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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHG47N65E-GE3	8.0800	RFQ	5833	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	47A（TC）	10V	72MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	273 NC @ 10 V	±30V	5682 PF @ 100 V	-	417W（TC）
SQJA46EP-T2_GE3	0.5627	RFQ	5332	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA46	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJA46EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	10V	3mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SI4544DY-T1-GE3	-	RFQ	1086	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4544	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V	-		35mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	35nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI7336ADP-T1-E3	1.8000	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7336	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30a（TA）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	5.4W（TA）
SI7407DN-T1-GE3	-	RFQ	8751	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7407	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	9.9a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 15.6a，4.5V	1V @ 400µA	59 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SI7980DP-T1-GE3	1.0500	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7980	MOSFET （金属 o化物）	19.8W，21.9W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	8a		22mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1010pf @ 10V	-
SI3433CDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	2156	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3433	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	38mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1300 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），3.3W（tc）
SI3454ADV-T1-E3	-	RFQ	5088	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SUP25P10-138-GE3	-	RFQ	6493	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	16.3a（TC）	6V，10V	13.8mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 50 V	-	3.1W（TA），73.5W（tc）
SI7308DN-T1-GE3	1.1800	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7308	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6A（TC）	4.5V，10V	58MOHM @ 5.4A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	665 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SQSA84CENW-T1_GE3	0.6300	RFQ	1262	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	16A（TA）	4.5V，10V	32MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SQJ951EP-T1_BE3	1.6100	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ951	MOSFET （金属 o化物）	56W（TC）	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	30A（TC）		17mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	50NC @ 10V		1680pf @ 10V	-
SIA430DJT-T1-GE3	0.5500	RFQ	4319	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	19.2W（TC）
TP0202K-T1-GE3	-	RFQ	2224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0202	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	385mA（ta）	4.5V，10V	1.4OHM @ 500mA，10V	3V @ 250µA	1 NC @ 10 V	±20V	31 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
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SQJ410EP-T1_GE3	2.4400	RFQ	6209	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ410	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	32A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6210 PF @ 15 V	-	83W（TC）
IRFI530G	-	RFQ	5961	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI530G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	9.7a（TC）	10V	160MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRFZ44PBF	2.0400	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFZ44PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIR870ADP-T1-RE3	2.2600	RFQ	3982	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir870	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2866 PF @ 50 V	-	104W（TC）
3N163-E3	-	RFQ	5647	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	3N163	MOSFET （金属 o化物）		到72	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		P通道	40 V	50mA（TA）	20V	250ohm @ 100µA，20V	5V @ 10µA		±30V	3.5 pf @ 15 V	-	375MW（TA）
SIR416DP-T1-GE3	1.3500	RFQ	5177	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir416	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3350 pf @ 20 V	-	5.2W（ta），69w（tc）
IRF9620STRR	-	RFQ	3324	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
SIHB16N50C-E3	6.4600	RFQ	947	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB16	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	16A（TC）	10V	380MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IRFL9110TRPBF	0.8800	RFQ	7029	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFR320Trl	-	RFQ	3616	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIA911DJ-T1-GE3	-	RFQ	5903	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
SI7748DP-T1-GE3	-	RFQ	8478	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7748	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 15a，10v	2.7V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±20V	3770 pf @ 15 V	-	4.8W（ta），56W（TC）
SI34555555ADV-T1-E3	-	RFQ	8487	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3455	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 3.5a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SI7540DP-T1-GE3	-	RFQ	8016	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7540	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	7.6a，5.7a		17mohm @ 11.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF740STRRPBF	1.8357	RFQ	5444	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²