询价	119	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	9A（Ta）、25A（Tc）	4.5V、10V	17毫欧@9A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V	±20V	15V时为888pF	-	3.1W（Ta）、15.5W（Tc）
AON6524_001	-	询价	7156	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	怡安652	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	27A（Ta）、68A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	23nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	5.7W（Ta）、35.5W（Tc）
AO3400A_101	-	询价	8276	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000				5.7A（塔）
AON3402	0.2741	询价	7338	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安340	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	12.6A（塔）	1.8V、4.5V	13毫欧@12A，4.5V	1V@250μA	17.9nC@4.5V	±12V	1810pF@10V	-	3.1W（塔）
AOP605	-	询价	3495	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	AOP60	MOSFET（金属O化物）	2.5W	8-PDIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N 和 P 沟道		30V	-		28毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	16.6nC@4.5V		820pF@15V	逻辑电平门
AO3416_104	-	询价	2971	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000				6.5A（塔）
AO4892	0.2741	询价	第1485章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO489	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		100V	4A		68毫欧@4A，10V	2.8V@250μA	12nC@10V		415pF@50V	-
AOH3110	-	询价	2329	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	AOH31	MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100V	1A（塔）	4.5V、10V	700毫欧@900mA，10V	2.9V@250μA	6nC@10V	±20V	100pF@50V	-	3.1W（塔）
怡安7556	-	询价	6005	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	12A（Ta）、12A（Tc）	4.5V、10V	10.5毫欧@12A，10V	2.2V@250μA	15nC@10V	±20V	600pF@15V	-	4.1W（Ta）、12.5W（Tc）
奥恩斯66908	0.7008	询价	2277	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯669	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS66908TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	30A（Ta）、158A（Tc）	4.5V、10V	4.2毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	97nC@10V	±20V	5117pF@50V	-	7.3W（Ta）、208W（Tc）
AON6908ALS_101	-	询价	9752	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安6908	MOSFET（金属O化物）	1.9W（Ta）、31W（Tc）、2.1W（Ta）、78W（Tc）	8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 N 沟道（双）不定价		30V	11.5A（Ta）、46A（Tc）、17A（Ta）、80A（Tc）		8.9毫欧@11.5A、10V、3.6毫欧@20A、10V	2.4V@250μA，2V@250μA	15nC@10V，38nC@4.5V		1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V	-
美国在线1454_001	-	询价	7012	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14	MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	40V	12A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@20A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±20V	1920pF@20V	-	2.1W（Ta）、60W（Tc）
AOWF11C60	-	询价	6074	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF11	MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1656-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	400毫欧@5.5A，10V	5V@250μA	42nC@10V	±30V	2000 pF @ 100 V	-	28W（温度）
怡安7758	-	询价	3669	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	安安77	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	36A（Ta）、75A（Tc）	4.5V、10V	1.85毫欧@20A，10V	2V@250μA	100nC@10V	±12V	5200pF@15V	-	4.2W（Ta）、34W（Tc）
AOK160A60	3.0206	询价	3390	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK160	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	24A（温度）	10V	160毫欧@12A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	250W（温度）
AO4840	0.7100	询价	165	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		40V	6A		30mOhm@6A，10V	3V@250μA	10.8nC@10V		650pF@20V	逻辑电平门
AOTF11C60P_001	-	询价	9285	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	400毫欧@5.5A，10V	5V@250μA	50nC@10V	±30V	100V时为2333pF	-	50W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²