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![]() | SI5853DC-T1-E3 | - | ![]() | 2132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5853 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.7a(ta) | 1.8V,4.5V | 110MOHM @ 2.7a,4.5V | 1V @ 250µA | 7.7 NC @ 4.5 V | ±8V | Schottky 二极管(孤立) | 1.1W(TA) | |||||
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![]() | IRF9510STRL | - | ![]() | 3181 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF9510 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 100 v | 4A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 2.4a,10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 V | ±20V | 200 pf @ 25 V | - | 3.7W(ta),43W(tc) | ||||
![]() | SQA410EJ-T1_GE3 | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SQA410 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SC-70-6单 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 7.8A(TC) | 1.8V,4.5V | 28mohm @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 V | ±8V | 485 pf @ 10 V | - | 13.6W(TC) | |||||
![]() | IRFP064 | - | ![]() | 8194 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP064 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFP064 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 70A(TC) | 10V | 9mohm @ 78a,10v | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 7400 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||
![]() | SI4438DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4438 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 36a(TC) | 4.5V,10V | 2.7MOHM @ 20A,10V | 2.6V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ±20V | 4645 pf @ 15 V | - | 3.5W(TA),7.8W(TC) | ||||
![]() | SIHP120N60E-GE3 | 5.1500 | ![]() | 5003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 120mohm @ 12a,10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 1562 PF @ 100 V | - | 179W(TC) | |||||
![]() | SI7455DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7455 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 80 V | 28a(TC) | 6V,10V | 25mohm @ 10.5a,10v | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 5160 pf @ 40 V | - | 5.2W(ta),83.3W(tc) | |||||
![]() | IRF9Z14STRR | - | ![]() | 7722 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF9Z14 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 60 V | 6.7A(TC) | 10V | 500MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W(ta),43W(tc) | |||||
![]() | SMMB911DK-T1-GE3 | - | ![]() | 4892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-75-6L双重 | SMMB911 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | POWERPAK®SC-75-6L双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 2.6a | 295MOHM @ 1.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 4NC @ 8V | 115pf @ 10V | - | ||||||
![]() | SIR496DP-T1-GE3 | - | ![]() | 1401 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir496 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 35A(TC) | 4.5V,10V | 4.5MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1570 pf @ 10 V | - | 5W(5W),27.7W(TC) | ||||
![]() | SQJ840EP-T1_GE3 | 0.7329 | ![]() | 6983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ840 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 9.3MOHM @ 10.3a,10V | 2.2V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1900 pf @ 15 V | - | 46W(TC) | |||||
![]() | SUD19P06-60-E3 | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD19 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 60 V | 18.3a(TC) | 4.5V,10V | 60mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1710 PF @ 25 V | - | 2.3W(TA),38.5W(tc) | |||||
![]() | SQS484ENW-T1_GE3 | 0.9400 | ![]() | 7656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SQS484 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 8mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 25 V | - | 62.5W(TC) | |||||
![]() | SI4953ADY-T1-E3 | - | ![]() | 1222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4953 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 3.7a | 53MOHM @ 4.9A,10V | 1V @ 250µA(250µA) | 25nc @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI4472DY-T1-GE3 | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4472 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 7.7A(TC) | 8V,10V | 45mohm @ 5a,10v | 4.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 1735 PF @ 50 V | - | 3.1W(TA),5.9W(TC) | |||||
![]() | IRL620SPBF | 2.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRL620 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRL620SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 5.2A(TC) | 4V,10V | 800MOHM @ 3.1A,10V | 2V @ 250µA | 16 NC @ 5 V | ±10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),50W(TC) | ||||
![]() | SQJQ402E-T1_GE3 | 2.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®8X8 | SQJQ402 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 200a(TC) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ±20V | 13500 PF @ 20 V | - | 150W(TC) | ||||||
![]() | SIB411DK-T1-GE3 | - | ![]() | 4675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-75-6 | SIB411 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-75-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 9A(TC) | 1.8V,4.5V | 66mohm @ 3.3a,4.5V | 1V @ 250µA | 15 NC @ 8 V | ±8V | 470 pf @ 10 V | - | 2.4W(TA),13W(tc) |
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