SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix SQM50P08-25L_GE3 2.6100
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB SQM50 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 P通道 80 V 50A(TC) 4.5V,10V 25mohm @ 12.5a,10v 2.5V @ 250µA 137 NC @ 10 V ±20V 5350 pf @ 25 V - 150W(TC)
IRFR320TR Vishay Siliconix IRFR320Tr -
RFQ
ECAD 9434 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR320 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 400 v 3.1A(TC) 10V 1.8OHM @ 1.9a,10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR800DP-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir800 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 50A(TC) 2.5V,10V 2.3MOHM @ 15A,10V 1.5V @ 250µA 133 NC @ 10 V ±12V 5125 pf @ 10 V - 5.2W(ta),69w(tc)
IRLL110PBF Vishay Siliconix irll110pbf -
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA IRLL110 MOSFET (金属 o化物) SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 80 n通道 100 v 1.5A(TC) 4V,5V 540MOHM @ 900mA,5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 V ±10V 250 pf @ 25 V - 2W(TA),3.1W(TC)
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-E3 1.5100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4963 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 20V 4.9a 32MOHM @ 6.5A,4.5V 1.4V @ 250µA 21nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SIHFS9N60A-GE3 Vishay Siliconix SIHFS9N60A-GE3 1.0521
RFQ
ECAD 4472 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB SIHFS9 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 9.2A(TC) 10V 750MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 170W(TC)
SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ322DT-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn SIZ322 MOSFET (金属 o化物) 16.7W(TC) 8-Power33(3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 25V 30A(TC) 6.35mohm @ 15a,10v 2.4V @ 250µA 20.1nc @ 10V 950pf @ 12.5V -
IRFP254NPBF Vishay Siliconix IRFP254NPBF -
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP254 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFP254NPBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 250 v 23A(TC) 10V 125mohm @ 14a,10v 4V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 2040 pf @ 25 V - 220W(TC)
IRLD014 Vishay Siliconix IRLD014 -
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) IRLD014 MOSFET (金属 o化物) 4-HVMDIP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRLD014 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 1.7A(TA) 4V,5V 200mohm @ 1A,5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 V ±10V 400 pf @ 25 V - 1.3W(TA)
SIHD14N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHD14N60ET5-GE3 2.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix e 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 13A(TC) 10V 309MOHM @ 7A,10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±30V 1205 pf @ 100 V - 147W(TC)
IRFP22N60KPBF Vishay Siliconix IRFP22N60KPBF 8.1300
RFQ
ECAD 5432 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP22 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFP22N60KPBF Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 22a(TC) 10V 280MOHM @ 13A,10V 5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±30V 3570 pf @ 25 V - 370W(TC)
SI4904DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4904DY-T1-GE3 2.2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4904 MOSFET (金属 o化物) 3.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 40V 8a 16mohm @ 5A,10V 2V @ 250µA 85nc @ 10V 2390pf @ 20V -
SI5401DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5401DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5603 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5401 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 5.2a(ta) 1.8V,4.5V 32MOHM @ 5.2A,4.5V 1V @ 250µA 25 NC @ 4.5 V ±8V - 1.3W(TA)
SQJA82EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA82EP-T1_GE3 1.1900
RFQ
ECAD 3840 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJA82 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 60a(TC) 4.5V,10V 8.2MOHM @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 68W(TC)
IRF9540STRR Vishay Siliconix IRF9540STRR -
RFQ
ECAD 2977 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB IRF9540 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 P通道 100 v 19a(tc) 10V 200mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 3.7W(TA),150W(tc)
SI4936ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4936ADY-T1-E3 1.9800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4936 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 4.4a 36mohm @ 5.9a,10v 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 逻辑级别门
SI4776DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7708 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜150°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4776 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11.9a(TC) 4.5V,10V 16mohm @ 10a,10v 2.3V @ 1mA 17.5 NC @ 10 V ±20V 521 PF @ 15 V - 4.1W(TC)
SQJA82EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA82EP-T1_BE3 1.1900
RFQ
ECAD 1790年 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 (1 (无限) 742-SQJA82EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 60a(TC) 4.5V,10V 8.2MOHM @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 68W(TC)
SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISB46DN-T1-GE3 0.8900
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®1212-8 SISB46 MOSFET (金属 o化物) 23W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 40V 34A(TC) 11.71MOHM @ 5A,10V 2.2V @ 250µA 11NC @ 4.5V 1100pf @ 20V -
SQP25N15-52_GE3 Vishay Siliconix SQP25N15-52_GE3 -
RFQ
ECAD 4977 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SQP25 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 500 n通道 150 v 25A(TC) 10V 52MOHM @ 15A,10V 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2360 pf @ 25 V - 107W(TC)
SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS496EDNT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SIS496 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 50A(TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 1515 PF @ 15 V - 52W(TC)
2N6660JTX02 Vishay Siliconix 2N6660JTX02 -
RFQ
ECAD 3876 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N6660 MOSFET (金属 o化物) TO-205AD(TO-39) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 60 V 990mA(tc) 5V,10V 3ohm @ 1a,10v 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - (725MW)(6.25W)TC)
IRL540S Vishay Siliconix IRL540S -
RFQ
ECAD 8463 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB IRL540 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRL540S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 28a(TC) 4V,5V 77mohm @ 17a,5v 2V @ 250µA 64 NC @ 5 V ±10V 2200 PF @ 25 V - 3.7W(TA),150W(tc)
SIHF15N60E-E3 Vishay Siliconix SIHF15N60E-E3 3.0900
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Vishay Siliconix e 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SIHF15 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) SIHF15N60EE3 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 15A(TC) 10V 280MOHM @ 8A,10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 100 V - 34W(TC)
IRFIBE20G Vishay Siliconix irfibe20g -
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 Irfibe20 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *irfibe20g Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 1.4A(TC) 10V 6.5OHM @ 840mA,10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 530 pf @ 25 V - 30W(TC)
IRF840APBF Vishay Siliconix IRF840APBF 1.9400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF840 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF840APBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 8A(TC) 10V 850MOHM @ 4.8A,10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1018 PF @ 25 V - 125W(TC)
SI5406DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5406DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7272 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5406 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 12 v 6.9a(ta) 2.5V,4.5V 20mohm @ 6.9a,4.5V 600mv @ 1.2mA (最小) 20 NC @ 4.5 V ±8V - 1.3W(TA)
SI3451DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3451DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3451 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2.8A(TC) 2.5V,4.5V 115MOHM @ 2.6a,4.5V 1.5V @ 250µA 5.1 NC @ 5 V ±12V 250 pf @ 10 V - 1.25W(TA),2.1W(TC)
SIA450DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA450DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9361 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®Sc-70-6 SIA450 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®Sc-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 240 v 1.52A(TC) 2.5V,10V 2.9ohm @ 700mA,10v 2.4V @ 250µA 7.04 NC @ 10 V ±20V 167 PF @ 120 V - 3.3W(TA),15W(tc)
SIHH26N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH26N60EF-T1-GE3 6.7000
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN SIHH26 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®8X8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 24A(TC) 10V 141MOHM @ 13A,10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±30V 2744 PF @ 100 V - 202W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库