晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id
SIHK055N60EF-T1GE3	9.1100	询价	2	威世硅科	EF	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerBSFN	SIHK055	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK®10 x 12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	40A（温度）	10V	58毫欧@16A，10V	5V@250μA	90nC@10V	±30V	100V时为3667pF	-	236W（温度）
SI3483DDV-T1-BE3	0.5500	询价	16	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	6.4A（Ta）、8A（Tc）	4.5V、10V	31.2毫欧@5A，10V	2.2V@250μA	10V时为14.5nC	+16V，-20V	580pF@15V	-	2W（Ta）、3W（Tc）
SIE726DF-T1-E3	-	询价	7122	威世硅科	SkyFET®、TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PolarPAK® (L)	SIE726	MOSFET（金属O化物）		10-PolarPAK® (L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	2.4毫欧@25A，10V	3V@250μA	160nC@10V	±20V	7400pF@15V	-	5.2W（Ta）、125W（Tc）
IRFR430ATRPBF	-	询价	7783	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR430	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	500V	5A（温度）	10V	1.7欧姆@3A，10V	4.5V@250μA	24nC@10V	±30V	490pF@25V	-	110W（温度）
SI7852ADP-T1-E3	2.7800	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7852	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	30A（温度）	8V、10V	17毫欧@10A，10V	4.5V@250μA	45nC@10V	±20V	1825pF@40V	-	5W（Ta）、62.5W（Tc）
SQJ401EP-T1_GE3	2.0200	询价	2	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ401	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	32A（温度）	2.5V、4.5V	6毫欧@15A，4.5V	1.5V@250μA	164nC@4.5V	±8V	10015pF@6V	-	83W（温度）
SISC06DN-T1-GE3	0.9400	询价	1	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SISC06	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	27.6A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	2.7毫欧@15A，10V	2.1V@250μA	58nC@10V	+20V，-16V	15V时为2455pF	-	3.7W（Ta）、46.3W（Tc）
SI1403CDL-T1-GE3	-	询价	4141	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1403	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	2.1A（温度）	2.5V、4.5V	140毫欧@1.6A，4.5V	1.5V@250μA	8nC@4.5V	±12V	281pF@10V	-	600mW（Ta）、900mW（Tc）
SI3456DDV-T1-GE3	0.4300	询价	107	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3456	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	6.3A（温度）	4.5V、10V	40mOhm@5A，10V	3V@250μA	9nC@10V	±20V	15V时为325pF	-	1.7W（Ta）、2.7W（Tc）
SI7447ADP-T1-GE3	-	询价	5723	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7447	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	35A（温度）	10V	6.5毫欧@24A，10V	3V@250μA	150nC@10V	±25V	4650pF@15V	-	5.4W（Ta）、83.3W（Tc）
IRLU024PBF	1.7000	询价	3	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRLU024	MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRLU024PBF	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	60V	14A（温度）	4V、5V	100mOhm@8.4A，5V	2V@250μA	18nC@5V	±10V	870pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SIHG73N60E-GE3	12.6600	询价	7443	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHG73	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	600伏	73A（温度）	10V	39毫欧@36A，10V	4V@250μA	362nC@10V	±30V	7700 pF @ 100 V	-	520W（温度）
SI2342DS-T1-BE3	0.5100	询价	3935	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）		742-SI2342DS-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	8V	6A（Ta）、6A（Tc）	1.2V、4.5V	17毫欧@7.2A，4.5V	800mV@250μA	15.8nC@4.5V	±5V	1070pF@4V	-	1.3W（Ta）、2.5W（Tc）
SI4823DY-T1-E3	-	询价	4254	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4823	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	20V	4.1A（温度）	2.5V、4.5V	108毫欧@3.3A，4.5V	1.5V@250μA	12nC@10V	±12V	660pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.7W（Ta）、2.8W（Tc）
SISA35DN-T1-GE3	0.5200	询价	13	威世硅科	TrenchFET® 第三代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SISA35	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	10A（Ta）、16A（Tc）	4.5V、10V	19毫欧@9A，10V	2.2V@250μA	42nC@10V	±20V	1500pF@15V	-	3.2W（Ta）、24W（Tc）
IRF520S	-	询价	6941	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF520	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF520S	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	9.2A（温度）	10V	270毫欧@5.5A，10V	4V@250μA	16nC@10V	±20V	360pF@25V	-	3.7W（Ta）、60W（Tc）
SIS472BDN-T1-GE3	0.6400	询价	6	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS472	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	15.3A（Ta）、38.3A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@10A、10V	2.4V@250μA	10V时为21.5nC	+20V，-16V	1000pF@15V	-	3.2W（Ta）、19.8W（Tc）
SIRA22DP-T1-RE3	0.5977	询价	9201	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	西拉22	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	60A（温度）	4.5V、10V	0.76毫欧@15A，10V	2.2V@250μA	155nC@10V	+16V，-12V	7570pF@10V	-	83.3W（温度）
SIRC06DP-T1-GE3	0.3733	询价	8732	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIRC06	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	32A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	2.7毫欧@15A，10V	2.1V@250μA	58nC@10V	+20V，-16V	15V时为2455pF	肖特基分化（体）	5W（Ta）、50W（Tc）
SST4416-E3	-	询价	4471	威世硅科	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	不锈钢4416		350毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000		N沟道								2.2pF@15V			30V	5毫安@15伏	3V@1nA
V30433-T1-GE3	-	询价	9520	威世硅科	*	卷带式 (TR)	过时的				V30433				-	符合ROHS3标准	1（无限制）			过时的	0000.00.0000	3,000
SI2367DS-T1-BE3	0.4100	询价	7592	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）		742-SI2367DS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	2.8A（Ta）、3.8A（Tc）	1.8V、4.5V	66毫欧@2.5A，4.5V	1V@250μA	8V时为23nC	±8V	561pF@10V	-	960mW（Ta）、1.7W（Tc）
SIR4606DP-T1-GE3	1.2600	询价	14	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	10.5A（Ta）、16A（Tc）	7.5V、10V	18.5毫欧@4A，10V	4V@250μA	13.5nC@10V	±20V	540pF@30V	-	3.7W（Ta）、31.2W（Tc）
SI8407DB-T2-E1	-	询价	5162	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-MICRO FOOT®CSP	SI8407	MOSFET（金属O化物）		6-微脚™ (2.4x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	5.8A（塔）	1.8V、4.5V	27毫欧@1A，4.5V	900mV@350μA	50nC@4.5V	±8V		-	1.47W（塔）
SI4090DY-T1-GE3	1.5000	询价	4820	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4090	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	19.7A（温度）	6V、10V	10毫欧@15A，10V	3.3V@250μA	69nC@10V	±20V	2410pF@50V	-	3.5W（Ta）、7.8W（Tc）
SIRS4600DP-T1-RE3	3.7500	询价	50	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	58A（Ta）、334A（Tc）	7.5V、10V	1.2毫欧@20A，10V	4V@250μA	162nC@10V	±20V	7655pF@30V	-	7.4W（Ta）、240W（Tc）
SQS482EN-T1_BE3	0.9100	询价	7825	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载		1（无限制）		742-SQS482EN-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	16A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@16.4A，10V	2.5V@250μA	39nC@10V	±20V	1865pF@25V	-	62W（温度）
IRFD210PBF	1.3900	询价	13	威世硅科	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD210	MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRFD210PBF	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	200V	600mA（塔）	10V	1.5欧姆@360mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	1W（塔）
SQJA34EP-T1_GE3	1.1100	询价	4562	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJA34	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	75A（温度）	10V	4.3毫欧@10A、10V	3.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2800pF@25V	-	68W（温度）
SI6983DQ-T1-E3	-	询价	8098	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	SI6983	MOSFET（金属O化物）	830毫W	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	4.6A		24毫欧@5.4A，4.5V	1V@400μA	30nC@4.5V		-	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²