RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI3473DV-T1-GE3	-	RFQ	2506	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3473	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5.9a（ta）	1.8V，4.5V	23mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
SIR418DP-T1-GE3	1.3500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir418	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 20 V	-	39W（TC）
SIA929DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA929	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.5A（TC）		64mohm @ 3a，10v	1.1V @ 250µA	21NC @ 10V		575pf @ 15V	逻辑级别门
SI2304DDS-T1-GE3	0.4300	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2304	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.3a（ta），3.6a（3.6a）TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3.2a，10v	2.2V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	235 pf @ 15 V	-	1.1W（1.1W），1.7W（TC）
IRFR310TRRPBF	-	RFQ	8625	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF710SPBF	1.6000	RFQ	1793年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF710SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SUD50N03-16P-E3	-	RFQ	3279	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	（15A）（37a ta）（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	6.5W（TA），40.8W（TC）
IRF9Z24PBF	1.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SIZ916DT-T1-GE3	-	RFQ	6283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ916	MOSFET （金属 o化物）	22.7W，100W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a，40a		6.4mohm @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	26NC @ 10V		1208pf @ 15V	-
SI7456CDP-T1-GE3	1.6700	RFQ	3200	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	27.5A（TC）	4.5V，10V	23.5mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	730 PF @ 50 V	-	5W（5W），35.7W（TC）
SI4196DY-T1-E3	-	RFQ	9485	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4196	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	27mohm @ 8a，4.5V	1V @ 250µA	22 NC @ 8 V	±8V	830 pf @ 10 V	-	2W（TA），4.6W（TC）
IRF730STRR	-	RFQ	9139	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRFD9020	-	RFQ	2528	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9020	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.6a（ta）	10V	280MOHM @ 960mA，10V	4V @ 1µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SUD50P10-43L-GE3	2.6500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	37.1A（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 9.2a，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
SIA444DJT-T4-GE3	-	RFQ	1183	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA444	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（11a）（ta），12a（tc）	4.5V，10V	17mohm @ 7.4a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IRFPG50	-	RFQ	5888	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG50	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	1000 v	6.1A（TC）	10V	2ohm @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFD9020pbf	1.6700	RFQ	505	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD9020PBF	Ear99	8541.29.0095	100		P通道	60 V	1.6a（ta）	10V	280MOHM @ 960mA，10V	4V @ 1µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI4808DY-T1-E3	-	RFQ	6639	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4808	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIA911DJ-T1-GE3	-	RFQ	5903	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
SI4411DY-T1-GE3	-	RFQ	2800	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4411	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRFIBC40G	-	RFQ	4175	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFIBC40G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFD9110PBF	1.6300	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD9110PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	700mA（TA）	10V	1.2OHM @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFP9140	-	RFQ	6074	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP9140	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP9140	Ear99	8541.29.0095	25		P通道	100 v	21a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	180W（TC）
SIHB30N60AEL-GE3	5.9500	RFQ	18	Vishay Siliconix	El	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SIHB30	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	28a（TC）	10V	120mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI3407DV-T1-E3	-	RFQ	7620	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3407	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	24mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±12V	1670 pf @ 10 V	-	2W（TA），4.2W（TC）
SISS71DN-T1-GE3	1.1100	RFQ	5194	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS71	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	23A（TC）	4.5V，10V	59mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1050 pf @ 50 V	-	57W（TC）
IRFR224Trl	-	RFQ	2585	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI1467DH-T1-BE3	0.6700	RFQ	9484	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1467	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1467DH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	（3a（ta），2.7a（2.7a）TC）		90MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±8V	561 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
IRFPC50LC	-	RFQ	9050	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPC50LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRF840pbf	1.9400	RFQ	21	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²