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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI6924AEDQ-T1-GE3	-	RFQ	9759	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6924	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		28V	4.1a		33mohm @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIR158DP-T1-RE3	1.7900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir158	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4980 pf @ 15 V	-	83W（TC）
SQM40010EL_GE3	2.9200	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40010	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	17100 PF @ 20 V	-	375W（TC）
SI1965DH-T1-GE3	0.5100	RFQ	8643	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1965	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	1.3a		390MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 8V		120pf @ 6V	逻辑级别门
IRF840LCSTRRPBF	1.8458	RFQ	6696	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
sum70n03-09cp-e3	-	RFQ	9154	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），93W（tc）
SUM47N10-24L-E3	-	RFQ	7940	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum47	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	47A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），136W（tc）
IRFI9640GPBF	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9640GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIHG33N65E-GE3	4.4659	RFQ	3198	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	32.4a（TC）	10V	105MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	173 NC @ 10 V	±30V	4040 pf @ 100 V	-	313W（TC）
SI3951DV-T1-GE3	-	RFQ	7117	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3951	MOSFET （金属 o化物）	2W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.7a		115mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.1nc @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
SI3455555ADV-T1-GE3	-	RFQ	8974	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3455	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 3.5a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRLIZ44GPBF	2.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLIZ44GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	4V，5V	28mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SIHF18N50C-E3	-	RFQ	9628	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHF18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	18A（TC）	10V	270MOHM @ 10a，10v	5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	2942 PF @ 25 V	-	38W（TC）
SI5902BDC-T1-GE3	1.3200	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5902	MOSFET （金属 o化物）	3.12W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4a		65mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	逻辑级别门
SQP120N10-09_GE3	2.8000	RFQ	250	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	120A（TC）	10V	9.5Mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	8645 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRC830pbf	-	RFQ	2530	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC830pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	电流感应	74W（TC）
SI1065X-T1-GE3	-	RFQ	8934	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1065	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	1.18A（TA）	1.8V，4.5V	156mohm @ 1.18a，4.5V	950mv @ 250µA	10.8 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）
SUP70N03-09BP-E3	-	RFQ	2489	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP70	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	19 nc @ 5 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	93W（TC）
irfz10pbf	1.5600	RFQ	9281	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfz10pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI7104DN-T1-GE3	1.0490	RFQ	9150	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.7MOHM @ 26.1A，4.5V	1.8V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	2800 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRF730APBF	1.9200	RFQ	1963年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF730APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
2N6661-E3	-	RFQ	5595	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SI1903DL-T1-GE3	-	RFQ	5939	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1903	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	410mA		995MOHM @ 410mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.8NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQS180ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	50	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	80 V	82A（TC）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3689 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SUD50P04-13L-E3	-	RFQ	2282	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3120 PF @ 25 V	-	3W（3），93.7W（TC）
SISA10BDN-T1-GE3	0.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	26a（26a），104a（tc（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	36.2 NC @ 10 V	+20V，-16V	1710 PF @ 15 V	-	3.8W（63W（ta）（TC）
SI3410DV-T1-GE3	0.8300	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3410	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1295 pf @ 15 V	-	2W（TA），4.1W（4.1W）TC）
IRFR430APBF	1.9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR430	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SIR470DP-T1-GE3	2.8200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir470	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	5660 pf @ 20 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SQ4850EY-T1_GE3	1.3700	RFQ	24	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，5v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²