晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id
SQJA84EP-T1_BE3	1.2100	询价	9608	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8 双	下载		1（无限制）		742-SQJA84EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	46A（温度）	4.5V、10V	12.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	35nC@10V	±20V	2100pF@25V	-	55W（温度）
SI2328DS-T1-BE3	0.8600	询价	7496	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）		742-SI2328DS-T1-BE3DKR	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	100伏	1.15A（塔）	10V	250mOhm@1.5A，10V	4V@250μA	5nC@10V	±20V		-	730毫W（塔）
SI7344DP-T1-E3	-	询价	9320	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7344	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	11A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@17A，10V	2.1V@250μA	15nC@4.5V	±20V		-	1.8W（塔）
SI7404DN-T1-E3	-	询价	7311	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7404	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	8.5A（塔）	2.5V、10V	13毫欧@13.3A，10V	1.5V@250μA	30nC@4.5V	±12V		-	1.5W（塔）
SIDR220EP-T1-RE3	3.3600	询价	6	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8DC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	92.8A（Ta）、415A（Tc）	4.5V、10V	0.58毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	200nC@10V	+16V，-12V	10V时为10850pF	-	6.25W（Ta）、415W（Tc）
SIHB21N65EF-GE3	5.0800	询价	第351章	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB21	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	21A（温度）	10V	180毫欧@11A，10V	4V@250μA	10V时为106nC	±30V	100V时为2322pF	-	208W（温度）
SIHF9620S-GE3	1.0500	询价	1	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）		742-SIHF9620S-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	200V	3.5A（温度）	10V	1.5欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	350pF@25V	-	40W（温度）
SQJ460AEP-T2_GE3	0.5433	询价	3105	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ460	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQJ460AEP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	58A（温度）	4.5V、10V	8.7毫欧@10.7A，10V	2.5V@250μA	10V时为106nC	±20V	2654pF@30V	-	68W（温度）
SIA477EDJT-T1-GE3	0.4800	询价	7823	威世硅科	TrenchFET® 第三代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航477	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6 单	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	12A（温度）	1.8V、4.5V	13毫欧@5A，4.5V	1V@250μA	50nC@4.5V	±8V	3050pF@6V	-	19W（温度）
SI3447BDV-T1-E3	-	询价	9859	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3447	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	4.5A（塔）	1.8V、4.5V	40毫欧@6A，4.5V	1V@250μA	14nC@4.5V	±8V		-	1.1W（塔）
SIA462DJ-T4-GE3	-	询价	6987	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	新航462	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	12A（Ta）、12A（Tc）	4.5V、10V	18毫欧@9A，10V	2.4V@250μA	17nC@10V	±20V	570pF@15V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
SST5484-T1-E3	-	询价	3172	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	不锈钢5484		350毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道								5pF@15V			25V	1毫安@15伏	300毫伏@10纳安
SQS482EN-T1_GE3	0.9100	询价	5	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SQS482	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	16A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@16.4A，10V	2.5V@250μA	39nC@10V	±20V	1865pF@25V	-	62W（温度）
IRFL210TRPBF-BE3	0.8800	询价	2	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	红外荧光灯210	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载		1（无限制）		742-IRFL210TRPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	200V	960mA（温度）		1.5欧姆@580mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	2W（Ta）、3.1W（Tc）
SUM110N04-05H-E3	-	询价	6719	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	总和110	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	110A（温度）	10V	5.3毫欧@30A，10V	5V@250μA	95nC@10V	±20V	6700pF@25V	-	3.75W（Ta）、150W（Tc）
SI9435BDY-T1-E3	0.8900	询价	21	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI9435	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	4.1A（塔）	4.5V、10V	42毫欧@5.7A，10V	3V@250μA	24nC@10V	±20V		-	1.3W（塔）
SI7922DN-T1-E3	1.7700	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8 双	SI7922	MOSFET（金属O化物）	1.3W	PowerPAK® 1212-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		100V	1.8A		195毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	8nC@10V		-	逻辑电平门
IRFRC20TRPBF-BE3	1.2900	询价	2	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRRFC20	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）		742-IRFRC20TRPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	2A（温度）	10V	4.4欧姆@1.2A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	350pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SISA10BDN-T1-GE3	0.9100	询价	3	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	26A（Ta）、104A（Tc）	4.5V、10V	3.6毫欧@10A、10V	2.4V@250μA	10V时为36.2nC	+20V，-16V	1710pF@15V	-	3.8W（Ta）、63W（Tc）
SI7491DP-T1-GE3	-	询价	5586	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7491	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	11A（塔）	4.5V、10V	8.5毫欧@18A，10V	3V@250μA	85nC@5V	±20V		-	1.8W（塔）
SI1988DH-T1-E3	-	询价	9762	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1988	MOSFET（金属O化物）	1.25W	SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	1.3A		168毫欧@1.4A，4.5V	1V@250μA	4.1nC@8V		110pF@10V	逻辑电平门
SQJ162EP-T1_GE3	1.3200	询价	7763	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）					3,000		N沟道	60V	166A（温度）	10V	5毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	51nC@10V	±20V	3930pF@25V	-	250W（温度）
SI4800BDY-T1-E3	0.9200	询价	4	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4800	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	6.5A（塔）	4.5V、10V	18.5毫欧@9A，10V	1.8V@250μA	13nC@5V	±25V		-	1.3W（塔）
SI7540ADP-T1-GE3	1.7500	询价	第574章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SI7540	-	3.5W	PowerPAK® SO-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	12A、9A		28毫欧@12A，10V	1.4V@250μA	48nC@10V		1310pF@10V	-
SI7450DP-T1-RE3	1.0516	询价	3794	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极				SI7450				下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000				3.2A（Ta）、19.8A（Tc）
SQJ740EP-T1_GE3	1.9200	询价	50	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双		MOSFET（金属O化物）	93W（温度）	PowerPAK® SO-8L 双 BWL	-	符合ROHS3标准	1（无限制）					3,000	2 N 沟道		40V	123A（温度）		3.4毫欧@7A，10V	3.5V@250μA	56nC@10V		3143pF@25V	标准
SQD40030E_GE3	0.7297	询价	2938	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SQD40030	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	100A（温度）	10V	-	-	65nC@10V	-		-	-
SQJ963EP-T1_GE3	1.8600	询价	4	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～175℃（TA）	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SQJ963	MOSFET（金属O化物）	27W（温度）	PowerPAK® SO-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		60V	8A（温度）		85毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V		1140pF@30V	-
SQSA84CENW-T1_GE3	0.6300	询价	第1262章	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8W		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8W	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	16A（塔）	4.5V、10V	32毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1050pF@25V	-	27W（温度）
IRF9640SPBF	2.4000	询价	第569章	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF9640	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		P沟道	200V	11A（温度）	10V	500毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	3W（Ta）、125W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²