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![]() | IRL520STRR | - | ![]() | 1731年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRL520 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 9.2A(TC) | 4V,5V | 270MOHM @ 5.5A,5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 V | ±10V | 490 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),60W(TC) | |||||
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![]() | SI7454DDP-T1-GE3 | 1.5600 | ![]() | 7412 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7454 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 21a(TC) | 4.5V,10V | 33mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 19.5 NC @ 10 V | ±20V | 550 pf @ 50 V | - | 4.1W(ta),29.7W(TC) | |||||
![]() | SIDR680ADP-T1-RE3 | 2.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SIDR680 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SO-8DC | - | (1 (无限) | 742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 30.7a(TA),137A (TC) | 7.5V,10V | 2.88mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 83 NC @ 10 V | ±20V | 4415 PF @ 40 V | - | 6.25W(TA),125W((((((((((( | |||||
![]() | SUB75P03-07-E3 | - | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Sub75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 30 V | 75A(TC) | 4.5V,10V | 7mohm @ 30a,10v | 3V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 9000 PF @ 25 V | - | 3.75W(ta),187W(tc) | ||||
![]() | SIS903DN-T1-GE3 | 0.9800 | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®GenIII | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SIS903 | MOSFET (金属 o化物) | 2.6W(23w),23W(tc) | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 6A(TC) | 20.1MOHM @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2565pf @ 10V | - | |||||||
![]() | SQ2308CES-T1_BE3 | 0.6700 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2308 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | - | (1 (无限) | 742-SQ2308CES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.3a(TC) | 4.5V,10V | 150MOHM @ 2.3a,10V | 2.5V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 V | ±20V | 205 pf @ 30 V | - | 2W(TC) | |||||
![]() | SI7212DN-T1-GE3 | 1.5600 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7212 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a,10v | 1.6V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SIHB12N60ET1-GE3 | 1.2311 | ![]() | 9789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB12 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 10V | 380MOHM @ 6A,10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±30V | 937 PF @ 100 V | - | 147W(TC) | ||||||
![]() | SIJ4106DP-T1-GE3 | 1.6900 | ![]() | 1999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 15.8A(TA),59A (TC) | 7.5V,10V | 8.3mohm @ 15a,10v | 3.8V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 3610 PF @ 50 V | - | 5W(5W),69.4W(TC) | ||||||
![]() | SI7904BDN-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 8098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7904 | MOSFET (金属 o化物) | 17.8W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 6a | 30mohm @ 7.1a,4.5V | 1V @ 250µA | 24nc @ 8v | 860pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SIHA180N60E-GE3 | 1.7331 | ![]() | 1923年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHA180 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 19a(tc) | 10V | 180MOHM @ 9.5A,10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1085 pf @ 100 V | - | 33W(TC) | |||||
![]() | irfr024pbf | 1.2300 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR024 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 60 V | 14A(TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||||
![]() | SI4483DODY-T1-E3 | - | ![]() | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4483 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 10a(10a) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 14a,10v | 3V @ 250µA | ±25V | - | 1.5W(TA) | ||||||
SQJ974EP-T1_GE3 | 1.4100 | ![]() | 6374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ974 | MOSFET (金属 o化物) | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 100V | 30A(TC) | 25.5mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 30nc @ 10V | 1050pf @ 25V | - | ||||||||
![]() | SIR474DP-T1-RE3 | 0.3517 | ![]() | 5084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir474 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(TC) | 4.5V,10V | 9.5mohm @ 10a,10v | 2.2V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 985 pf @ 15 V | - | 29.8W(TC) |
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