RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SISS66DN-T1-GE3	1.5100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS66	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	49.1A（TA），178.3A （TC）	4.5V，10V	1.38mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	85.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	3327 PF @ 15 V	（（（）	5.1W（TA），65.8W（tc）
SIRC10DP-T1-GE3	0.8700	RFQ	5369	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	+20V，-16V	1873 PF @ 15 V	（（（）	43W（TC）
SIJA22DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA22	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIJA22DP-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	64A（TA），201a （TC）		0.74MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	+20V，-16V	6500 PF @ 15 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SIHP22N60S-E3	-	RFQ	1043	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP22N60SE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-
SQD40P10-40L_GE3	2.7600	RFQ	2748	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	38A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 8.2a，10v	2.5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	5540 pf @ 15 V	-	136W（TC）
SIS9446DN-T1-GE3	1.2800	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）	2.6W（23w），23W（tc）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n通道		40V	11.3a（TA），34A （TC）		1.2MOHM @ 10A，10V	2.3V @ 250µA	16NC @ 10V		720pf @ 20V	标准
SISS22LDN-T1-GE3	1.2100	RFQ	8624	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS22	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SISS22LDN-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	25.5A（ta），92.5a tc）	4.5V，10V	3.65mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 30 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIHF530STRL-GE3	1.0700	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFL9110TRPBF-BE3	0.8800	RFQ	1456	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFRC20TRPBF-BE3	1.2900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-RFRC20TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHFR024-GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfr014trlpbf-be3	1.5900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr014trlpbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7.7A（TC）		200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQJ409EP-T2_GE3	1.4900	RFQ	7432	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ409EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SQ2310ES-T1_BE3	0.9000	RFQ	37	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2310	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SQ2310ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	485 pf @ 10 V	-	2W（TC）
SIHD6N80AE-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	800 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SIHB30N60E-GE3	6.0700	RFQ	879	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB30N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI6467BDQ-T1-GE3	-	RFQ	3762	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6467	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	6.8a（ta）		12.5MOHM @ 8A，4.5V	850mv @ 450µA	70 NC @ 4.5 V			-
SIHB22N60S-GE3	-	RFQ	3462	Vishay Siliconix	s	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	22a（TC）	10V	190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2810 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRFR214TRPBF	1.4500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIZF918DT-T1-GE3	1.5900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF918	MOSFET （金属 o化物）	3.4W（ta），26.6W（tc），3.7W（ta（50W）（50W to）TC）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	（23A）（TA），40a tc）（35a ta），60a tc（60a tc）		4mohm @ 10a，10v，1.9mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA，2.3V @ 250µA	22nc @ 10v，56nc @ 10v		1060pf @ 15V，2650pf @ 15V	-
SI4818DY-T1-E3	-	RFQ	7266	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4818	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.3a，7a		22mohm @ 6.3a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI5456DU-T1-GE3	-	RFQ	8269	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 9.3a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SIHP14N50D-GE3	1.4464	RFQ	6015	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI4913DY-T1-GE3	-	RFQ	3943	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4913	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	7.1a		15mohm @ 9.4a，4.5V	1V @ 500µA	65nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
VQ2001P	-	RFQ	5621	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）		-	VQ2001	MOSFET （金属 o化物）	2W	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4个p通道		30V	600mA		2ohm @ 1a，12v	4.5V @ 1mA	-		150pf @ 15V	-
SQS482ENW-T1_GE3	0.9200	RFQ	4814	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SI3429EDV-T1-GE3	0.4700	RFQ	2398	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3429	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8a（8a ta），8a tc（8a tc）	1.8V，4.5V	21MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±8V	4085 pf @ 50 V	-	4.2W（TC）
SIDR668DP-T1-RE3	2.9700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）		742-SIDR668DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	23.2A（ta），95a（tc）	7.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SUM110N04-05H-E3	-	RFQ	6719	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	110A（TC）	10V	5.3MOHM @ 30a，10v	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SUM70090E-GE3	1.6600	RFQ	1264	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70090	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	50A（TC）	7.5V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 50 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²