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![]() | SIR800DP-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir800 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 50A(TC) | 2.5V,10V | 2.3MOHM @ 15A,10V | 1.5V @ 250µA | 133 NC @ 10 V | ±12V | 5125 pf @ 10 V | - | 5.2W(ta),69w(tc) | |||||
![]() | irll110pbf | - | ![]() | 5074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IRLL110 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | n通道 | 100 v | 1.5A(TC) | 4V,5V | 540MOHM @ 900mA,5V | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ±10V | 250 pf @ 25 V | - | 2W(TA),3.1W(TC) | |||||
![]() | SI4963BDY-T1-E3 | 1.5100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4963 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 20V | 4.9a | 32MOHM @ 6.5A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 21nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
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![]() | SIZ322DT-T1-GE3 | 0.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ322 | MOSFET (金属 o化物) | 16.7W(TC) | 8-Power33(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 25V | 30A(TC) | 6.35mohm @ 15a,10v | 2.4V @ 250µA | 20.1nc @ 10V | 950pf @ 12.5V | - | |||||||
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![]() | IRLD014 | - | ![]() | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRLD014 | MOSFET (金属 o化物) | 4-HVMDIP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRLD014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 1.7A(TA) | 4V,5V | 200mohm @ 1A,5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 V | ±10V | 400 pf @ 25 V | - | 1.3W(TA) | |||
![]() | SIHD14N60ET5-GE3 | 2.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 13A(TC) | 10V | 309MOHM @ 7A,10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W(TC) | |||||||
![]() | IRFP22N60KPBF | 8.1300 | ![]() | 5432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFP22N60KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 10V | 280MOHM @ 13A,10V | 5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 3570 pf @ 25 V | - | 370W(TC) | ||||
![]() | SI4904DY-T1-GE3 | 2.2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4904 | MOSFET (金属 o化物) | 3.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 40V | 8a | 16mohm @ 5A,10V | 2V @ 250µA | 85nc @ 10V | 2390pf @ 20V | - | |||||||
SI5401DC-T1-E3 | - | ![]() | 5603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5401 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 5.2a(ta) | 1.8V,4.5V | 32MOHM @ 5.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W(TA) | ||||||
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![]() | IRF9540STRR | - | ![]() | 2977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | IRF9540 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 100 v | 19a(tc) | 10V | 200mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),150W(tc) | |||||
![]() | SI4936ADY-T1-E3 | 1.9800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4936 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 4.4a | 36mohm @ 5.9a,10v | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI4776DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4776 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11.9a(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 10a,10v | 2.3V @ 1mA | 17.5 NC @ 10 V | ±20V | 521 PF @ 15 V | - | 4.1W(TC) | |||||
![]() | SQJA82EP-T1_BE3 | 1.1900 | ![]() | 1790年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | 742-SQJA82EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 8.2MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | ||||||
![]() | SISB46DN-T1-GE3 | 0.8900 | ![]() | 2041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SISB46 | MOSFET (金属 o化物) | 23W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 34A(TC) | 11.71MOHM @ 5A,10V | 2.2V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | 1100pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SQP25N15-52_GE3 | - | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SQP25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 150 v | 25A(TC) | 10V | 52MOHM @ 15A,10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2360 pf @ 25 V | - | 107W(TC) | ||||||
![]() | SIS496EDNT-T1-GE3 | - | ![]() | 9544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SIS496 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 4.8mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1515 PF @ 15 V | - | 52W(TC) | ||||||
![]() | 2N6660JTX02 | - | ![]() | 3876 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N6660 | MOSFET (金属 o化物) | TO-205AD(TO-39) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 60 V | 990mA(tc) | 5V,10V | 3ohm @ 1a,10v | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | (725MW)(6.25W)TC) | |||||
![]() | IRL540S | - | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | IRL540 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRL540S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 28a(TC) | 4V,5V | 77mohm @ 17a,5v | 2V @ 250µA | 64 NC @ 5 V | ±10V | 2200 PF @ 25 V | - | 3.7W(TA),150W(tc) | |||
![]() | SIHF15N60E-E3 | 3.0900 | ![]() | 6785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHF15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHF15N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 280MOHM @ 8A,10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±30V | 1350 pf @ 100 V | - | 34W(TC) | ||||
![]() | irfibe20g | - | ![]() | 5236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | Irfibe20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *irfibe20g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 1.4A(TC) | 10V | 6.5OHM @ 840mA,10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 530 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||
IRF840APBF | 1.9400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF840 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF840APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 8A(TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8A,10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1018 PF @ 25 V | - | 125W(TC) | |||||
![]() | SI5406DC-T1-GE3 | - | ![]() | 7272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5406 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 12 v | 6.9a(ta) | 2.5V,4.5V | 20mohm @ 6.9a,4.5V | 600mv @ 1.2mA (最小) | 20 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W(TA) | |||||
![]() | SI3451DV-T1-E3 | - | ![]() | 5718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3451 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.8A(TC) | 2.5V,4.5V | 115MOHM @ 2.6a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.1 NC @ 5 V | ±12V | 250 pf @ 10 V | - | 1.25W(TA),2.1W(TC) | ||||
![]() | SIA450DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA450 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 240 v | 1.52A(TC) | 2.5V,10V | 2.9ohm @ 700mA,10v | 2.4V @ 250µA | 7.04 NC @ 10 V | ±20V | 167 PF @ 120 V | - | 3.3W(TA),15W(tc) | ||||
![]() | SIHH26N60EF-T1-GE3 | 6.7000 | ![]() | 5851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH26 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 141MOHM @ 13A,10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 2744 PF @ 100 V | - | 202W(TC) |
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