RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHF9Z24STRR-GE3	1.0800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHF9Z24STRR-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFDC20	-	RFQ	5440	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFDC20	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFDC20	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	320mA（TA）	10V	4.4OHM @ 190mA，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI7635DP-T1-GE3	-	RFQ	8467	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7635	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	40a（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 26a，10v	2.2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±16V	4595 pf @ 10 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
SIR696DP-T1-GE3	1.3600	RFQ	4035	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir696	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	125 v	60a（TC）	7.5V，10V	11.5MOHM @ 20A，10V	4.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1410 PF @ 75 V	-	104W（TC）
IRFR420Tr	-	RFQ	2389	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFI9630G	-	RFQ	2507	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9630G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	4.3A（TC）	10V	800MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SI1304BDL-T1-GE3	-	RFQ	3164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1304	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	900mA（TC）	2.5V，4.5V	270MOHM @ 900mA，4.5V	1.3V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	±12V	100 pf @ 15 V	-	340MW（TA），370MW（TC）
SIB419DK-T1-GE3	-	RFQ	5166	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB419	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	60mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	11.82 NC @ 5 V	±8V	562 PF @ 6 V	-	2.45W（TA），13.1W（tc）
SUD50P10-43-E3	-	RFQ	3794	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	38A（TC）	10V	43mohm @ 9.4a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 50 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
SI4176DY-T1-E3	-	RFQ	1880年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4176	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8.3a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
IRF840STRR	-	RFQ	3701	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRF730ASTRL	-	RFQ	8134	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF644SPBF	3.5900	RFQ	766	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF644SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SQM10250E_GE3	3.2100	RFQ	8409	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM10250	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	65A（TC）	7.5V，10V	30mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4050 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SIHA155N60EF-GE3	3.6600	RFQ	8042	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha155	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA155N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	89mohm @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SI7611DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	3561	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7611	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	18A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 9.3a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 20 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
TP0202K-T1-GE3	-	RFQ	2224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0202	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	385mA（ta）	4.5V，10V	1.4OHM @ 500mA，10V	3V @ 250µA	1 NC @ 10 V	±20V	31 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
IRF520pbf	1.1900	RFQ	6891	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF520pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SQP120P06-6M7L_GE3	-	RFQ	7565	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	SQP120			TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50				119a（TC）
IRFZ44STRR	-	RFQ	7485	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SIJ484DP-T1-GE3	-	RFQ	7114	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
irlz14strr	-	RFQ	2581	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	4V，5V	200mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFPC60	-	RFQ	4358	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFPC60	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	16A（TC）	10V	400MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SIHG47N60E-GE3	9.8400	RFQ	1313	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	47A（TC）	10V	64mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±30V	9620 PF @ 100 V	-	357W（TC）
SIS438DN-T1-GE3	0.8500	RFQ	67	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS438	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	16A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），27.7W（tc）
irfr020trl	-	RFQ	6218	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFR010TRLPBF	0.6218	RFQ	8020	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SI1403BDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.4a（ta）		150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	568MW（TA）
SI7888DP-T1-E3	-	RFQ	7782	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7888	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9.4A（TA）	4.5V，10V	12mohm @ 12.4a，10v	2V @ 250µA	10.5 NC @ 5 V	±12V		-	1.8W（TA）
SQ4937EY-T1_GE3	1.2300	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4937	MOSFET （金属 o化物）	3.3W	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	5A（TC）		75MOHM @ 3.9a，10V	2.5V @ 250µA	15nc @ 10V		480pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²