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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFL110	-	RFQ	1716年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL110	Ear99	8541.29.0095	80		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
irfp360pbf	5.0700	RFQ	22	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP360	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfp360pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	400 v	23A（TC）	10V	200mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI1551DL-T1-GE3	-	RFQ	5068	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1551	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	290mA，410mA		1.9OHM @ 290mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4973DY-T1-E3	-	RFQ	7928	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4973	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	5.8a		23mohm @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	56nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI2337DS-T1-GE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2337	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	2.2A（TC）	6V，10V	270MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 40 V	-	（760MW）（TA），2.5W（tc）
IRFR9110TRL	-	RFQ	6310	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF740APBF	2.7800	RFQ	674	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF740APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFP15N60LPBF	-	RFQ	8248	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP15	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP15N60LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	15A（TC）	10V	460MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	2720 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRL510L	-	RFQ	5364	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL510L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	-
SIHF7N60E-E3	2.4000	RFQ	6676	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF7N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	31W（TC）
IRFR9310TR	-	RFQ	9488	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRL520	-	RFQ	1668年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL520	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
VQ3001P-E3	-	RFQ	9429	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）		-	VQ3001	MOSFET （金属 o化物）	2W	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2n和2p通道		30V	850mA，600mA		1OHM @ 1A，12V	2.5V @ 1mA	-		110pf @ 15V	-
SIHP21N65EF-GE3	4.6600	RFQ	3994	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	2322 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRFPS40N60K	-	RFQ	6331	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS40	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	40a（TC）	10V	130MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±30V	7970 pf @ 25 V	-	570W（TC）
SQM120N04-1M7_GE3	2.1512	RFQ	7763	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SQM120N04-1M7-GE3	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.7MOHM @ 30a，10V	3.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	±20V	17350 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SQ2319ES-T1-GE3	-	RFQ	3302	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	4.6A（TC）		75MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V		620 pf @ 25 V	-
SI4490DY-T1-E3	2.2000	RFQ	5039	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4490	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	2.85a（ta）	6V，10V	80mohm @ 4A，10V	2V @ 250µA（）	42 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SQ4064EY-T1_GE3	1.0500	RFQ	12	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4064	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	19.8mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2096 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SI3424BDV-T1-E3	-	RFQ	4865	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±20V	735 pf @ 15 V	-	2.1W（2.1W），2.98W（TC）
SIA433EDJ-T1-GE3	0.7100	RFQ	9587	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA433	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	18mohm @ 7.6a，4.5V	1.2V @ 250µA	75 NC @ 8 V	±12V		-	3.5W（TA），19W（tc）
SUM120N04-1M7L-GE3	-	RFQ	2688	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±20V	11685 PF @ 20 V	-	375W（TC）
IRL3502L	-	RFQ	7954	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL3502	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3502L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	20 v	110A（TC）	4.5V，7V	7mohm @ 64a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	110 NC @ 4.5 V	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRLI620GPBF	-	RFQ	6358	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLI620GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	4A（TC）	4V，5V	800MOHM @ 2.4a，5V	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SI2312CDS-T1-GE3	0.4400	RFQ	158	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2312	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	31.8mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±8V	865 pf @ 10 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
SI7459DP-T1-E3	-	RFQ	1431	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7459	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	13A（TA）	10V	6.8mohm @ 22a，10v	3V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±25V		-	1.9W（TA）
IRF820STRLPBF	1.8600	RFQ	8744	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIR880DP-T1-GE3	2.7300	RFQ	8978	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI4404DY-T1-GE3	-	RFQ	6796	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4404	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
IRL530L	-	RFQ	1143	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRL530L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²