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![]() | SIHA22N60AEL-GE3 | - | ![]() | 3849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | Siha22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 21a(TC) | 10V | 180mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 82 NC @ 10 V | ±30V | 1757 PF @ 100 V | - | 35W(TC) | |||||
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![]() | SI7448DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7448 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 13.4A(TA) | 2.5V,4.5V | 6.5MOHM @ 22a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.9W(TA) | |||||
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![]() | IRF634L | - | ![]() | 6831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IRF634 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | *IRF634L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 8.1A(TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1A,10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 770 pf @ 25 V | - | - | ||||
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![]() | SUM90P10-19-E3 | - | ![]() | 9815 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 100 v | 90A(TC) | 10V | 19mohm @ 20a,10v | 4.5V @ 250µA | 330 NC @ 10 V | ±20V | 12000 PF @ 50 V | - | 13.6W(TA),375W (TC) | ||||
![]() | SI4966DY-T1-E3 | - | ![]() | 7920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4966 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 20V | - | 25mohm @ 7.1a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 50nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
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![]() | SISC06DN-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISC06 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 27.6a(TA),40a tc) | 4.5V,10V | 2.7MOHM @ 15A,10V | 2.1V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | +20V,-16V | 2455 pf @ 15 V | - | 3.7W(TA),46.3W(tc) | |||||
![]() | SI3473DV-T1-GE3 | - | ![]() | 2506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5.9a(ta) | 1.8V,4.5V | 23mohm @ 7.9a,4.5V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.1W(TA) | |||||
![]() | SQS460EN-T1_GE3 | 1.2900 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SQS460 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 8A(TC) | 4.5V,10V | 36mohm @ 5.3a,10v | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 755 pf @ 25 V | - | 39W(TC) | |||||
![]() | IRF610 | - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF610 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF610S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 3.3A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | (3w(ta),36w(tc) | |||
![]() | SIA915DJ-T4-GE3 | - | ![]() | 4122 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA915 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W(ta),6.5W(TC) | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 3.7A(TA),4.5A(TC) | 87MOHM @ 2.9a,10V | 2.2V @ 250µA | 9NC @ 10V | 275pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SI7392ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 3398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7392 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 7.5MOHM @ 12.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1465 PF @ 15 V | - | 5W(5W),27.5W(TC) | ||||
![]() | IRFP26N60LPBF | 10.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP26 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFP26N60LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 600 v | 26a(TC) | 10V | 250mohm @ 16a,10v | 5V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±30V | 5020 PF @ 25 V | - | 470W(TC) | ||||
![]() | IRFS11N50A | - | ![]() | 2267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFS11 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFS11N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 500 v | 11A(TC) | 10V | 520MOHM @ 6.6A,10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ±30V | 1423 PF @ 25 V | - | 170W(TC) | |||
![]() | SI4620DY-T1-E3 | - | ![]() | 9669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4620 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 6A(6A),7.5A(7.5A)(TC) | 4.5V,10V | 35mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 1040 pf @ 15 V | Schottky 二极管(孤立) | 2W(TA),3.1W(TC) | |||||
![]() | SI7374DP-T1-E3 | 1.5920 | ![]() | 1759年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7374 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 24A(TC) | 4.5V,10V | 5.5MOHM @ 23.8A,10V | 2.8V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ±20V | 5500 PF @ 15 V | - | 5W(5W),56w(tc) | |||||
![]() | SIR640DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir640 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 2.3V @ 250µA | 113 NC @ 10 V | ±20V | 4930 PF @ 20 V | - | 6.25W(TA),104W(tc) | |||||
![]() | SI5947DU-T1-GE3 | - | ![]() | 9649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5947 | MOSFET (金属 o化物) | 10.4W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 6a | 58MOHM @ 3.6A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 10V | 480pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | IRFR420ATRLPBF | 0.7088 | ![]() | 4990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR420 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 500 v | 3.3A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 340 pf @ 25 V | - | 83W(TC) | |||||
![]() | SI7664DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4873 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7664 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 3.1MOHM @ 20A,10V | 1.8V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±12V | 7770 pf @ 15 V | - | 5.4W(ta),83W(tc) |
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