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![]() | SI7629DN-T1-GE3 | 1.1100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7629 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 35A(TC) | 2.5V,10V | 4.6mohm @ 20a,10v | 1.5V @ 250µA | 177 NC @ 10 V | ±12V | 5790 pf @ 10 V | - | 3.7W(TA),52W(TC) | |||||
![]() | SI1032R-T1-E3 | - | ![]() | 5880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | SI1032 | MOSFET (金属 o化物) | SC-75A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 140mA(ta) | 1.5V,4.5V | 5ohm @ 200ma,4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 250MW(TA) | |||||
![]() | IRFPF30pbf | 4.9000 | ![]() | 1859年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFPF30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFPF30PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 900 v | 3.6A(TC) | 10V | 3.7OHM @ 2.2a,10v | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | ||||
![]() | SI4834BDY-T1-E3 | - | ![]() | 8683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4834 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a,10v | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIE878DF-T1-GE3 | - | ![]() | 4317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-Polarpak®(l) | SIE878 | MOSFET (金属 o化物) | 10-Polarpak®(l) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 45A(TC) | 4.5V,10V | 5.2MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 12.5 V | - | 5.2W(TA),25W(25W)TC) | |||||
![]() | SI5915DC-T1-GE3 | - | ![]() | 2737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5915 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 8V | 3.4a | 70MOHM @ 3.4A,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 9NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | IRFP460HPBF | 3.6100 | ![]() | 1597年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-IRFP460HPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 270MOHM @ 12A,10V | 4V @ 250µA | 116 NC @ 10 V | ±30V | 3208 PF @ 100 V | - | 329W(TC) | |||||
![]() | SQ2362ES-T1_GE3 | 0.6700 | ![]() | 4518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2362 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 4.3A(TC) | 10V | 95MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 550 pf @ 30 V | - | 3W(TC) | |||||
![]() | SUM40N15-38-E3 | - | ![]() | 2587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 150 v | 40a(TC) | 6V,10V | 38mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 25 V | - | 3.75W(ta),166w(tc) | |||||
![]() | SISHA18ADN-T1-GE3 | 0.8100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8SH | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8SH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 22a(22a),60a(tc) | 4.5V,10V | 4.6mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | +20V,-16V | 1650 pf @ 15 V | - | 3.5W(TA),26.5W(tc) | ||||||
![]() | SIR484DP-T1-GE3 | - | ![]() | 1791年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir484 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 20A(TC) | 4.5V,10V | 8.3mohm @ 17.2a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 830 pf @ 10 V | - | 3.9W(TA),29.8W(TC) | |||||
![]() | SI9936BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9936 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 4.5a | 35mohm @ 6a,10v | 3V @ 250µA | 13nc @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIR878ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir878 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 40a(TC) | 4.5V,10V | 14mohm @ 15a,10v | 2.8V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1275 PF @ 50 V | - | 5W(5W),44.5W(TC) | |||||
![]() | SIS782DN-T1-GE3 | 0.6400 | ![]() | 6553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SIS782 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 9.5mohm @ 10a,10v | 2.3V @ 250µA | 30.5 NC @ 10 V | ±20V | 1025 pf @ 15 V | ((() | 41W(TC) | ||||||
![]() | SIS932EDN-T1-GE3 | 0.6500 | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SIS932 | MOSFET (金属 o化物) | 2.6W(23w),23W(tc) | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 6A(TC) | 22mohm @ 10a,4.5V | 1.4V @ 250µA | 14NC @ 4.5V | 1000pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SI8900EDB-T2-E1 | - | ![]() | 7566 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-UFBGA,CSPBGA | SI8900 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 10-micro foot™CSP (2x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 20V | 5.4a | - | 1V @ 1.1mA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7880ADP-T1-GE3 | 2.0808 | ![]() | 4171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7880 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 3mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 5600 pf @ 15 V | - | 5.4W(ta),83W(tc) | |||||
![]() | SIE822DF-T1-GE3 | 2.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-Polarpak®(S) | SIE822 | MOSFET (金属 o化物) | 10-Polarpak®(S) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 3.4mohm @ 18.3a,10v | 3V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 4200 PF @ 10 V | - | 5.2W(ta),104W(tc) | |||||
![]() | SI1016X-T1-GE3 | 0.6600 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1016 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 485mA,370mA | 700MOHM @ 600mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.75nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
sihp38n60e-ge3 | 6.6100 | ![]() | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | sihp38 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 43A(TC) | 10V | 65mohm @ 19a,10v | 4V @ 250µA | 183 NC @ 10 V | ±30V | 3600 PF @ 100 V | - | 313W(TC) | ||||||
IRF9Z20PBF | 1.9100 | ![]() | 936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF9Z20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF9Z20PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 50 V | 9.7a(TC) | 10V | 280MOHM @ 5.6A,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 480 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||
![]() | SI7445DP-T1-E3 | - | ![]() | 4828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7445 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 12a(12a) | 1.8V,4.5V | 7.7MOHM @ 19a,4.5V | 1V @ 250µA | 140 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SQJB02ELP-T1_GE3 | 1.0900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB02 | MOSFET (金属 o化物) | 27W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 30A(TC) | 7.5MOHM @ 6A,10V | 2.2V @ 250µA | 32NC @ 10V | 1700pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SI4164DY-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4164 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 3.2MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 3545 pf @ 15 V | - | (3w(ta),6w(tc) | ||||
![]() | SI4172DY-T1-GE3 | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4172 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 15A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 820 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),4.5W(TC) | |||||
![]() | VQ1004P-2 | - | ![]() | 6690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | VQ1004 | - | - | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 5V,10V | - | - | ±20V | - | - | |||||||
![]() | SI4634DY-T1-E3 | 1.7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4634 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 24.5A(TC) | 4.5V,10V | 5.2MOHM @ 15A,10V | 2.6V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 3150 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),5.7W(TC) | |||||
![]() | irfr110tr | - | ![]() | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR110 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 4.3A(TC) | 10V | 540MOHM @ 2.6A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | ||||
![]() | SI7440DP-T1-E3 | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7440 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 21a,10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SI5943DU-T1-E3 | - | ![]() | 7896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5943 | MOSFET (金属 o化物) | 8.3W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 6a | 64mohm @ 3.6A,4.5V | 1V @ 250µA | 15nc @ 8V | 460pf @ 6V | 逻辑级别门 |
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