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晶体管（（5716）

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SIHFBE30S-GE3	1.8400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHFBE30S-GE3DKR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI5855CDC-T1-E3	-	RFQ	1068	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5855	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.7A（TC）	1.8V，4.5V	144mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	6.8 NC @ 5 V	±8V	276 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.3W（ta），2.8W（TC）
SI7358ADP-T1-E3	-	RFQ	3708	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7358	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4650 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
SI1406DH-T1-E3	-	RFQ	1704年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1406	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
SI4409DY-T1-E3	-	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4409	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	150 v	1.3A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），4.6W（TC）
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IRFD110	-	RFQ	7738	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1A（1A）	10V	540MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
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SIS430DN-T1-GE3	-	RFQ	2395	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	35A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 12.5 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
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IRFZ44PBF	2.0400	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFZ44PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI1553CDL-T1-GE3	0.5000	RFQ	64	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1553	MOSFET （金属 o化物）	340MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	700mA，500mA		390MOHM @ 700mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.8NC @ 10V		38pf @ 10V	逻辑级别门
SIA918EDJ-T1-GE3	0.4800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA918	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4.5A（TC）		58mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	5.5nc @ 4.5V		-	-
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SISS98DN-T1-GE3	1.0800	RFQ	3279	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS98	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	14.1A（TC）	7.5V，10V	105MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 7.5 V	±20V	608 pf @ 100 V	-	57W（TC）
IRF530	-	RFQ	5575	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SI7491DP-T1-GE3	-	RFQ	5586	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7491	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 18A，10V	3V @ 250µA	85 NC @ 5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SQS482EN-T1_BE3	0.9100	RFQ	7825	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		742-sqs482en-t1_be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SQ1912AEEH-T1_GE3	0.4900	RFQ	12	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1912	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC-70-6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	800mA（TC）		280MOHM @ 1.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	1.25nc @ 4.5V		27pf @ 10V	-
IRL540L	-	RFQ	1540年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	-	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	-
SIHP14N60E-BE3	2.3600	RFQ	978	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SI1021R-T1-E3	-	RFQ	3279	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1021	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	（190ma ta）	4.5V，10V	4ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7 NC @ 15 V	±20V	23 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
SIS426DN-T1-GE3	-	RFQ	4830	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI7485DP-T1-GE3	-	RFQ	6840	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®SO-8	SI7485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12.5A（TA）		7.3mohm @ 20a，4.5V	900mv @ 1mA	150 NC @ 5 V			-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²