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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ4850CEY-T1_GE3	1.0500	RFQ	8013	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4850CEY-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1375 PF @ 25 V	-	6.8W（TC）
SQ4401CEY-T1_GE3	1.2300	RFQ	8343	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		742-SQ4401CEY-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	17.3A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	4250 pf @ 20 V	-	7.14W（TC）
SIS4604LDN-T1-GE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS4604	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15.1A（TA），45.9a （TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	3.6W（TA），33.7W（TC）
SIZF5300DT-T1-GE3	2.0700	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-PowerPair™	SIZF5300	MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），56.8W（tc）	PowerPair®3x3fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源		30V	35A（TA），125A （TC）		2.43mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	32NC @ 10V		1480pf @ 15V	-
SIDR5102EP-T1-RE3	2.9900	RFQ	4824	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR5102	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	28.2A（TA），126a （TC）	7.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 50 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SIR184LDP-T1-RE3	1.5300	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	21.5a（ta），73A（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 30 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SQS141ELNW-T1_GE3	1.0300	RFQ	4391	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	101A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	141 NC @ 10 V	±20V	7458 pf @ 25 V	-	192W（TC）
SIZ342ADT-T1-GE3	0.8600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ342	MOSFET （金属 o化物）	3.7W（TA），16.7W（tc）	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZ342ADT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	15.7A（TA），33.4A （TC）		9.4mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	12.2nc @ 10V		580pf @ 15V	-
SIDR104ADP-T1-RE3	2.5600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR104	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18.8a（ta），81A（tc）	7.5V，10V	6.1MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 50 V	-	5.4W（TA），100W（TC）
SIZ340ADT-T1-GE3	1.1100	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ340	MOSFET （金属 o化物）	3.7W（3.7W），16.7W（TC），4.2W（ta（31W），31W（（（ta）	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZ340ADT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	15.7a（TA），33.4a tc），25.4a ta（69.7a tc）（TC）		9.4mohm @ 10a，10v，4.29mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	12.2nc @ 10v，27.9nc @ 10v		580pf @ 15V，1290pf @ 15V	-
SISS94DN-T1-GE3	0.9100	RFQ	7062	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS94	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	5.4A（TA），19.5A（tc）	7.5V，10V	75MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 100 V	-	5.1W（TA），65.8W（tc）
SISS22LDN-T1-GE3	1.2100	RFQ	8624	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS22	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SISS22LDN-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	25.5A（ta），92.5a tc）	4.5V，10V	3.65mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 30 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SISA35DN-T1-GE3	0.5200	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA35	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	10A（10A），16a （TC）	4.5V，10V	19mohm @ 9a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	3.2W（24W）（24W）TC）
SIHB24N80AE-GE3	3.5600	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB24N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	21a（TC）		184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI7116BDN-T1-GE3	1.1600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7116	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	18.4A（TA），65A（tc）		7.4mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1915 PF @ 20 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
IRFB9N60APBF-BE3	3.0800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFB9N60APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.2A（TC）		750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI1403BDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.4a（ta）		150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	568MW（TA）
IRFR110TRLPBF-BE3	1.3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）		540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFBF30PBF-BE3	2.8800	RFQ	6536	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBF30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	3.6A（TC）		3.7OHM @ 2.2a，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFL014TRPBF-BE3	0.9400	RFQ	8923	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）		200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI1441EDH-T1-BE3	0.5300	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1441	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1441EDH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	（4A）（4A），4A （TC）		41MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±10V		-	1.6W（TA），2.8W（TC）
SI1499DH-T1-BE3	0.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1499DH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（1.6A），1.6A（TC）		78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
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IRF9620PBF-BE3	1.6800	RFQ	792	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9620PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	3.5A（TC）		1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIJA22DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA22	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIJA22DP-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	64A（TA），201a （TC）		0.74MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	+20V，-16V	6500 PF @ 15 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SQ4946CEY-T1_GE3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	4W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQ4946CEY-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	7A（TC）		40mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		865pf @ 25V	-
SI1902CDL-T1-BE3	0.4500	RFQ	8039	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA），420MW （TC）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1902CDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1A（1A），1.1A（1A）（TC）		235mohm @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 10V		62pf @ 10V	-
IRFR1N60ATRPBF-BE3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-IRFR1N60ATRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	1.4A（TC）		7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRF624PBF-BE3	0.8831	RFQ	9980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf624pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）		1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFZ44PBF-BE3	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ44PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）		28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²