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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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IRFR320TRRPBF	0.8122	RFQ	3149	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIS439DNT-T1-GE3	-	RFQ	2883	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS439	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 14a，10v	2.8V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	2135 PF @ 15 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
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SIS468DN-T1-GE3	1.3200	RFQ	8633	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS468	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30A（TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	780 pf @ 40 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIB4316EDK-T1-GE3	0.4300	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（ta），6a （TC）	2.5V，10V	57MOHM @ 4A，10V	1.4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V		-	1.9W（TA），10W（tc）
IRCZ44PBF	-	RFQ	4166	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRCZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*ircz44pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	电流感应	150W（TC）
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IRFD110	-	RFQ	7738	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1A（1A）	10V	540MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
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IRFZ24	-	RFQ	4331	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ24	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	60W（TC）
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SI8409DB-T1-E1	1.1100	RFQ	9174	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8409	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	46mohm @ 1A，4.5V	1.4V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.47W（TA）
SI7236DP-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7236	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	60a		5.2MOHM @ 20.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	105nc @ 10V		4000pf @ 10V	-
TP0610K-T1-E3	0.5000	RFQ	830	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0610	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	185ma（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7 NC @ 15 V	±20V	23 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
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IRFR420Tr	-	RFQ	2389	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
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SUM110N05-06L-E3	-	RFQ	2085	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	110A（TC）		6mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V		3300 PF @ 25 V	-
IRF840LCSTRR	-	RFQ	7368	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFL214Tr	-	RFQ	8398	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI7464DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	8218	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7464	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	1.8A（ta）	6V，10V	240MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²