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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQJ456EP-T2_GE3	1.1340	RFQ	7725	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ456EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	32A（TC）	6V，10V	26mohm @ 9.3a，10v	3.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3342 PF @ 25 V	-	83W（TC）
SQW44N65EF-GE3	7.6600	RFQ	509	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，e	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQW44N65EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	480		n通道	650 v	47A（TC）	10V	73mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	266 NC @ 10 V	±30V	5858 PF @ 100 V	-	500W（TC）
SQJQ184E-T1_GE3	3.5500	RFQ	3708	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	430a（TC）	10V	1.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	272 NC @ 10 V	±20V	16010 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IRFP264pbf	5.6500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP264	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP264PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	38A（TC）	10V	75MOHM @ 23A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI4403BDY-T1-E3	-	RFQ	1996	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4403	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	17mohm @ 9.9a，4.5V	1V @ 350µA	50 NC @ 5 V	±8V		-	1.35W（TA）
IRLI630GPBF	2.7800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLI630GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	6.2A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 3.7A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	35W（TC）
IRFD024PBF	1.7000	RFQ	361	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD024PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.5a（ta）	10V	100mohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFBG20	-	RFQ	3796	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBG20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SIJ470DP-T1-GE3	1.6300	RFQ	1561年	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij470	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	58.8A（TC）	7.5V，10V	9.1mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2050 pf @ 50 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
IRFIB6N60APBF	4.2100	RFQ	1620年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIB6N60APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	5.5A（TC）	10V	750MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SUM110N05-06L-E3	-	RFQ	2085	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	110A（TC）		6mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V		3300 PF @ 25 V	-
SI1330EDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1330	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1330EDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	240mA（ta）		2.5Ohm @ 250mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V		-	280MW（TA）
IRFR420ATRLPBF	0.7088	RFQ	4990	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SI7104DN-T1-E3	0.9923	RFQ	9071	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.7MOHM @ 26.1A，4.5V	1.8V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	2800 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIJ484DP-T1-GE3	-	RFQ	7114	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
SIHB150N60E-GE3	3.8500	RFQ	9880	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					1,000		n通道	600 v	22a（TC）	10V	158mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIHG30N60E-E3	-	RFQ	6920	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG30N60EE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SUM90P10-19-E3	-	RFQ	9815	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	90A（TC）	10V	19mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	13.6W（TA），375W （TC）
SI4409DY-T1-E3	-	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4409	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	150 v	1.3A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），4.6W（TC）
SI7664DP-T1-GE3	-	RFQ	4873	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7664	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	1.8V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±12V	7770 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
irfd320pbf	1.8600	RFQ	469	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD320	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfd320pbf	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	400 v	490mA ta）	10V	1.8OHM @ 210mA，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SQA470EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	8742	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA470	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	2.25A（TC）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	1.1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	440 pf @ 20 V	-	13.6W（TC）
SI4858DY-T1-E3	-	RFQ	1496年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4858	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	5.25MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA（250µA）	40 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SQJ148EP-T1_GE3	0.6900	RFQ	8962	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ148	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	15A（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SI4485DY-T1-GE3	0.6300	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4485	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5.9A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SIHA12N50E-GE3	1.8700	RFQ	950	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA12N50E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IRFR224Trl	-	RFQ	2585	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI4430BDY-T1-GE3	1.8500	RFQ	9321	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4430	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SI7852DP-T1-E3	2.5000	RFQ	7609	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7852	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	7.6a（ta）	6V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA（）	41 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI1034X-T1-E3	-	RFQ	4463	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1034	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	180mA		5ohm @ 200ma，4.5V	1.2V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²