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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIA850DJ-T1-GE3	-	RFQ	1490	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA850	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	190 v	950mA（TC）	1.8V，4.5V	3.8OHM @ 360mA，4.5V	1.4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±16V	90 pf @ 100 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），7W（7W）（TC）
SI1473DH-T1-GE3	-	RFQ	9268	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1473	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	100mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 V	±20V	365 pf @ 15 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SQJ402EP-T1_GE3	1.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	32A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2289 PF @ 40 V	-	83W（TC）
SUM40012EL-GE3	2.7300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum40012	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.67MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	10930 PF @ 20 V	-	150W（TC）
IRF710	-	RFQ	9972	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF710	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SIS406DN-T1-GE3	0.8100	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS406	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±25V	1100 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
IRF624S	-	RFQ	8769	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF624S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI5944DU-T1-GE3	-	RFQ	5386	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5944	MOSFET （金属 o化物）	10W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	6a		112MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 250µA	6.6nc @ 10V		210pf @ 20V	逻辑级别门
SI2333DS-T1-GE3	0.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.1a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.3A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SI1471DH-T1-GE3	-	RFQ	8731	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1471	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	2.5V，10V	100mohm @ 2a，10v	1.6V @ 250µA	9.8 NC @ 4.5 V	±12V	445 pf @ 15 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SI2392DS-T1-GE3	-	RFQ	2699	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2392	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.1A（TC）	4.5V，10V	126mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SQD45P03-12_GE3	1.7700	RFQ	844	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD45	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	3495 pf @ 15 V	-	71W（TC）
SI7478DP-T1-GE3	2.8700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7478	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15A（TA）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SQ4431EY-T1_BE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10.8A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1265 pf @ 15 V	-	6W（TC）
IRLZ44STRRPBF	1.9156	RFQ	8315	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SIJ150DP-T1-GE3	1.2600	RFQ	9137	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJ150	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIJ150DP-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	30.9a（ta），110a（tc）	4.5V，10V	2.83mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	4000 pf @ 20 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
SISS05DN-T1-GE3	1.2600	RFQ	4007	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS05	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	29.4a（ta），108a （TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.2V @ 250µA	115 NC @ 10 V	+16V，-20V	4930 PF @ 15 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SQS840EN-T1_GE3	0.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS840	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1031 PF @ 20 V	-	33W（TC）
SI2312BDS-T1-BE3	0.5700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2312BDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 5A，4.5V	850mv @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V		-	750MW（TA）
IRFR214TRPBF-BE3	0.6159	RFQ	9943	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-IRFR214TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHH125N60EF-T1GE3	6.3400	RFQ	3	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH125	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	23A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±30V	1533 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIHH21N60E-T1-GE3	2.1785	RFQ	2605	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	20A（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±30V	2015 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SIHD690N60E-GE3	1.6400	RFQ	7382	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD690	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHD690N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	6.4A（TC）	10V	700MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	347 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SI1031X-T1-GE3	-	RFQ	5878	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1031	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	155ma（ta）	1.5V，4.5V	8ohm @ 150mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	300MW（TA）
SUM70030M-GE3	3.5300	RFQ	3959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	sum70030	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	150a（TC）		3.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	10870 pf @ 50 V	-	375W（TC）
SIHP14N50D-E3	2.9400	RFQ	3704	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP14N50DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI3850ADV-T1-E3	-	RFQ	9771	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3850	MOSFET （金属 o化物）	1.08W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水		20V	1.4a，960mA		300mohm @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4459ADY-T1-GE3	1.6000	RFQ	54	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4459	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	29A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI4214DDY-T1-E3	0.9600	RFQ	4356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4214	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8.5a		19.5mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
IRFL110	-	RFQ	1716年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL110	Ear99	8541.29.0095	80		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²