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![]() | SIJA54ADP-T1-GE3 | 1.9300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 35.4A(TA),126A (TC) | 4.5V,10V | 2.3MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | +20V,-16V | 3850 pf @ 20 V | - | 5.2W(ta),65.7W(TC) | ||||||
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![]() | SQ3456CEV-T1_GE3 | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7.8A(TC) | 4.5V,10V | 35mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 460 pf @ 15 V | - | 4W(TC) | |||||||
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![]() | SISS5108DN-T1-GE3 | 1.8100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISS5108 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 15.4a(ta),55.9a tc) | 7.5V,10V | 10.5mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1150 PF @ 50 V | - | 5W(5W),65.7W(TC) | ||||||
![]() | SI6435ADQ-T1-E3 | - | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | (CT) | 过时的 | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6435 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.7a(ta) | 30mohm @ 5.5A,10V | 1V @ 250µA(250µA) | 20 nc @ 5 V | - | |||||||||
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![]() | SI4470EY-T1-E3 | - | ![]() | 2790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4470 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 9a(9a) | 6V,10V | 11mohm @ 12a,10v | 2V @ 250µA() | 70 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.85W(TA) | |||||
![]() | SI4642DY-T1-E3 | - | ![]() | 5922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4642 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 34A(TC) | 4.5V,10V | 3.75MOHM @ 20A,10V | 3V @ 1mA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5540 pf @ 15 V | - | 3.5W(TA),7.8W(TC) | ||||
![]() | SI7392DP-T1-E3 | - | ![]() | 1842年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7392 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 9a(9a) | 4.5V,10V | 9.75mohm @ 15a,10v | 3V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SI7905DN-T1-E3 | - | ![]() | 1156 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7905 | MOSFET (金属 o化物) | 20.8W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 40V | 6a | 60mohm @ 5a,10v | 3V @ 250µA | 30nc @ 10V | 880pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SI8405DB-T1-E3 | - | ![]() | 3189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA,CSPBGA | SI8405 | MOSFET (金属 o化物) | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 3.6a(ta) | 1.8V,4.5V | 55mohm @ 1A,4.5V | 950mv @ 250µA | 21 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.47W(TA) | |||||
![]() | SQD23N06-31L_GE3 | 1.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SQD23 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 23A(TC) | 4.5V,10V | 31mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 845 pf @ 25 V | - | 37W(TC) |
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