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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF840HPBF	1.5800	RFQ	2304	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF840HPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	7.3A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1059 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SQ3456CEV-T1_GE3	0.5300	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.8A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	4W（TC）
SIHB080N60E-GE3	5.4800	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SISS5108DN-T1-GE3	1.8100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS5108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	15.4a（ta），55.9a tc）	7.5V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SI6435ADQ-T1-E3	-	RFQ	1288	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6435	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.7a（ta）		30mohm @ 5.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V			-
SI2312BDS-T1-E3	0.5700	RFQ	72	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2312	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 5A，4.5V	850mv @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V		-	750MW（TA）
SI4470EY-T1-E3	-	RFQ	2790	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4470	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	9a（9a）	6V，10V	11mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA（）	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.85W（TA）
SI4642DY-T1-E3	-	RFQ	5922	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4642	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	34A（TC）	4.5V，10V	3.75MOHM @ 20A，10V	3V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	5540 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI5858DU-T1-E3	-	RFQ	3418	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5858	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	39mohm @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	16 NC @ 8 V	±8V	520 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2.3W（ta），8.3W（TC）
SI7392DP-T1-E3	-	RFQ	1842年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7392	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	9.75mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI7905DN-T1-E3	-	RFQ	1156	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7905	MOSFET （金属 o化物）	20.8W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		40V	6a		60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	30nc @ 10V		880pf @ 20V	-
SI8405DB-T1-E3	-	RFQ	3189	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8405	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	55mohm @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.47W（TA）
SQD23N06-31L_GE3	1.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD23	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	845 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IRL630STRLPBF	1.5619	RFQ	2476	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRLZ24SPBF	0.9455	RFQ	2634	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	17a（TC）	4V，5V	100mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI3457CDV-T1-GE3	0.5400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3457	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5.1A（TC）	4.5V，10V	74mohm @ 4.1A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 15 V	-	2W（TA），3W（tc）
SI7388DP-T1-GE3	-	RFQ	5047	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7388	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 19a，10v	1.6V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V		-	1.9W（TA）
SQ1431EH-T1_GE3	0.6000	RFQ	35	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1431	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3A（TC）	4.5V，10V	175MOHM @ 2A，10V	2V @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±20V	205 pf @ 25 V	-	3W（TC）
SIHB35N60E-GE3	6.4000	RFQ	229	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB35	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	32A（TC）	10V	94mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI4463CDY-T1-GE3	0.9400	RFQ	97	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4463	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	13.6A（TA），49A （TC）	2.5V，10V	8mohm @ 13a，10v	1.4V @ 250µA	162 NC @ 10 V	±12V	4250 pf @ 15 V	-	2.7W（ta），5W（tc）
SIHP12N60E-GE3	2.6900	RFQ	2114	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	147W（TC）
SIHD5N80AE-GE3	1.0900	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHD5N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	4.4A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	321 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SI7252ADP-T1-GE3	1.6400	RFQ	9983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7252	MOSFET （金属 o化物）	3.6W（TA），33.8W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI7252ADP-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	9.3A（ta），28.7a tc）		18.6mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	26.5nc @ 10V		1266pf @ 50V	-
SIHS36N50D-GE3	6.6000	RFQ	480	Vishay Siliconix	d	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHS36N50D-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	36a（TC）	10V	130MOHM @ 18A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±30V	3233 PF @ 100 V	-	446W（TC）
IRF630pbf-be3	1.5300	RFQ	5671	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf630pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）		400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR214PBF-BE3	1.4500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr214pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	2.2A（TC）		2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRL630pbf-be3	2.3500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl630pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）		400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	74W（TC）
SIZ340BDT-T1-GE3	0.7400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ340	MOSFET （金属 o化物）	3.7W（3.7W），16.7W（TC），4.2W（ta（31W），31W（（（ta）	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZ340BDT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	16.9a（ta），36a （TC），25.3a ta（69.3a tc）TC（TC）		8.56mohm @ 10a，10v，4.31Mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	12.6nc @ 10v，23.5nc @ 10v		550pf @ 15V，1065pf @ 15V	-
IRL510PBF-BE3	1.3500	RFQ	388	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl510pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）		540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRFZ40PBF-BE3	2.7800	RFQ	746	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ40PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）		28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²