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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFI9Z14GPBF	2.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9Z14GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	5.3A（TC）	10V	500mohm @ 3.2a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SIRA84DP-T1-GE3	0.5700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira84	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	+20V，-16V	1535 pf @ 15 V	-	34.7W（TC）
SQJA70EP-T1_GE3	0.8300	RFQ	2002	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA70	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	14.7A（TC）	10V	95MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SQJ202EP-T2_GE3	1.3300	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ202	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC），48W（tc）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ202EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	20A（TC），60a （TC）		6.5MOHM @ 15A，10V，3.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	22nc @ 10v，54nc @ 10v		975pf @ 6v，2525pf @ 6v	-
SI1037X-T1-E3	-	RFQ	9617	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1037	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	770ma（ta）	1.8V，4.5V	195MOHM @ 770mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	170MW（TA）
IRF9640pbf	2.0400	RFQ	32	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9640pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI2300DS-T1-GE3	0.4100	RFQ	7492	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2300	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.6A（TC）	2.5V，4.5V	68mohm @ 2.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±12V	320 pf @ 15 V	-	1.1W（1.1W），1.7W（TC）
IRFP21N60LPBF	7.4000	RFQ	2747	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP21N60LPBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	21a（TC）	10V	320MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	330W（TC）
SQD50N04-5M6_GE3	0.7578	RFQ	3969	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	50A（TC）	10V	5.6mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	71W（TC）
SIHW33N60E-GE3	6.6800	RFQ	9981	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SIHW33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	480		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SIZ700DT-T1-GE3	-	RFQ	6812	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ700	MOSFET （金属 o化物）	2.36W，2.8W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	16a		8.6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	35nc @ 10V		1300pf @ 10V	-
SI2302CDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 3.6A，4.5V	850mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	710MW（TA）
SI1473DH-T1-E3	-	RFQ	1172	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1473	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	100mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 V	±20V	365 pf @ 15 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SI4942DY-T1-E3	-	RFQ	3872	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4942	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	5.3a		21mohm @ 7.4a，10v	3V @ 250µA	32NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIRA18ADP-T1-GE3	0.4300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30.6A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	14.7W（TC）
SI2371EDS-T1-GE3	0.4300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2371	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.8A（TC）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±12V		-	1W（1W），1.7W（TC）
SI1302DL-T1-GE3	0.4400	RFQ	1190	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1302	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	600mA（TA）	4.5V，10V	480MOHM @ 600mA，10V	3V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V		-	280MW（TA）
SI3447CDV-T1-E3	-	RFQ	8275	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3447	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	7.8A（TC）	4.5V	36mohm @ 6.3a，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 8 V	±8V	910 PF @ 6 V	-	2W（TA），3W（tc）
SI6410DQ-T1-E3	-	RFQ	5357	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6410	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.8A（ta）	4.5V，10V	14mohm @ 7.8A，10V	1V @ 250µA（250µA）	33 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQD50P08-28_GE3	2.7600	RFQ	4091	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	80 V	48A（TC）	10V	28mohm @ 12.5a，10v	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6035 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SIRA00DP-T1-GE3	2.1800	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	+20V，-16V	11700 PF @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI4348DY-T1-E3	-	RFQ	2016	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4348	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	8a（8a）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 11A，10V	2V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.31W（TA）
SIJ478DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	1468	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij478	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1855 PF @ 40 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SQJ260EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ260	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC），48W（tc）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	20A（TC），54A （TC）		19mohm @ 6a，10v，8.5Mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V，40NC @ 10V		1100pf @ 25V，2500pf @ 25V	-
SI4836DY-T1-E3	-	RFQ	1219	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4836	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	17A（TA）	1.8V，4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	400mv @ 250µA（250µA））	75 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI7186DP-T1-GE3	-	RFQ	2518	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7186	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	32A（TC）	10V	12.5mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 40 V	-	5.2W（ta），64W（tc）
SIS478DN-T1-GE3	-	RFQ	2526	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS478	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±25V	398 pf @ 15 V	-	15.6W（TC）
SQJ952EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	4707	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ952	MOSFET （金属 o化物）	25W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	23A（TC）		20mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1800pf @ 30V	-
SI3812DV-T1-GE3	-	RFQ	4771	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3812	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	125mohm @ 2.4a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	830MW（TA）
SIA778DJ-T1-GE3	-	RFQ	2484	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA778	MOSFET （金属 o化物）	6.5W，5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V，20V	4.5a，1.5a		29mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		500pf @ 6V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²