SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID
SI1070X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1070X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1268 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1070 MOSFET (金属 o化物) SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 1.2A(TA) 2.5V,4.5V 99mohm @ 1.2A,4.5V 1.55V @ 250µA 8.3 NC @ 5 V ±12V 385 pf @ 15 V - 236MW(TA)
SI1304BDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1304BDL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3486 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 SI1304 MOSFET (金属 o化物) SC-70-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 900mA(TC) 2.5V,4.5V 270MOHM @ 900mA,4.5V 1.3V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 V ±12V 100 pf @ 15 V - 340MW(TA),370MW(TC)
SI3853DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3853DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8860 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3853 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.6a(ta) 2.5V,4.5V 200mohm @ 1.8A,4.5V 500mv @ 250µA(250µA)) 4 NC @ 4.5 V ±12V Schottky 二极管(孤立) 830MW(TA)
SI4398DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4398DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4398 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v (19a ta) 4.5V,10V 2.8mohm @ 25a,10v 3V @ 250µA 50 NC @ 4.5 V ±20V 5620 PF @ 10 V - 1.6W(TA)
TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix TP0610K-T1-E3 0.5000
RFQ
ECAD 830 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TP0610 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 60 V 185ma(ta) 4.5V,10V 6ohm @ 500mA,10v 3V @ 250µA 1.7 NC @ 15 V ±20V 23 pf @ 25 V - 350MW(TA)
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5908DC-T1-E3 1.3900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5908 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 4.4a 40mohm @ 4.4a,4.5V 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7138DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6191 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7138 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 30A(TC) 6V,10V 7.8mohm @ 19.7a,10v 4V @ 250µA 135 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 30 V - 5.4W(ta),96w(tc)
SUP75P05-08-E3 Vishay Siliconix SUP75P05-08-E3 -
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 500 P通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 8mohm @ 30a,10v 3V @ 250µA 225 NC @ 10 V ±20V 8500 PF @ 25 V - 3.7W(TA),250W(TC)
SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS427EDN-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 6952 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SIS427 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 50A(TC) 4.5V,10V 10.6mohm @ 11a,10v 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±25V 1930 pf @ 15 V - 3.7W(TA),52W(TC)
SIJ470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ470DP-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 1561年 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 sij470 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 58.8A(TC) 7.5V,10V 9.1mohm @ 20a,10v 3.5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 50 V - 5W(5W),56.8W(TC)
SST4416-E3 Vishay Siliconix SST4416-E3 -
RFQ
ECAD 4471 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SST4416 350兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 2.2pf @ 15V 30 V 5 ma @ 15 V 3 V @ 1 na
SST5484-E3 Vishay Siliconix SST5484-E3 -
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SST5484 350兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 5pf @ 15V 25 v 1 mA @ 15 V 300 mv @ 10 na
2N4119A-E3 Vishay Siliconix 2N4119A-E3 -
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-206AF,TO-72-4金属可以 2N4119 300兆 to-206af(72) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 200 n通道 3pf @ 10V 40 V 200 µA @ 10 V 2 V @ 1 na
2N4860JTX02 Vishay Siliconix 2N4860JTX02 -
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N4860 TO-206AA(to-18) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N5115JTVL02 Vishay Siliconix 2N5115JTVL02 -
RFQ
ECAD 4741 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N5115 TO-206AA(to-18) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5116JTVL02 Vishay Siliconix 2N5116JTVL02 -
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 - 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N5116 TO-206AA(to-18) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5116JTXL02 Vishay Siliconix 2N5116JTXL02 -
RFQ
ECAD 4372 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 - 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N5116 TO-206AA(to-18) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
3N163-E3 Vishay Siliconix 3N163-E3 -
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-206AF,TO-72-4金属可以 3N163 MOSFET (金属 o化物) 到72 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 200 P通道 40 V 50mA(TA) 20V 250ohm @ 100µA,20V 5V @ 10µA ±30V 3.5 pf @ 15 V - 375MW(TA)
SIR172ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR172ADP-T1-GE3 0.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir172 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 24A(TC) 4.5V,10V 8.5mohm @ 10a,10v 2.4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1515 PF @ 15 V - 29.8W(TC)
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SQM100 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 100A(TC) 10V 2.7MOHM @ 30a,10v 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 7910 PF @ 25 V - 157W(TC)
SQ3427AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3427AEEV-T1_GE3 0.7800
RFQ
ECAD 1196 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SQ3427 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 5.3A(TC) 10V 95MOHM @ 4.5A,10V 2.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1000 pf @ 30 V - 5W(TC)
SIHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 4.4659
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 500 n通道 650 v 32.4a(TC) 10V 105MOHM @ 16.5A,10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 V ±30V 4040 pf @ 100 V - 313W(TC)
SIRA80DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA80DP-T1-RE3 1.5900
RFQ
ECAD 546 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sira80 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 0.62Mohm @ 20a,10v 2.2V @ 250µA 188 NC @ 10 V +20V,-16V 9530 PF @ 15 V - 104W(TC)
SIHFR1N60ATR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR1N60ATR-GE3 0.3410
RFQ
ECAD 2692 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 sihfr1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 1.4A(TC) 10V 7ohm @ 840mA,10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 229 pf @ 25 V - 36W(TC)
SIA915DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3 -
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA915 MOSFET (金属 o化物) 1.9W(ta),6.5W(TC) POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 30V 3.7A(TA),4.5A(TC) 87MOHM @ 2.9a,10V 2.2V @ 250µA 9NC @ 10V 275pf @ 15V -
SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SI7190ADP-T1-RE3 1.8800
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7190 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 250 v 4.3a(TA),14.4a tc) 7.5V,10V 102MOHM @ 4.3A,10V 4V @ 250µA 22.4 NC @ 10 V ±20V 860 pf @ 100 V - 5W(5W),56.8W(TC)
SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR140DP-T1-RE3 2.1700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir140 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 71.9a(ta),100a tc) 4.5V,10V 0.67MOHM @ 20A,10V 2.1V @ 250µA 170 NC @ 10 V +20V,-16V 8150 pf @ 10 V - 6.25W(TA),104W(tc)
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3 1.1300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn SIZ350 MOSFET (金属 o化物) 3.7W(TA),16.7W(tc) 8-Power33(3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 18.5a(ta),30a(tc) 6.75mohm @ 15a,10v 2.4V @ 250µA 20.3nc @ 10V 940pf @ 15V -
SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA37EP-T1_GE3 0.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJA37 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 30A(TC) 4.5V,10V 9.2MOHM @ 6A,10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 45W(TC)
SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 1.0800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8SH SISH410 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8SH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 22a(22A),35a(tc(TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 10 V - 3.8W(TA),52W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库