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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUP75N03-04-E3	-	RFQ	4619	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP75	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	10742 PF @ 25 V	-	3.7W（187W），187W（tc）
IRFR9210TR	-	RFQ	8672	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIS862ADN-T1-GE3	0.9700	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS862	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15.8A（TA），52A（tc）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1235 pf @ 30 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SQM60N06-15_GE3	2.6200	RFQ	8399	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	56A（TC）	10V	15mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2480 pf @ 25 V	-	107W（TC）
SI7872DP-T1-E3	-	RFQ	1557年	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7872	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	6.4a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRL530	-	RFQ	3872	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL530S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHP6N80E-GE3	1.1982	RFQ	5445	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	5.4A（TC）	10V	940MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	827 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SQM120P06-07L_GE3	3.6400	RFQ	2557	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	14280 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SI4829DY-T1-GE3	-	RFQ	7813	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4829	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	2A（TC）	2.5V，4.5V	215mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±12V	210 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
SI7326DN-T1-E3	0.9100	RFQ	6618	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7326	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±25V		-	1.5W（TA）
SIR802DP-T1-GE3	-	RFQ	9679	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir802	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	30A（TC）	2.5V，10V	5mohm @ 10a，10v	1.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±12V	1785 pf @ 10 V	-	4.6W（TA），27.7W（tc）
SI8445DB-T2-E1	-	RFQ	8227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8445	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9.8A（TC）	1.2V，4.5V	84mohm @ 1A，4.5V	850mv @ 250µA	16 NC @ 5 V	±5V	700 pf @ 10 V	-	1.8W（ta），11.4W（TC）
SIHJ240N60E-T1-GE3	2.8700	RFQ	8335	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIHJ240	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	240MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	783 PF @ 100 V	-	89W（TC）
SIHG33N60EF-GE3	6.7500	RFQ	500	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	33A（TC）	10V	98mohm @ 16.5a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±30V	3454 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SI7925DN-T1-GE3	-	RFQ	8830	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7925	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.8a		42MOHM @ 6.5A，4.5V	1V @ 250µA	12nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7445DP-T1-GE3	-	RFQ	8147	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7445	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12a（12a）	1.8V，4.5V	7.7MOHM @ 19a，4.5V	1V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±8V		-	1.9W（TA）
SI2312BDS-T1-GE3	0.5800	RFQ	8630	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2312	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 5A，4.5V	850mv @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V		-	750MW（TA）
SIA400EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	160	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA400	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	2.5V，4.5V	19mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±12V	1265 pf @ 15 V	-	19.2W（TC）
SI3443BDV-T1-BE3	0.6700	RFQ	2781	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	-		（1 （无限）		742-SI3443BDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
SIB4317EDK-T1-GE3	0.4500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIB4317EDK-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.3a（ta），4.5a tc（TC）	2.5V，10V	65mohm @ 3a，10v	1.3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±12V	600 pf @ 15 V	-	1.95W（ta），10W（10W）TC）
SISS05DN-T1-GE3	1.2600	RFQ	4007	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS05	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	29.4a（ta），108a （TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.2V @ 250µA	115 NC @ 10 V	+16V，-20V	4930 PF @ 15 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
IRLZ44STRRPBF	1.9156	RFQ	8315	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SQD45P03-12_GE3	1.7700	RFQ	844	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD45	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	3495 pf @ 15 V	-	71W（TC）
SI7478DP-T1-GE3	2.8700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7478	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15A（TA）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7156DP-T1-GE3	-	RFQ	8806	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7156	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRF9640LPBF	1.8213	RFQ	3806	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SIJ4106DP-T1-GE3	1.6900	RFQ	1999	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	15.8A（TA），59A （TC）	7.5V，10V	8.3mohm @ 15a，10v	3.8V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 50 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
IRFR120TRR	-	RFQ	5398	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIDR626EP-T1-RE3	3.3300	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	50.8A（ta），227a （TC）	7.5V，10V	1.74mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5130 PF @ 30 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SUD90330E-GE3	1.5800	RFQ	4299	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD90330	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	35.8A（TC）	7.5V，10V	37.5MOHM @ 12.2a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 100 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²