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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFZ24PBF	1.6400	RFQ	662	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfz24pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SI4860DY-T1-GE3	-	RFQ	6131	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4860	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8mohm @ 16a，10v	1V @ 250µA（250µA）	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SIHF28N60EF-GE3	3.3075	RFQ	4560	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF28	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SI7112DN-T1-GE3	1.7500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11.3A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 17.8A，10V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V	2610 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
SI5401DC-T1-GE3	-	RFQ	3490	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5401	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.2a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
IRFR310TR	-	RFQ	2491	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFI540G	-	RFQ	3101	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI540G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	17a（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SI5908DC-T1-GE3	1.3900	RFQ	30	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5908	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.4a		40mohm @ 4.4a，4.5V	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4178DY-T1-E3	-	RFQ	6560	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4178	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 8.4a，10v	2.8V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	405 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SI3456BDV-T1-E3	-	RFQ	1200	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.1W（TA）
IRFZ24STRLPBF	1.4700	RFQ	5006	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFPS43N50KPBF	-	RFQ	2505	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS43	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPS43N50KPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	47A（TC）	10V	90mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	350 NC @ 10 V	±30V	8310 PF @ 25 V	-	540W（TC）
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SQJ454EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	6267	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ454	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	13A（TC）	4.5V，10V	145MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SI7104DN-T1-GE3	1.0490	RFQ	9150	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.7MOHM @ 26.1A，4.5V	1.8V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	2800 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI4850EY-T1-GE3	1.7700	RFQ	558	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6a（6a）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.7W（TA）
SQM70060EL_GE3	2.6800	RFQ	61	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SQM70060	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	166W（TC）
SQJ148EP-T1_GE3	0.6900	RFQ	8962	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ148	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	15A（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SISS10ADN-T1-GE3	0.9600	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	31.7A（TA），109a （TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	+20V，-16V	3030 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
IRFI9620GPBF	2.4800	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9620GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	30W（TC）
SIS402DN-T1-GE3	1.8900	RFQ	2651	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFU1N60A	-	RFQ	9851	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU1N60A	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SI4170DY-T1-GE3	-	RFQ	3389	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4170	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4355 pf @ 15 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SQJ418EP-T1_GE3	1.1800	RFQ	25	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ418	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	48A（TC）	10V	14mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	68W（TC）
VQ2001P-2	-	RFQ	7358	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14浸	VQ2001	MOSFET （金属 o化物）	2W	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4个p通道		30V	600mA		2ohm @ 1a，12v	4.5V @ 1mA	-		150pf @ 15V	-
SISS63DN-T1-GE3	1.0000	RFQ	37	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS63	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35.1A（TA），127.5A （TC）	2.5V，10V	2.7MOHM @ 15A，10V	1.5V @ 250µA	236 NC @ 8 V	±12V	7080 pf @ 10 V	-	5W（5W），65.8W（TC）
SIHH11N65E-T1-GE3	2.1897	RFQ	9816	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH11	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	12A（TC）	10V	363mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±30V	1257 PF @ 100 V	-	130W（TC）
IRF520STRR	-	RFQ	4252	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI3473CDV-T1-E3	0.7100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3473	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	22mohm @ 8.1a，4.5V	1V @ 250µA	65 NC @ 8 V	±8V	2010 PF @ 6 V	-	4.2W（TC）
IRFP22N50APBF	5.5300	RFQ	4518	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP22N50APBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	22a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3450 pf @ 25 V	-	277W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²