SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SI7629DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7629DN-T1-GE3 1.1100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7629 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 35A(TC) 2.5V,10V 4.6mohm @ 20a,10v 1.5V @ 250µA 177 NC @ 10 V ±12V 5790 pf @ 10 V - 3.7W(TA),52W(TC)
SI1032R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1032R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 SI1032 MOSFET (金属 o化物) SC-75A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 140mA(ta) 1.5V,4.5V 5ohm @ 200ma,4.5V 1.2V @ 250µA 0.75 NC @ 4.5 V ±6V - 250MW(TA)
IRFPF30PBF Vishay Siliconix IRFPF30pbf 4.9000
RFQ
ECAD 1859年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFPF30 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFPF30PBF Ear99 8541.29.0095 500 n通道 900 v 3.6A(TC) 10V 3.7OHM @ 2.2a,10v 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 125W(TC)
SI4834BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4834BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4834 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a,10v 3V @ 250µA 11NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE878DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4317 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-Polarpak®(l) SIE878 MOSFET (金属 o化物) 10-Polarpak®(l) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 45A(TC) 4.5V,10V 5.2MOHM @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 12.5 V - 5.2W(TA),25W(25W)TC)
SI5915DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5915DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2737 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5915 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 8V 3.4a 70MOHM @ 3.4A,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 9NC @ 4.5V - 逻辑级别门
IRFP460HPBF Vishay Siliconix IRFP460HPBF 3.6100
RFQ
ECAD 1597年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-IRFP460HPBF Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 20A(TC) 10V 270MOHM @ 12A,10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 V ±30V 3208 PF @ 100 V - 329W(TC)
SQ2362ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2362ES-T1_GE3 0.6700
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2362 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 4.3A(TC) 10V 95MOHM @ 4.5A,10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 550 pf @ 30 V - 3W(TC)
SUM40N15-38-E3 Vishay Siliconix SUM40N15-38-E3 -
RFQ
ECAD 2587 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum40 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 40a(TC) 6V,10V 38mohm @ 15a,10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 25 V - 3.75W(ta),166w(tc)
SISHA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISHA18ADN-T1-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8SH MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8SH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a(22a),60a(tc) 4.5V,10V 4.6mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 V +20V,-16V 1650 pf @ 15 V - 3.5W(TA),26.5W(tc)
SIR484DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR484DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1791年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir484 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 20A(TC) 4.5V,10V 8.3mohm @ 17.2a,10v 2.5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 830 pf @ 10 V - 3.9W(TA),29.8W(TC)
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9936BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI9936 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 4.5a 35mohm @ 6a,10v 3V @ 250µA 13nc @ 10V - 逻辑级别门
SIR878ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR878ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir878 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 40a(TC) 4.5V,10V 14mohm @ 15a,10v 2.8V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1275 PF @ 50 V - 5W(5W),44.5W(TC)
SIS782DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS782DN-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 6553 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SIS782 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 16A(TC) 4.5V,10V 9.5mohm @ 10a,10v 2.3V @ 250µA 30.5 NC @ 10 V ±20V 1025 pf @ 15 V ((() 41W(TC)
SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3 0.6500
RFQ
ECAD 5796 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®1212-8 SIS932 MOSFET (金属 o化物) 2.6W(23w),23W(tc) POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 6A(TC) 22mohm @ 10a,4.5V 1.4V @ 250µA 14NC @ 4.5V 1000pf @ 15V -
SI8900EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-UFBGA,CSPBGA SI8900 MOSFET (金属 o化物) 1W 10-micro foot™CSP (2x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双)公共排水 20V 5.4a - 1V @ 1.1mA - - 逻辑级别门
SI7880ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7880ADP-T1-GE3 2.0808
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7880 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 40a(TC) 4.5V,10V 3mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 125 NC @ 10 V ±20V 5600 pf @ 15 V - 5.4W(ta),83W(tc)
SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE822DF-T1-GE3 2.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-Polarpak®(S) SIE822 MOSFET (金属 o化物) 10-Polarpak®(S) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 50A(TC) 4.5V,10V 3.4mohm @ 18.3a,10v 3V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 10 V - 5.2W(ta),104W(tc)
SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1016X-T1-GE3 0.6600
RFQ
ECAD 9967 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1016 MOSFET (金属 o化物) 250MW SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 485mA,370mA 700MOHM @ 600mA,4.5V 1V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SIHP38N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp38n60e-ge3 6.6100
RFQ
ECAD 987 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 sihp38 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 43A(TC) 10V 65mohm @ 19a,10v 4V @ 250µA 183 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 100 V - 313W(TC)
IRF9Z20PBF Vishay Siliconix IRF9Z20PBF 1.9100
RFQ
ECAD 936 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF9Z20 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF9Z20PBF Ear99 8541.29.0095 50 P通道 50 V 9.7a(TC) 10V 280MOHM @ 5.6A,10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 480 pf @ 25 V - 40W(TC)
SI7445DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7445DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4828 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7445 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 12a(12a) 1.8V,4.5V 7.7MOHM @ 19a,4.5V 1V @ 250µA 140 NC @ 5 V ±8V - 1.9W(TA)
SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3 1.0900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB02 MOSFET (金属 o化物) 27W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 40V 30A(TC) 7.5MOHM @ 6A,10V 2.2V @ 250µA 32NC @ 10V 1700pf @ 20V -
SI4164DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4164DY-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4164 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 30A(TC) 4.5V,10V 3.2MOHM @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 3545 pf @ 15 V - (3w(ta),6w(tc)
SI4172DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4172DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4172 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 15A(TC) 4.5V,10V 12mohm @ 11a,10v 2.5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 15 V - 2.5W(ta),4.5W(TC)
VQ1004P-2 Vishay Siliconix VQ1004P-2 -
RFQ
ECAD 6690 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - - - VQ1004 - - - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - - 5V,10V - - ±20V - -
SI4634DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4634DY-T1-E3 1.7700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4634 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 24.5A(TC) 4.5V,10V 5.2MOHM @ 15A,10V 2.6V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 3150 pf @ 15 V - 2.5W(ta),5.7W(TC)
IRFR110TR Vishay Siliconix irfr110tr -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR110 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 4.3A(TC) 10V 540MOHM @ 2.6A,10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SI7440DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7440DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4673 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7440 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 12a(12a) 4.5V,10V 6.5MOHM @ 21a,10V 3V @ 250µA 35 NC @ 4.5 V ±20V - 1.9W(TA)
SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5943DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5943 MOSFET (金属 o化物) 8.3W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 6a 64mohm @ 3.6A,4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 8V 460pf @ 6V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库