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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI8823EDB-T2-E1	0.4100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8823	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（0.8x0.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	1.5V，4.5V	95MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	580 pf @ 10 V	-	900MW（TC）
SIJH600E-T1-GE3	6.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	37A（37A），373A （TC）	7.5V，10V	0.92MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	212 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 30 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SQD40061EL-T4_GE3	2.3400	RFQ	3303	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SQD40061EL-T4_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	107W（TC）
SIS112LDN-T1-GE3	0.6900	RFQ	4126	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIS112LDN-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.5A（TA），8.8a tc）	4.5V，10V	119MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SQA600CEJW-T1_GE3	0.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	9A（TC）	4.5V，10V	54.6mohm @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SQ2337ES-T1_BE3	0.6900	RFQ	298	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2337	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SQ2337ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	2.2A（TC）	6V，10V	290MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	620 pf @ 40 V	-	3W（TC）
SIHP21N80AEF-GE3	2.8600	RFQ	986	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP21N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	16.3a（TC）	10V	250mohm @ 8.5a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±30V	1511 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHP150N60E-GE3	3.7200	RFQ	2067	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	22a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SISS42LDN-T1-GE3	1.3000	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS42	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	11.3a（TA），39a （TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2058 PF @ 50 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SIHK055N60E-T1-GE3	8.4300	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	42A（TC）	10V	56mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±30V	3504 PF @ 100 V	-	236W（TC）
SI4453DY-T1-E3	-	RFQ	7111	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4453	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 14A，4.5V	900MV @ 600µA	165 NC @ 5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SI4880DY-T1-GE3	-	RFQ	8396	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4880	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	1.8V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±25V		-	2.5W（TA）
SI4493DY-T1-GE3	-	RFQ	4801	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4493	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	2.5V，4.5V	7.75mohm @ 14A，4.5V	1.4V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SIR798DP-T1-GE3	-	RFQ	6675	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir798	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.05ohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 15 V	（（（）	83W（TC）
SIR164DP-T1-RE3	0.5845	RFQ	1472	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir164	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 15 V	-	69W（TC）
SI4646DY-T1-GE3	-	RFQ	3841	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4646	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	1790 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SI4660DY-T1-E3	-	RFQ	9333	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4660	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	23.1a（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±16V	2410 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
2N5115JTXV02	-	RFQ	2609	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5115			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
SIA453EDJ-T1-GE3	-	RFQ	4234	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA453	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	24A（TC）	2.5V，10V	18.5MOHM @ 5A，10V	1.4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHB22N60ET5-GE3	2.5796	RFQ	9425	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SIHP24N65E-E3	5.7000	RFQ	9372	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP24N65EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI4682DY-T1-GE3	-	RFQ	7187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4682	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1595 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SI4834BDY-T1-GE3	-	RFQ	1812年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4834	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7501DN-T1-GE3	-	RFQ	2582	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7501	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水		30V	5.4a，4.5a		35mohm @ 7.7A，10V	3V @ 250µA	14NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIA910EDJ-T1-GE3	0.5900	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA910	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	4.5a		28mohm @ 5.2a，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		455pf @ 6V	逻辑级别门
SI7220DN-T1-GE3	1.7700	RFQ	71	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7220	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	3.4a		60mohm @ 4.8A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI4532CDY-T1-GE3	0.6900	RFQ	6205	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4532	MOSFET （金属 o化物）	2.78W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	6a，4.3a		47MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	9NC @ 10V		305pf @ 15V	-
SQ3426EEV-T1-GE3	-	RFQ	9832	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	7A（TC）		42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V		700 pf @ 30 V	-
SI7884BDP-T1-GE3	2.0000	RFQ	3706	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7884	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3540 pf @ 20 V	-	4.6W（46W），46w（tc）
SI4532ADY-T1-E3	-	RFQ	2483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4532	MOSFET （金属 o化物）	1.13W，1.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	3.7a，3a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	16NC @ 10V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²