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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHB15N80AE-GE3	2.7300	RFQ	990	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB15	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB15N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	13A（TC）	10V	350MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1093 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIZ256DT-T1-GE3	1.3100	RFQ	7571	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ256	MOSFET （金属 o化物）	4.3W（TA），33W（tc）	8-Powerpair®（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）		742-SIZ256DT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		70V	11.5A（TA），31.8A （TC）		17.6mohm @ 7A，4.5V	1.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1060pf @ 35V	-
SIHP6N80AE-GE3	1.6900	RFQ	971	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP6N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	5A（TC）		950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SIHB24N80AE-GE3	3.5600	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB24N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	21a（TC）		184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI7116BDN-T1-GE3	1.1600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7116	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	18.4A（TA），65A（tc）		7.4mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1915 PF @ 20 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
IRFB9N60APBF-BE3	3.0800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFB9N60APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.2A（TC）		750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI1403BDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.4a（ta）		150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	568MW（TA）
IRFR110TRLPBF-BE3	1.3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）		540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFBF30PBF-BE3	2.8800	RFQ	6536	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBF30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	3.6A（TC）		3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFL014TRPBF-BE3	0.9400	RFQ	8923	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）		200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI1441EDH-T1-BE3	0.5300	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1441	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1441EDH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	（4A）（4A），4A （TC）		41MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±10V		-	1.6W（TA），2.8W（TC）
SI1499DH-T1-BE3	0.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1499DH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（1.6A），1.6A（TC）		78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
SI1922EDH-T1-BE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1922	MOSFET （金属 o化物）	（740MW）（TA），1.25W（tc）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.3A（1.3A），1.3A（TC）		198mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.5nc @ 8v		-	-
IRF9620PBF-BE3	1.6800	RFQ	792	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9620PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	3.5A（TC）		1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SIJA22DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA22	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIJA22DP-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	64A（TA），201a （TC）		0.74MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	+20V，-16V	6500 PF @ 15 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SQ4946CEY-T1_GE3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	4W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQ4946CEY-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	7A（TC）		40mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		865pf @ 25V	-
SI1902CDL-T1-BE3	0.4500	RFQ	8039	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA），420MW （TC）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1902CDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1A（1A），1.1A（1A）（TC）		235mohm @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 10V		62pf @ 10V	-
IRFR1N60ATRPBF-BE3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-IRFR1N60ATRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	1.4A（TC）		7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRF624PBF-BE3	0.8831	RFQ	9980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf624pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）		1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFZ44PBF-BE3	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ44PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）		28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SUM40014M-GE3	3.4900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	sum40014	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）		0.99mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	15780 pf @ 20 V	-	375W（TC）
SI1411DH-T1-BE3	0.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1411	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	420mA（TA）		2.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	6.3 NC @ 10 V	±20V		-	1W（ta）
SIR510DP-T1-RE3	2.2500	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	31a（31A），126a （TC）	7.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4980 pf @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIHP080N60E-GE3	4.3900	RFQ	958	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHP080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SUM60061EL-GE3	5.9300	RFQ	1489	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SUM60061EL-GE3	Ear99	8541.29.0095	800		P通道	80 V	150a（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	218 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 40 V	-	375W（TC）
SQJ180EP-T1_GE3	1.9300	RFQ	5507	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ180EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	248a（TC）	10V	3mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±20V	6645 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SQJA16EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	278a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	5485 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SQJQ144AER-T1_GE3	2.8300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	575a（TC）	10V	0.9MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	9020 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SUM70042E-GE3	2.9900	RFQ	1291	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	条	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SUM70042E-GE3	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	150a（TC）	7.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6490 pf @ 50 V	-	278W（TC）
SQJQ148ER-T1_GE3	2.7200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	372a（TC）	10V	1.5MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5750 pf @ 25 V	-	394W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²