RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFI9540G	-	RFQ	6470	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9540G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	11A（TC）	10V	200mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SIS932EDN-T1-GE3	0.6500	RFQ	5796	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SIS932	MOSFET （金属 o化物）	2.6W（23w），23W（tc）	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6A（TC）		22mohm @ 10a，4.5V	1.4V @ 250µA	14NC @ 4.5V		1000pf @ 15V	-
SI4947ADY-T1-E3	-	RFQ	9209	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4947	MOSFET （金属 o化物）	1.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	3a		80Mohm @ 3.9a，10V	1V @ 250µA（250µA）	8NC @ 5V		-	逻辑级别门
IRL510	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL510	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI4876DY-T1-E3	-	RFQ	8690	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4876	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	2.5V，4.5V	5mohm @ 21a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	80 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
SIHG22N60AEL-GE3	4.2400	RFQ	49	Vishay Siliconix	El	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	1757 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI4936ADY-T1-E3	1.9800	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4.4a		36mohm @ 5.9a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF840ASTRL	-	RFQ	4537	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SQJ914EP-T1_GE3	1.3000	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ914	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	30A（TC）		12MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	25nc @ 10V		1110pf @ 15V	-
SI3457CDV-T1-BE3	0.5400	RFQ	777	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3457CDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.1a（ta），5.1A（TC）	4.5V，10V	74mohm @ 4.1A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 15 V	-	2W（TA），3W（tc）
SI7909DN-T1-GE3	-	RFQ	2105	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7909	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	5.3a		37MOHM @ 7.7A，4.5V	1V @ 700µA	24nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7758DP-T1-GE3	-	RFQ	3199	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7758	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.9mohm @ 20a，10v	2.7V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7150 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI5414DC-T1-GE3	-	RFQ	9131	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5414	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	17mohm @ 9.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±12V	1500 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
SI4564DY-T1-GE3	1.3900	RFQ	7615	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4564	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	10a，9.2a		17.5MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	31nc @ 10V		855pf @ 20V	逻辑级别门
IRL540S	-	RFQ	8463	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
irfr210trl	-	RFQ	3499	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFR9310TRLPBF	1.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFI510GPBF	2.1900	RFQ	977	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI510GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	4.5A（TC）	10V	540MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	27W（TC）
IRFL110TR	-	RFQ	7659	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF540STRLPBF	2.3500	RFQ	31	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SI6469DQ-T1-E3	-	RFQ	9531	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6469	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	6a（6a）	1.8V，4.5V	28mohm @ 6a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	40 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRF9Z34PBF-BE3	1.8300	RFQ	105	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9Z34PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	18A（TC）		140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SI6562CDQ-T1-GE3	1.0200	RFQ	8040	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6562	MOSFET （金属 o化物）	1.6W，1.7W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6.7a，6.1a		22mohm @ 5.7a，4.5V	1.5V @ 250µA	23nc @ 10V		850pf @ 10V	逻辑级别门
SI3812DV-T1-GE3	-	RFQ	4771	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3812	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	125mohm @ 2.4a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	830MW（TA）
SUD50N02-09P-GE3	-	RFQ	4880	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	20A（TA）	4.5V，10V	14mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	39.5W（TC）
IRF830	-	RFQ	3599	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF9530PBF-BE3	1.8100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9530PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12A（TC）		300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SI4286DY-T1-GE3	-	RFQ	2105	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4286	MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	7a		32.5MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	10.5NC @ 10V		375pf @ 20V	-
SI4544DY-T1-E3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4544	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V	-		35mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	35nc @ 10V		-	逻辑级别门
IRFBF20	-	RFQ	8071	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBF20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	54W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²