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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4953ADY-T1-E3	-	RFQ	1222	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4953	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	3.7a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	25nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI4472DY-T1-GE3	-	RFQ	5108	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4472	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	7.7A（TC）	8V，10V	45mohm @ 5a，10v	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1735 PF @ 50 V	-	3.1W（TA），5.9W（TC）
IRL620SPBF	2.1300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL620SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）	4V，10V	800MOHM @ 3.1A，10V	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SQJQ402E-T1_GE3	2.8400	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 20 V	-	150W（TC）
SIB411DK-T1-GE3	-	RFQ	4675	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	66mohm @ 3.3a，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	±8V	470 pf @ 10 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SI7491DP-T1-E3	-	RFQ	6283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7491	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 18A，10V	3V @ 250µA	85 NC @ 5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI4166DY-T1-GE3	1.4600	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4166	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	30.5A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 15 V	-	（3W）（6.5W（ta）（TC）
SI3443BDV-T1-BE3	0.6700	RFQ	2781	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	-		（1 （无限）		742-SI3443BDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
SIHG052N60EF-GE3	6.7400	RFQ	28	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG052	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	48A（TC）	10V	52MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±30V	3380 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SUD23N06-31L-T4-E3	0.9800	RFQ	4866	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD23	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
SI4354DY-T1-E3	-	RFQ	4280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4354	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 9.5A，10V	1.6V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IRFI9530G	-	RFQ	3483	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9530G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	7.7A（TC）	10V	300MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI3993DV-T1-GE3	-	RFQ	8347	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3993	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	1.8a		133mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI1073X-T1-E3	-	RFQ	9096	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1073	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	980mA（ta）	4.5V，10V	173MOHM @ 980mA，10V	3V @ 250µA	9.45 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SIR882DP-T1-GE3	2.5100	RFQ	2649	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir882	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	1930 pf @ 50 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI1035X-T1-GE3	0.4600	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1035	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	180mA，145mA		5ohm @ 200ma，4.5V	400mv @ 250µA（250µA））	0.75nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI3493BDV-T1-GE3	0.9600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3493	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	27.5mohm @ 7A，4.5V	900mv @ 250µA	43.5 NC @ 5 V	±8V	1805 PF @ 10 V	-	2.08W（TA），2.97W（tc）
SIR180ADP-T1-RE3	1.9300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir180	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	35A（TA），137a （TC）	7.5V，10V	2.2MOHM @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3280 pf @ 30 V	-	5.4W（ta），83.3W（tc）
SIRA18DP-T1-GE3	0.6300	RFQ	911	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	33A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.3W（TA），14.7W（TC）
SI7149DP-T1-GE3	1.5800	RFQ	30	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7149	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	147 NC @ 10 V	±25V	4590 pf @ 15 V	-	69W（TC）
SI4456DY-T1-GE3	1.2758	RFQ	5606	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4456	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	33A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	5670 pf @ 20 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SUM80090E-GE3	3.0600	RFQ	4696	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum80090	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	128a（TC）	7.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3425 PF @ 75 V	-	375W（TC）
SIHH21N60EF-T1-GE3	5.6900	RFQ	26	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	2035 PF @ 100 V	-	174W（TC）
SI7156DP-T1-GE3	-	RFQ	8806	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7156	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIA400EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	160	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA400	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	2.5V，4.5V	19mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±12V	1265 pf @ 15 V	-	19.2W（TC）
SIB4317EDK-T1-GE3	0.4500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIB4317EDK-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.3a（ta），4.5a tc（TC）	2.5V，10V	65mohm @ 3a，10v	1.3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±12V	600 pf @ 15 V	-	1.95W（ta），10W（10W）TC）
IRF9640LPBF	1.8213	RFQ	3806	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SIHG61N65EF-GE3	9.2872	RFQ	5411	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG61	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	64A（TC）	10V	47MOHM @ 30.5A，10V	4V @ 250µA	371 NC @ 10 V	±30V	7407 PF @ 100 V	-	520W（TC）
IRLR014TRLPBF	0.6218	RFQ	3285	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQD100N03-3M2L_GE3	1.8700	RFQ	7112	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±20V	6316 pf @ 15 V	-	136W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²