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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1070X-T1-E3 | - | ![]() | 1268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1070 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 1.2A(TA) | 2.5V,4.5V | 99mohm @ 1.2A,4.5V | 1.55V @ 250µA | 8.3 NC @ 5 V | ±12V | 385 pf @ 15 V | - | 236MW(TA) | ||||||
![]() | SI1304BDL-T1-E3 | - | ![]() | 3486 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | SI1304 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 900mA(TC) | 2.5V,4.5V | 270MOHM @ 900mA,4.5V | 1.3V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 V | ±12V | 100 pf @ 15 V | - | 340MW(TA),370MW(TC) | ||||||
![]() | SI3853DV-T1-E3 | - | ![]() | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3853 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 200mohm @ 1.8A,4.5V | 500mv @ 250µA(250µA)) | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | Schottky 二极管(孤立) | 830MW(TA) | |||||||
![]() | SI4398DY-T1-E3 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4398 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | (19a ta) | 4.5V,10V | 2.8mohm @ 25a,10v | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±20V | 5620 PF @ 10 V | - | 1.6W(TA) | ||||||
![]() | TP0610K-T1-E3 | 0.5000 | ![]() | 830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 185ma(ta) | 4.5V,10V | 6ohm @ 500mA,10v | 3V @ 250µA | 1.7 NC @ 15 V | ±20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW(TA) | ||||||
![]() | SI5908DC-T1-E3 | 1.3900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5908 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4.4a,4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||||
![]() | SI7138DP-T1-E3 | - | ![]() | 6191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7138 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 30A(TC) | 6V,10V | 7.8mohm @ 19.7a,10v | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±20V | 6900 PF @ 30 V | - | 5.4W(ta),96w(tc) | ||||||
SUP75P05-08-E3 | - | ![]() | 2982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P通道 | 55 v | 75A(TC) | 4.5V,10V | 8mohm @ 30a,10v | 3V @ 250µA | 225 NC @ 10 V | ±20V | 8500 PF @ 25 V | - | 3.7W(TA),250W(TC) | ||||||||
![]() | SIS427EDN-T1-GE3 | 0.7100 | ![]() | 6952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SIS427 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 10.6mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±25V | 1930 pf @ 15 V | - | 3.7W(TA),52W(TC) | |||||||
![]() | SIJ470DP-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 1561年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | sij470 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 58.8A(TC) | 7.5V,10V | 9.1mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2050 pf @ 50 V | - | 5W(5W),56.8W(TC) | |||||||
![]() | SST4416-E3 | - | ![]() | 4471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST4416 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n通道 | 2.2pf @ 15V | 30 V | 5 ma @ 15 V | 3 V @ 1 na | ||||||||||||
![]() | SST5484-E3 | - | ![]() | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST5484 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n通道 | 5pf @ 15V | 25 v | 1 mA @ 15 V | 300 mv @ 10 na | ||||||||||||
2N4119A-E3 | - | ![]() | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AF,TO-72-4金属可以 | 2N4119 | 300兆 | to-206af(72) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 3pf @ 10V | 40 V | 200 µA @ 10 V | 2 V @ 1 na | |||||||||||||
![]() | 2N4860JTX02 | - | ![]() | 7381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4860 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5115JTVL02 | - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5115 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5116JTVL02 | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5116 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5116JTXL02 | - | ![]() | 4372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5116 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||
3N163-E3 | - | ![]() | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AF,TO-72-4金属可以 | 3N163 | MOSFET (金属 o化物) | 到72 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | P通道 | 40 V | 50mA(TA) | 20V | 250ohm @ 100µA,20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 pf @ 15 V | - | 375MW(TA) | ||||||||
![]() | SIR172ADP-T1-GE3 | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir172 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 24A(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 10a,10v | 2.4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 1515 PF @ 15 V | - | 29.8W(TC) | |||||||
![]() | SQM100N04-2M7_GE3 | 1.7342 | ![]() | 3935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SQM100 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 10V | 2.7MOHM @ 30a,10v | 3.5V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 7910 PF @ 25 V | - | 157W(TC) | |||||||
![]() | SQ3427AEEV-T1_GE3 | 0.7800 | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 5.3A(TC) | 10V | 95MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1000 pf @ 30 V | - | 5W(TC) | |||||||
![]() | SIHG33N65E-GE3 | 4.4659 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG33 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 650 v | 32.4a(TC) | 10V | 105MOHM @ 16.5A,10V | 4V @ 250µA | 173 NC @ 10 V | ±30V | 4040 pf @ 100 V | - | 313W(TC) | |||||||
![]() | SIRA80DP-T1-RE3 | 1.5900 | ![]() | 546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira80 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 0.62Mohm @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 188 NC @ 10 V | +20V,-16V | 9530 PF @ 15 V | - | 104W(TC) | |||||||
![]() | SIHFR1N60ATR-GE3 | 0.3410 | ![]() | 2692 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | sihfr1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 600 v | 1.4A(TC) | 10V | 7ohm @ 840mA,10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W(TC) | |||||||
![]() | SIA915DJ-T4-GE3 | - | ![]() | 4122 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA915 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W(ta),6.5W(TC) | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 3.7A(TA),4.5A(TC) | 87MOHM @ 2.9a,10V | 2.2V @ 250µA | 9NC @ 10V | 275pf @ 15V | - | |||||||||
![]() | SI7190ADP-T1-RE3 | 1.8800 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7190 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 250 v | 4.3a(TA),14.4a tc) | 7.5V,10V | 102MOHM @ 4.3A,10V | 4V @ 250µA | 22.4 NC @ 10 V | ±20V | 860 pf @ 100 V | - | 5W(5W),56.8W(TC) | |||||||
![]() | SIR140DP-T1-RE3 | 2.1700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir140 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 71.9a(ta),100a tc) | 4.5V,10V | 0.67MOHM @ 20A,10V | 2.1V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | +20V,-16V | 8150 pf @ 10 V | - | 6.25W(TA),104W(tc) | |||||||
![]() | SIZ350DT-T1-GE3 | 1.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ350 | MOSFET (金属 o化物) | 3.7W(TA),16.7W(tc) | 8-Power33(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 18.5a(ta),30a(tc) | 6.75mohm @ 15a,10v | 2.4V @ 250µA | 20.3nc @ 10V | 940pf @ 15V | - | |||||||||
![]() | SQJA37EP-T1_GE3 | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJA37 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 9.2MOHM @ 6A,10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 4900 PF @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||
![]() | SISH410DN-T1-GE3 | 1.0800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8SH | SISH410 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8SH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 22a(22A),35a(tc(TC) | 4.5V,10V | 4.8mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 1600 PF @ 10 V | - | 3.8W(TA),52W(TC) |
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