RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHP120N60E-GE3	5.1500	RFQ	5003	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	25A（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1562 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SUM110N06-3M9H-E3	-	RFQ	8595	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	110A（TC）	10V	3.9mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	15800 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）
SI1471DH-T1-GE3	-	RFQ	8731	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1471	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	2.5V，10V	100mohm @ 2a，10v	1.6V @ 250µA	9.8 NC @ 4.5 V	±12V	445 pf @ 15 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SI2392DS-T1-GE3	-	RFQ	2699	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2392	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.1A（TC）	4.5V，10V	126mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SIE812DF-T1-GE3	3.4500	RFQ	275	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE812	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	8300 PF @ 20 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI2367DS-T1-GE3	0.4100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2367	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.8A（TC）	1.8V，4.5V	66mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	23 NC @ 8 V	±8V	561 PF @ 10 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
SIHH21N60E-T1-GE3	2.1785	RFQ	2605	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	20A（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±30V	2015 PF @ 100 V	-	104W（TC）
IRFBC30ASTRRPBF	-	RFQ	4896	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI1031X-T1-GE3	-	RFQ	5878	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1031	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	155ma（ta）	1.5V，4.5V	8ohm @ 150mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	300MW（TA）
SQ4431EY-T1_BE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10.8A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1265 pf @ 15 V	-	6W（TC）
IRFR214TRPBF-BE3	0.6159	RFQ	9943	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-IRFR214TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI2312BDS-T1-BE3	0.5700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2312BDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 5A，4.5V	850mv @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V		-	750MW（TA）
SIHP7N60E-E3	1.0277	RFQ	3636	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SQS840EN-T1_GE3	0.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS840	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1031 PF @ 20 V	-	33W（TC）
2N4858JTX02	-	RFQ	2592	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4858			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SI2347DS-T1-GE3	0.4300	RFQ	246	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2347	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	705 pf @ 15 V	-	1.7W（TC）
SI4505DY-T1-E3	-	RFQ	4440	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4505	MOSFET （金属 o化物）	1.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V，8V	6a，3.8a		18mohm @ 7.8a，10v	1.8V @ 250µA	20nc @ 5V		-	逻辑级别门
SIS478DN-T1-GE3	-	RFQ	2526	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS478	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±25V	398 pf @ 15 V	-	15.6W（TC）
SI7186DP-T1-GE3	-	RFQ	2518	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7186	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	32A（TC）	10V	12.5mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 40 V	-	5.2W（ta），64W（tc）
SIA778DJ-T1-GE3	-	RFQ	2484	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA778	MOSFET （金属 o化物）	6.5W，5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V，20V	4.5a，1.5a		29mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		500pf @ 6V	逻辑级别门
SUD42N03-3M9P-GE3	-	RFQ	1701	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD42	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	42A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3535 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），73.5W（tc）
SI4836DY-T1-E3	-	RFQ	1219	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4836	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	17A（TA）	1.8V，4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	400mv @ 250µA（250µA））	75 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SQJ260EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ260	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC），48W（tc）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	20A（TC），54A （TC）		19mohm @ 6a，10v，8.5Mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V，40NC @ 10V		1100pf @ 25V，2500pf @ 25V	-
SIHG052N60EF-GE3	6.7400	RFQ	28	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG052	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	48A（TC）	10V	52MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±30V	3380 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SI4354DY-T1-E3	-	RFQ	4280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4354	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 9.5A，10V	1.6V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	2.5W（TA）
SI4559ADY-T1-GE3	1.5800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4559	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	5.3a，3.9a		58mohm @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		665pf @ 15V	逻辑级别门
IRFI9530G	-	RFQ	3483	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9530G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	7.7A（TC）	10V	300MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI1035X-T1-GE3	0.4600	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1035	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	180mA，145mA		5ohm @ 200ma，4.5V	400mv @ 250µA（250µA））	0.75nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI3493BDV-T1-GE3	0.9600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3493	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	27.5mohm @ 7A，4.5V	900mv @ 250µA	43.5 NC @ 5 V	±8V	1805 PF @ 10 V	-	2.08W（TA），2.97W（tc）
SIR180ADP-T1-RE3	1.9300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir180	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	35A（TA），137a （TC）	7.5V，10V	2.2MOHM @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3280 pf @ 30 V	-	5.4W（ta），83.3W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²