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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SQA600CEJW-T1_GE3	0.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	9A（TC）	4.5V，10V	54.6mohm @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SI2343CDS-T1-BE3	0.5600	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.2a（ta），5.9a tc）	4.5V，10V	45mohm @ 4.2A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SI3499DV-T1-BE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3499DV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.3a（ta）	1.5V，4.5V	23mohm @ 7A，4.5V	750mv @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±5V		-	1.1W（TA）
SISS30LDN-T1-GE3	1.3000	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS30	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	16a（16A），55.5A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 40 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SIJH600E-T1-GE3	6.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	37A（37A），373A （TC）	7.5V，10V	0.92MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	212 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 30 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SIHP150N60E-GE3	3.7200	RFQ	2067	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	22a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIS112LDN-T1-GE3	0.6900	RFQ	4126	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIS112LDN-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.5A（TA），8.8a tc）	4.5V，10V	119MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SIHB21N80AE-GE3	2.9000	RFQ	1847年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB21	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB21N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	17.4A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	32W（TC）
SI7810DN-T1-E3	1.5100	RFQ	75	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7810	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.4a（ta）	6V，10V	62MOHM @ 5.4A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI1424EDH-T1-BE3	0.4300	RFQ	2356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1424	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1424EDH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（4A）（4A），4A （TC）		33MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V		-	1.56W（TA），2.8W（tc）
SI8823EDB-T2-E1	0.4100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8823	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（0.8x0.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	1.5V，4.5V	95MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	580 pf @ 10 V	-	900MW（TC）
SIR164DP-T1-RE3	0.5845	RFQ	1472	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir164	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 15 V	-	69W（TC）
SI4638DY-T1-E3	-	RFQ	5053	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4638	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	22.4a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	2.7V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	4190 pf @ 15 V	-	3W（3），5.9W（5.9W）（TC）
SI4886DY-T1-GE3	-	RFQ	9509	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4886	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI4880DY-T1-GE3	-	RFQ	8396	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4880	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	1.8V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±25V		-	2.5W（TA）
SI4646DY-T1-GE3	-	RFQ	3841	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4646	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	1790 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SQM60030E_GE3	3.8400	RFQ	9254	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM60030	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	80 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 30a，10V	3.5V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRFBC30ASTRRPBF	-	RFQ	4896	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI4559ADY-T1-GE3	1.5800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4559	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	5.3a，3.9a		58mohm @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		665pf @ 15V	逻辑级别门
2N4858JTX02	-	RFQ	2592	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4858			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIHP7N60E-E3	1.0277	RFQ	3636	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SIE812DF-T1-GE3	3.4500	RFQ	275	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE812	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	8300 PF @ 20 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SQJ990EP-T1_GE3	1.4100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ990	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	34A（TC）		40mohm @ 6a，10v，19mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10v，15nc @ 10v		1390pf @ 25V，650pf @ 25V	-
SIDR668ADP-T1-RE3	2.4800	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR668	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIDR668ADP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	23.3A（TA），104A （TC）	7.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
2N4416	-	RFQ	6936	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	2N4416		300兆	to-206af（72）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								4pf @ 15V			30 V	5 ma @ 15 V	3 V @ 1 na
IRFI734G	-	RFQ	3606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI734	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI734G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	3.4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SIA418DJ-T1-GE3	-	RFQ	9866	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA418	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SQR50N04-3M8_GE3	1.6200	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）	SQR50	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	50A（TC）	10V	3.8mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SIB410DK-T1-GE3	-	RFQ	9766	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB410	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9A（TC）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 3.8A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	±8V	560 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），13W（tc）
SIZ346DT-T1-GE3	0.7300	RFQ	4	Vishay Siliconix	PowerPair®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ346	MOSFET （金属 o化物）	16W，16.7W	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	17A（TC），30a （TC）		28.5mohm @ 10a，10v，11.5mohm @ 14.4a，10v	2.2V @ 250µA，2.4V @ 250µA	5NC @ 4.5V，9NC @ 4.5V		325pf @ 15V，650pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²