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晶体管（（5716）

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IRLR120Tr	-	RFQ	6630	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFP240	-	RFQ	4518	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP240	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP240	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	200 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIB417DK-T1-GE3	-	RFQ	7334	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB417	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	9A（TC）	1.2V，4.5V	52MOHM @ 5.6A，4.5V	1V @ 250µA	12.75 NC @ 5 V	±5V	675 pf @ 4 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SI1012X-T1-E3	-	RFQ	4468	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1012	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
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SI8410DB-T2-E1	1.0700	RFQ	8575	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8410	MOSFET （金属 o化物）		4- 微脚（（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	3.8A（TA）	1.5V，4.5V	37MOHM @ 1.5A，4.5V	850mv @ 250µA	16 NC @ 8 V	±8V	620 pf @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
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SI7234DP-T1-GE3	2.9500	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7234	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	60a		3.4mohm @ 20a，4.5V	1.5V @ 250µA	120nc @ 10V		5000pf @ 6V	-
SIRA54ADP-T1-RE3	1.9300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira54	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	36.2a（ta），128a tc）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	3850 pf @ 20 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
SQS481ENW-T1_GE3	0.8800	RFQ	2849	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS481	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	4.7A（TC）	10V	1.095Ohm @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	385 pf @ 75 V	-	62.5W（TC）
SI1469DH-T1-E3	0.6300	RFQ	397	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1469	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	2.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	1.5V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SI4156DY-T1-GE3	0.9400	RFQ	2125	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4156	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15.7a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），6W（（ta）
SI5446DU-T1-GE3	-	RFQ	8368	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5446	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®芯片单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	+20V，-16V	1610 PF @ 15 V	-	31W（TC）
IRF830	-	RFQ	3599	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI4910DY-T1-GE3	-	RFQ	4447	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4910	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	7.6a		27mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	32NC @ 10V		855pf @ 20V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²