晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOY516	-	询价	6970	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY51		MOSFET（金属O化物）		TO-251B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		30V	46A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	33nC@10V	±20V	1333pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOWF11C60	-	询价	6074	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF11		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1656-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	400毫欧@5.5A，10V	5V@250μA	42nC@10V	±30V	2000 pF @ 100 V	-	28W（温度）
AOD600A60	1.2600	询价	128	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD600		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	8A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@250μA	11.5nC@10V	±20V	608pF@100V	-	96W（温度）
AOD413A	0.6100	询价	第368章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		40V	12A（温度）	4.5V、10V	44毫欧@12A，10V	3V@250μA	21nC@10V	±20V	1125pF@20V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AON3402	0.2741	询价	7338	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安340		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	12.6A（塔）	1.8V、4.5V	13毫欧@12A，4.5V	1V@250μA	17.9nC@4.5V	±12V	1810pF@10V	-	3.1W（塔）
AOTF8T50PL	-	询价	2164	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	8A（温度）	10V	810毫欧@4A，10V	5V@250μA	19nC@10V	±30V	905pF@100V	-	28W（温度）
AOT9N40	-	询价	5019	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT9		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		400V	8A（温度）	10V	800毫欧@4A，10V	4.5V@250μA	16nC@10V	±30V	760pF@25V	-	132W（温度）
AO4448L	-	询价	2654	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		80V	10A（塔）	7V、10V	16毫欧@10A，10V	4.2V@250μA	34nC@10V	±25V	2005pF@40V	-	3.1W（塔）
AOD5B65N1	0.4035	询价	5739	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD5	标准		52W	TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，5A，60欧姆，15V											170纳秒	-	650伏	10A	15A	2.5V@15V，5A	81μJ（开），49μJ（关）	9.2nC	8纳秒/73纳秒
AO7801	-	询价	2466	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	AO780		MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	-		520毫欧@600mA，4.5V	900mV@250μA	1.8nC@4.5V		140pF@10V	逻辑电平门
AO7405	0.1542	询价	9767	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	AO740		MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	1.4A（塔）	2.5V、10V	150mOhm@1.6A，10V	1.4V@250μA	5.06nC@4.5V	±12V	409pF@15V	-	350毫W（塔）
怡安6734	-	询价	2667	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	37A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2V@250μA	45nC@10V	±12V	1900pF@15V	-	6.2W（Ta）、32.2W（Tc）
AOTF4N60	0.4379	询价	6216	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.2欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	18nC@10V	±30V	615pF@25V	-	35W（温度）
AOTF12N60L	1.6800	询价	第574章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫12		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1788	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	12A（温度）	10V	550mOhm@6A，10V	4.5V@250μA	50nC@10V	±30V	2100pF@25V	-	50W（温度）
奥恩斯36386	-	询价	6182	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				奥恩斯363					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS36386TR	EAR99	8541.29.0095	3,000
AOD3T40P	0.6300	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	2A（温度）	10V	3.3欧姆@1A，10V	5V@250μA	6nC@10V	±30V	139pF@100V	-	35W（温度）
AOTF6N90	0.7844	询价	9382	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF6		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		900伏	6A（温度）	10V	2.2欧姆@3A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	50W（温度）
AO4411L	-	询价	1655	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	32mOhm@8A，10V	2.4V@250μA	16nC@10V	±20V	760pF@15V	-	3.1W（塔）
冠安6452	0.6350	询价	8431	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安645		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	6.5A（Ta）、26A（Tc）	7V、10V	25毫欧@20A，10V	4V@250μA	34nC@10V	±25V	2200pF@50V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
AO4450	0.1020	询价	9249	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	7A（塔）	4.5V、10V	30mOhm@7A，10V	3V@250μA	13nC@10V	±20V	516pF@20V	-	3.1W（塔）
怡安2707	-	询价	6097	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	AON27		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	2.5V、10V	117毫欧@4A，10V	1.5V@250μA	12nC@10V	±12V	15V时为305pF	肖特基分散（隔离）	2.8W（塔）
怡安7548	-	询价	6846	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	24A（温度）	4.5V、10V	8.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1086pF@15V	-	3.1W（Ta）、23W（Tc）
AOD280A60	2.0100	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD280		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	14A（温度）	10V	280毫欧@7A，10V	3V@250μA	10V时为23.5nC	±20V	1350 pF @ 100 V	-	138W（温度）
AOT15S65L	2.8200	询价	230	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT15		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	17.2nC@10V	±30V	100V时为841pF	-	208W（温度）
怡安7200	-	询价	6683	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	15.8A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	20nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	3.1W（Ta）、62W（Tc）
怡安7242	-	询价	9359	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	30A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	3.9毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	32nC@10V	±20V	2365pF@20V	-	6.2W（Ta）、83W（Tc）
AOTF20N60	1.4818	询价	3310	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫20		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	370毫欧@10A，10V	4.5V@250μA	74nC@10V	±30V	3680pF@25V	-	50W（温度）
AOT20N25L	0.6584	询价	9821	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT20		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		250伏	20A（温度）	10V	170mOhm@10A，10V	4.5V@250μA	25nC@10V	±30V	1028pF@25V	-	208W（温度）
AOB480L	1.3300	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB480		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		80V	15A（Ta）、180A（Tc）	7V、10V	4.2毫欧@20A，10V	4V@250μA	140nC@10V	±25V	7820pF@40V	-	1.9W（Ta）、333W（Tc）
奥安6546	-	询价	2292	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安654		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	22A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1210pF@15V	-	5.5W（Ta）、35.5W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²