RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHH068N60E-T1-GE3	8.1500	RFQ	7837	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH068	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	34A（TC）	10V	68mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	2650 pf @ 100 V	-	202W（TC）
IRFZ46L	-	RFQ	2315	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ46	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ46L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	50A（TC）	10V	24mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SI5857DU-T1-GE3	-	RFQ	7076	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5857	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	58MOHM @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±12V	480 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2.3W（TA），10.4W（TC）
IRFL014PBF	-	RFQ	2443	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	80		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQ7414AENW-T1_GE3	-	RFQ	3575	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQ7414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 8.7a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 30 V	-	62W（TC）
SI4620DY-T1-GE3	-	RFQ	7058	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4620	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6A（6A），7.5A（7.5A）（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	1040 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
IRF3205ZSTRL	-	RFQ	5016	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3205	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI4812BDY-T1-E3	-	RFQ	7036	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4812	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	16mohm @ 9.5a，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V		-	1.4W（TA）
SI3443BDV-T1-GE3	0.2588	RFQ	4809	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
SI7960DP-T1-GE3	-	RFQ	5090	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7960	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6.2a		21mohm @ 9.7a，10v	3V @ 250µA	75nc @ 10V		-	逻辑级别门
SIDR680ADP-T1-RE3	2.4900	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR680	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	-		（1 （无限）		742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30.7a（TA），137A （TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4415 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIA430DJ-T4-GE3	-	RFQ	9778	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
IRFI820G	-	RFQ	1818年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFI820G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.1A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SUP50N10-21P-GE3	-	RFQ	3675	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	50A（TC）	6V，10V	21mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	2055 PF @ 50 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIHFR9014-GE3	0.2527	RFQ	1723年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR9014	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR9014-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIA4371EDJ-T1-GE3	0.5300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.4a（ta），9a （TC）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±12V		-	2.9W（TA），15.6W（TC）
SQJB00EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	9293	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB00	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	30A（TC）		13mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	35nc @ 10V		1700pf @ 25V	-
SI4484EY-T1-E3	-	RFQ	4026	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4484	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	4.8A（ta）	6V，10V	34mohm @ 6.9a，10v	2V @ 250µA（）	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRF820ASTRL	-	RFQ	6010	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIR844DP-T1-GE3	-	RFQ	6675	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir844	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	50A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 15a，10v	2.6V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3215 PF @ 10 V	-	5W（5W），50W（50W）TC）
SI7108DN-T1-GE3	2.0000	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.9mohm @ 22a，10v	2V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±16V		-	1.5W（TA）
SQJQ906EL-T1_GE3	2.6600	RFQ	9691	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ906	MOSFET （金属 o化物）	187W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	160a（TC）		4.3MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		3238pf @ 20V	-
SIZ342DT-T1-GE3	0.9200	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ342	-	3.6W，4.3W	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	15.7a（TA），100A（tc）		11.5MOHM @ 14A，10V	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		650pf @ 15V	-
SI2308DS-T1-E3	-	RFQ	9418	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2A（TA）	4.5V，10V	160MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IRF740LCPBF	3.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF740LCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI7820DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	6351	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7820	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SUP53P06-20-E3	2.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SUP53P0620E3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	9.2A（ta），53A （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），104.2W（TC）
SISS42DN-T1-GE3	0.6825	RFQ	5178	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS42	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	11.8a（ta），40.5a tc）	7.5V，10V	14.4mohm @ 15a，10v	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 50 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SQM85N15-19_GE3	3.6400	RFQ	2289	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM85	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	85A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	6285 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SQ3987EV-T1_GE3	0.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3987	MOSFET （金属 o化物）	1.67W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	3A（TC）		133MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	12.2nc @ 10V		570pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²