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![]() | SI1031R-T1-GE3 | 0.5200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | SI1031 | MOSFET (金属 o化物) | SC-75A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 140mA(ta) | 1.5V,4.5V | 8ohm @ 150mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 250MW(TA) | |||||
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![]() | SI1011x-T1-GE3 | - | ![]() | 8257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | SI1011 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 480ma(ta) | 1.2V,4.5V | 640MOHM @ 400mA,4.5V | 800MV @ 250µA | 4 NC @ 4.5 V | ±5V | 62 pf @ 6 V | - | 190mw(TA) | ||||
![]() | IRC830pbf | - | ![]() | 2530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | IRC830 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRC830pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 4.5A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.7a,10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 610 pf @ 25 V | 电流感应 | 74W(TC) | |||
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![]() | IRF634S | - | ![]() | 5391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF634 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF634S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 8.1A(TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1A,10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),74W(tc) | |||
![]() | SI7946DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7946 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 150V | 2.1a | 150mohm @ 3.3a,10v | 4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | IRFP22N50APBF | 5.5300 | ![]() | 4518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFP22N50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 22a(TC) | 10V | 230MOHM @ 13A,10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 3450 pf @ 25 V | - | 277W(TC) | ||||
![]() | SI6465DQ-T1-E3 | - | ![]() | 1495 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6465 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 8.8a(ta) | 1.8V,4.5V | 12mohm @ 8.8a,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 80 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W(TA) | |||||
![]() | SIHG33N60E-E3 | 4.1309 | ![]() | 3921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG33 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 33A(TC) | 10V | 99MOHM @ 16.5A,10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 3508 PF @ 100 V | - | 278W(TC) | ||||||
![]() | SI6993DQ-T1-E3 | - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6993 | MOSFET (金属 o化物) | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 3.6a | 31MOHM @ 4.7A,10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIHG026N60EF-GE3 | 14.3000 | ![]() | 4124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 742-SIHG026N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 95A(TC) | 10V | 26mohm @ 38a,10v | 5V @ 250µA | 227 NC @ 10 V | ±30V | 7926 pf @ 100 V | - | 521W(TC) | ||||||
![]() | SI7117DN-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7117 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 150 v | 2.17A(TC) | 6V,10V | 1.2OHM @ 500mA,10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 510 pf @ 25 V | - | 3.2W(TA),12.5W(tc) | |||||
![]() | SUP45P03-09-GE3 | - | ![]() | 2149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP45 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P通道 | 30 V | 45A(TC) | 4.5V,10V | 8.7MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 2700 pf @ 15 V | - | 73.5W(TC) | ||||||
![]() | SIHD7N60ET4-GE3 | 0.8080 | ![]() | 2938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIHD7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 600MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W(TC) | ||||||
![]() | SIRC16DP-T1-GE3 | 1.2600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SIRC16 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 60a(TC) | 4.5V,10V | 0.96mohm @ 15a,10v | 2.4V @ 250µA | 48 NC @ 4.5 V | +20V,-16V | 5150 pf @ 10 V | - | 54.3W(TC) | |||||
![]() | SI3481DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7240 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3481 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4A(ta) | 4.5V,10V | 48mohm @ 5.3a,10v | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W(TA) | |||||
![]() | SQJ479EP-T1_GE3 | 1.2300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ479 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 80 V | 32A(TC) | 4.5V,10V | 33mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 25 V | - | 68W(TC) | |||||
![]() | SIZ920DT-T1-GE3 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ920 | MOSFET (金属 o化物) | 39W,100W | 8-Powerpair®(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 40a | 7.1MOHM @ 18.9a,10V | 2.5V @ 250µA | 35nc @ 10V | 1260pf @ 15V | - | |||||||
SUP70040E-GE3 | 3.0600 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP70040 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 120A(TC) | 7.5V,10V | 4mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 5100 PF @ 50 V | - | 375W(TC) | ||||||
![]() | SUD50N10-18P-GE3 | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 8.2a(ta),50a(tc) | 10V | 18.5mohm @ 15a,10v | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 50 V | - | 3W(TA),136.4W(TC) | ||||
![]() | TN2404K-T1-GE3 | 0.9100 | ![]() | 6237 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 240 v | 200ma(ta) | 2.5V,10V | 4ohm @ 300mA,10v | 2V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±20V | - | 360MW(TA) | |||||
![]() | IRFBE30SPBF | 3.2000 | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFBE30 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFBE30SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 4.1A(TC) | 10V | 3ohm @ 2.5A,10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | ||||
![]() | SI1972DH-T1-E3 | - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1972 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.3A,10V | 2.8V @ 250µA | 2.8NC @ 10V | 75pf @ 15V | - | ||||||
![]() | SI2306BDS-T1-BE3 | 0.5500 | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | (1 (无限) | 742-SI2306BDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.16a(ta) | 4.5V,10V | 47MOHM @ 3.5A,10V | 3V @ 250µA | 4.5 NC @ 5 V | ±20V | 305 pf @ 15 V | - | 750MW(TA) |
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