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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
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![]() | SIS782DN-T1-GE3 | 0.6400 | ![]() | 6553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SIS782 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 9.5mohm @ 10a,10v | 2.3V @ 250µA | 30.5 NC @ 10 V | ±20V | 1025 pf @ 15 V | ((() | 41W(TC) | ||||||
![]() | SIS932EDN-T1-GE3 | 0.6500 | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SIS932 | MOSFET (金属 o化物) | 2.6W(23w),23W(tc) | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 6A(TC) | 22mohm @ 10a,4.5V | 1.4V @ 250µA | 14NC @ 4.5V | 1000pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SI8900EDB-T2-E1 | - | ![]() | 7566 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-UFBGA,CSPBGA | SI8900 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 10-micro foot™CSP (2x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 20V | 5.4a | - | 1V @ 1.1mA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7880ADP-T1-GE3 | 2.0808 | ![]() | 4171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7880 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 3mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 5600 pf @ 15 V | - | 5.4W(ta),83W(tc) | |||||
![]() | SIE822DF-T1-GE3 | 2.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-Polarpak®(S) | SIE822 | MOSFET (金属 o化物) | 10-Polarpak®(S) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 3.4mohm @ 18.3a,10v | 3V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 4200 PF @ 10 V | - | 5.2W(ta),104W(tc) | |||||
![]() | SI1016X-T1-GE3 | 0.6600 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1016 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 485mA,370mA | 700MOHM @ 600mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.75nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
sihp38n60e-ge3 | 6.6100 | ![]() | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | sihp38 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 43A(TC) | 10V | 65mohm @ 19a,10v | 4V @ 250µA | 183 NC @ 10 V | ±30V | 3600 PF @ 100 V | - | 313W(TC) | ||||||
IRF9Z20PBF | 1.9100 | ![]() | 936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF9Z20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF9Z20PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 50 V | 9.7a(TC) | 10V | 280MOHM @ 5.6A,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 480 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||
![]() | SI7445DP-T1-E3 | - | ![]() | 4828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7445 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 12a(12a) | 1.8V,4.5V | 7.7MOHM @ 19a,4.5V | 1V @ 250µA | 140 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SQJB02ELP-T1_GE3 | 1.0900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB02 | MOSFET (金属 o化物) | 27W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 30A(TC) | 7.5MOHM @ 6A,10V | 2.2V @ 250µA | 32NC @ 10V | 1700pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SI4164DY-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4164 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 3.2MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 3545 pf @ 15 V | - | (3w(ta),6w(tc) | ||||
![]() | SI4172DY-T1-GE3 | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4172 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 15A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 820 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),4.5W(TC) | |||||
![]() | VQ1004P-2 | - | ![]() | 6690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | VQ1004 | - | - | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 5V,10V | - | - | ±20V | - | - | |||||||
![]() | SI4634DY-T1-E3 | 1.7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4634 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 24.5A(TC) | 4.5V,10V | 5.2MOHM @ 15A,10V | 2.6V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 3150 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),5.7W(TC) | |||||
![]() | irfr110tr | - | ![]() | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR110 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 4.3A(TC) | 10V | 540MOHM @ 2.6A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | ||||
![]() | SI7440DP-T1-E3 | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7440 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 21a,10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SUD40N08-16-E3 | 3.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 80 V | 40a(TC) | 10V | 16mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1960 pf @ 25 V | - | (3W)(136w(ta)(TC) | |||||
![]() | SI7964DP-T1-E3 | - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7964 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 6.1a | 23mohm @ 9.6a,10v | 4.5V @ 250µA | 65nc @ 10V | - | - | ||||||
![]() | SUM85N03-06P-E3 | - | ![]() | 8611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum85 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 30 V | 85A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 25 V | - | 3.75W(TA),100W(TC) | ||||
![]() | SQD50P04-09L_GE3 | 2.9100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SQD50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 40 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 9.4mohm @ 17a,10v | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 6675 PF @ 20 V | - | 136W(TC) | |||||
![]() | SUD06N10-225L-GE3 | - | ![]() | 7381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD06 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 200mohm @ 3a,10v | 3V @ 250µA | 4 NC @ 5 V | ±20V | 240 pf @ 25 V | - | 1.25W(TA),16.7W(tc) | ||||
![]() | SI4816BDY-T1-GE3 | 1.6400 | ![]() | 2261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4816 | MOSFET (金属 o化物) | 1W,1.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 5.8a,8.2a | 18.5mohm @ 6.8a,10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | IRF530STRL | - | ![]() | 3263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF530 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 14A(TC) | 10V | 160MOHM @ 8.4a,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),88W(TC) | ||||
![]() | IRFD113PBF | 2.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRFD113 | MOSFET (金属 o化物) | 4-HVMDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | n通道 | 60 V | 800mA(TC) | 10V | 800mohm @ 800mA,10v | 4V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ±20V | 200 pf @ 25 V | - | 1W(TC) | |||||
![]() | SIS780DN-T1-GE3 | 0.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SIS780 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 18A(TC) | 4.5V,10V | 13.5Mohm @ 15a,10v | 2.3V @ 250µA | 24.5 NC @ 10 V | ±20V | 722 PF @ 15 V | ((() | 27.7W(TC) | ||||||
![]() | SI2329DS-T1-GE3 | 0.5900 | ![]() | 6689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2329 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 6A(TC) | 1.2V,4.5V | 30mohm @ 5.3a,4.5V | 800MV @ 250µA | 29 NC @ 4.5 V | ±5V | 1485 pf @ 4 V | - | 2.5W(TC) | ||||
![]() | IRFL014 | - | ![]() | 9780 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IRFL014 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFL014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | n通道 | 60 V | 2.7A(TC) | 10V | 200mohm @ 1.6A,10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W(TA),3.1W(TC) | |||
SQJB42EP-T1_GE3 | 1.3100 | ![]() | 3852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB42 | MOSFET (金属 o化物) | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 30A(TC) | 9.5mohm @ 10a,10v | 3.5V @ 250µA | 30nc @ 10V | 1500pf @ 25V | - | ||||||||
![]() | IRFR9210TRLPBF | - | ![]() | 6808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 200 v | 1.9A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a,10v | 4V @ 250µA | 8.9 NC @ 10 V | ±20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SIHP25N50E-BE3 | 3.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 26a(TC) | 10V | 145mohm @ 12a,10v | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 1980 pf @ 100 V | - | 250W(TC) |
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