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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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SI2325DS-T1-GE3	1.0000	RFQ	2399	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2325	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	150 v	530ma（ta）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
SI5475DDC-T1-GE3	-	RFQ	7806	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5475	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.4A，4.5V	1V @ 250µA	50 NC @ 8 V	±8V	1600 PF @ 6 V	-	2.3W（TA），5.7W（TC）
IRFBC40pbf	2.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFR214Tr	-	RFQ	2423	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4477DY-T1-GE3	1.4600	RFQ	9032	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4477	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	26.6a（TC）	2.5V，4.5V	6.2MOHM @ 18A，4.5V	1.5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±12V	4600 PF @ 10 V	-	（3W（ta），6.6W（TC）
SI4168DY-T1-GE3	1.1800	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4168	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SQJ423EP-T1_BE3	1.1200	RFQ	2420	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ423EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	55A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SQ4080EY-T1_BE3	1.3300	RFQ	6462	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	18A（TC）	10V	85mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 75 V	-	7.1W（TC）
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SI4900DY-T1-E3	1.2500	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4900	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	5.3a		58mohm @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		665pf @ 15V	逻辑级别门
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SI4378DY-T1-GE3	-	RFQ	7502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4378	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	（19a ta）	2.5V，4.5V	2.7MOHM @ 25A，4.5V	1.8V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±12V	8500 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
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IRF710STRL	-	RFQ	7749	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SI7904DN-T1-E3	-	RFQ	5923	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7904	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	5.3a		30mohm @ 7.7a，4.5V	1V @ 935µA	15nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
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SIHG065N60E-GE3	7.3900	RFQ	639	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG065	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI1563DH-T1-GE3	-	RFQ	8658	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1563	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	1.13a，880mA		280MOHM @ 1.13A，4.5V	1V @ 100µA	2NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI3433CDV-T1-BE3	0.5100	RFQ	4370	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.2A（ta），6a （TC）	1.8V，4.5V	38mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1300 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），3.3W（tc）
IRF720	-	RFQ	4878	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF720	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIHFL9110TR-GE3	0.6000	RFQ	2077	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SIHFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI7848BDP-T1-GE3	1.7500	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7848	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	47A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 20 V	-	4.2W（TA），36W（tc）
SI3443CDV-T1-GE3	0.5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.97A（TC）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	12.4 NC @ 5 V	±12V	610 pf @ 10 V	-	2W（TA），3.2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²