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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF610LPBF	0.8511	RFQ	1779年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF610LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	（3w（ta），36w（tc）
IRF9630pbf	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9630pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF720STRL	-	RFQ	4420	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRF630STRRPBF	1.6900	RFQ	1169	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SI1902DL-T1-BE3	0.5200	RFQ	8948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	270MW（TA）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1902DL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	660ma（ta）		385MOHM @ 660mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		-	-
SI7218DN-T1-E3	-	RFQ	4083	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7218	MOSFET （金属 o化物）	23W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	24a		25mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		700pf @ 15V	-
SUP40N10-30-E3	-	RFQ	7971	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	40a（TC）	6V，10V	30mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），107W（tc）
SIA519EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA519	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4.5a		40mohm @ 4.2A，4.5V	1.4V @ 250µA	12nc @ 10V		350pf @ 10V	逻辑级别门
SISS23DN-T1-GE3	0.8600	RFQ	9786	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS23	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	50A（TC）	1.8V，4.5V	4.5mohm @ 20a，4.5V	900mv @ 250µA	300 NC @ 10 V	±8V	8840 pf @ 15 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI7423DN-T1-E3	1.5900	RFQ	725	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7423	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7.4a（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 11.7a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4320DY-T1-GE3	-	RFQ	7409	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4320	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 4.5 V	±20V	6500 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
irfr024pbf	1.2300	RFQ	7362	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI4632DY-T1-GE3	-	RFQ	3399	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4632	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±16V	11175 PF @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
irfu4105ztrr	-	RFQ	7684	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU4105	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRFI9540G	-	RFQ	6470	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9540G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	11A（TC）	10V	200mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SIA108DJ-T1-GE3	0.8800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	6.6a（ta），12a（tc）	7.5V，10V	38mohm @ 4a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	545 pf @ 40 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IRF9610SPBF	1.9500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	（3W）（TA），20W（20W）TC）
SI5419DU-T1-GE3	0.6200	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5419	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 6.6a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFIZ14GPBF	1.6400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ14GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	8A（TC）	10V	200mohm @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI4483DODY-T1-E3	-	RFQ	9257	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4483	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA		±25V		-	1.5W（TA）
irfr9120pbf-be3	0.8080	RFQ	2691	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irfr9120pbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHH068N60E-T1-GE3	8.1500	RFQ	7837	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH068	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	34A（TC）	10V	68mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	2650 pf @ 100 V	-	202W（TC）
IRFZ46L	-	RFQ	2315	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ46	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ46L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	50A（TC）	10V	24mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SI5857DU-T1-GE3	-	RFQ	7076	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5857	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	58MOHM @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±12V	480 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2.3W（TA），10.4W（TC）
IRFL014PBF	-	RFQ	2443	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	80		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQ7414AENW-T1_GE3	-	RFQ	3575	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQ7414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 8.7a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 30 V	-	62W（TC）
SI4620DY-T1-GE3	-	RFQ	7058	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4620	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6A（6A），7.5A（7.5A）（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	1040 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
IRF3205ZSTRL	-	RFQ	5016	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3205	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI4812BDY-T1-E3	-	RFQ	7036	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4812	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	16mohm @ 9.5a，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V		-	1.4W（TA）
SI3443BDV-T1-GE3	0.2588	RFQ	4809	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²