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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SI5509DC-T1-GE3	-	RFQ	3837	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5509	MOSFET （金属 o化物）	4.5W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6.1a，4.8a		52MOHM @ 5A，4.5V	2V @ 250µA	6.6nc @ 5V		455pf @ 10V	逻辑级别门
SIR460DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	135	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir460	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	4.7mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2071 PF @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
IRLZ44STRL	-	RFQ	5204	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SQ4946AEY-T1_BE3	-	RFQ	7279	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	4W（TC）	8-SOIC	-					Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	7A（TC）		40mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		750pf @ 25V	-
SI4214DY-T1-GE3	-	RFQ	7433	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4214	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8.5a		23.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		785pf @ 15V	-
SIHG065N60E-GE3	7.3900	RFQ	639	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG065	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI1563DH-T1-GE3	-	RFQ	8658	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1563	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	1.13a，880mA		280MOHM @ 1.13A，4.5V	1V @ 100µA	2NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIE878DF-T1-GE3	-	RFQ	4317	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE878	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	45A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 12.5 V	-	5.2W（TA），25W（25W）TC）
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SI1406DH-T1-GE3	-	RFQ	5870	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1406	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
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SI1071X-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1071	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	960ma（ta）	2.5V，10V	167MOHM @ 960mA，10V	1.45V @ 250µA	13.3 NC @ 10 V	±12V	315 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
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SI2309CDS-T1-BE3	0.5500	RFQ	24	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.2A（TA），1.6A（TC）	4.5V，10V	345MOHM @ 1.25A，10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	210 pf @ 30 V	-	1W（1W），1.7W（TC）
SQJ500AEP-T1_GE3	1.6100	RFQ	5831	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ500	-	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	30A（TC）		27mohm @ 6a，10v	2.3V @ 250µA	38.1NC @ 10V		1850pf @ 20V	-
U431	-	RFQ	5300	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	U431		500兆	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100		2 n 通道（双）								5pf @ 10V			25 v	24 mA @ 10 V	2 V @ 1 na
SI4636DY-T1-GE3	-	RFQ	9041	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4636	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	2635 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），4.4W（TC）
SI3948DV-T1-GE3	-	RFQ	1883年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3948	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	-		105mohm @ 2.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	3.2nc @ 5V		-	逻辑级别门
SQ2309ES-T1_GE3	0.6700	RFQ	3026	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	336mohm @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	2W（TC）
V30393-T1-E3	-	RFQ	1069	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30393				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,500
SI5480DU-T1-GE3	-	RFQ	7563	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5480	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 7.2a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI6413DQ-T1-GE3	-	RFQ	3197	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6413	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.2A（ta）	1.8V，4.5V	10mohm @ 8.8a，4.5V	800mv @ 400µA	105 NC @ 5 V	±8V		-	1.05W（TA）
IRF720STRR	-	RFQ	5118	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI7160DP-T1-E3	-	RFQ	7774	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7160	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±16V	2970 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
SI7880ADP-T1-GE3	2.0808	RFQ	4171	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7964DP-T1-E3	-	RFQ	3245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7964	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6.1a		23mohm @ 9.6a，10v	4.5V @ 250µA	65nc @ 10V		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²