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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9Z34SPBF	2.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI2303BDS-T1-GE3	-	RFQ	9005	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.49a（ta）	4.5V，10V	200mohm @ 1.7A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
SI7117DN-T1-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7117	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	2.17A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），12.5W（tc）
IRFBF20SPBF	2.1000	RFQ	489	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBF20SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），54W（TC）
SIR873DP-T1-GE3	1.6300	RFQ	9322	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir873	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	37A（TC）	10V	47.5MOHM @ 10A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1805 PF @ 75 V	-	104W（TC）
IRFR9120TRR	-	RFQ	7685	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
sihu6n65e-ge3	0.7796	RFQ	6308	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	sihu6	MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SI4434DY-T1-GE3	3.0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4434	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	2.1a（ta）	6V，10V	155mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI4362BDY-T1-GE3	-	RFQ	9425	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4362	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	29A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 19.8a，10v	2V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±12V	4800 PF @ 15 V	-	（3W（ta），6.6W（TC）
IRFIB5N65APBF	4.3700	RFQ	968	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIB5N65APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	5.1A（TC）	10V	930mohm @ 3.1a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	60W（TC）
SI7485DP-T1-E3	-	RFQ	9839	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®SO-8	SI7485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12.5A（TA）		7.3mohm @ 20a，4.5V	900mv @ 1mA	150 NC @ 5 V			-
IRL640SPBF	2.3000	RFQ	155	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL640SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIHW47N60EF-GE3	6.4775	RFQ	9219	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	480		n通道	600 v	47A（TC）	10V	65MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±30V	4854 PF @ 100 V	-	379W（TC）
SQ2361AEES-T1_GE3	0.6700	RFQ	5979	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.8A（TC）	10V	170MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SI7615DN-T1-GE3	1.6300	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7615	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	1.5V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±12V	6000 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SQJ412EP-T2_GE3	0.7110	RFQ	5531	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ412	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ412EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	32A（TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 10.3A，10V	2.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5950 pf @ 20 V	-	83W（TC）
SI7909DN-T1-GE3	-	RFQ	2105	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7909	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	5.3a		37MOHM @ 7.7A，4.5V	1V @ 700µA	24nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFZ14S	-	RFQ	6398	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ14S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFB17N60KPBF	-	RFQ	6557	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB17N60KPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	17a（TC）	10V	420MOHM @ 10a，10v	5V @ 250µA	99 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	340W（TC）
SI7940DP-T1-GE3	-	RFQ	4799	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7940	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	7.6a		17mohm @ 11.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI5475DC-T1-GE3	-	RFQ	3540	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5475	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 5.5A，4.5V	450mv @ 1ma （最小）	29 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SIA914ADJ-T1-GE3	-	RFQ	9137	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA914	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a		43mohm @ 3.7A，4.5V	900mv @ 250µA	12.5nc @ 8v		470pf @ 10V	逻辑级别门
IRF9640L	-	RFQ	1852年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9640L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SI2323DS-T1-E3	0.7300	RFQ	4060	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2323	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3.7a（ta）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
IRFBC30ASTRLPBF	2.9100	RFQ	789	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRLI520G	-	RFQ	9045	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli520g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	7.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.3A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SUD40N02-3M3P-E3	-	RFQ	5722	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	24.4A（TA），40a tc）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6520 PF @ 10 V	-	3.3W（3），79w（tc）
SIJ450DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	1003	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	36a（36a），113a（tc（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	114 NC @ 10 V	+20V，-16V	5920 PF @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SIRA10BDP-T1-GE3	0.8400	RFQ	3794	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（30a）（60a）（60a）（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	36.2 NC @ 10 V	+20V，-16V	1710 PF @ 15 V	-	5W（5W），43W（tc）
SI6435ADQ-T1-GE3	-	RFQ	6063	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6435	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.7a（ta）		30mohm @ 5.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V			-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²