SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SUD23N06-31-T4-GE3 Vishay Siliconix SUD23N06-31-T4-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 3133 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SUD23 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 21.4A(TC) 4.5V,10V 31mohm @ 15a,10v 3V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 670 pf @ 25 V - 5.7W(TA),31.25W(tc)
SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1031R-T1-GE3 0.5200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 SI1031 MOSFET (金属 o化物) SC-75A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 140mA(ta) 1.5V,4.5V 8ohm @ 150mA,4.5V 1.2V @ 250µA 1.5 NC @ 4.5 V ±6V - 250MW(TA)
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 Vishay Siliconix - (CT) 过时的 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7911 MOSFET (金属 o化物) 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 4.2a 51MOHM @ 5.7A,4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR872ADP-T1-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 2033 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir872 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 150 v 53.7a(TC) 7.5V,10V 18mohm @ 20a,10v 4.5V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1286 pf @ 75 V - 6.25W(TA),104W(tc)
SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3 1.7200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn SIZ918 MOSFET (金属 o化物) 29W,100W 8-Powerpair®(6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(半桥) 30V 16a,28a 12mohm @ 13.8a,10v 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 15V 逻辑级别门
SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1011x-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-89,SOT-490 SI1011 MOSFET (金属 o化物) SC-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 480ma(ta) 1.2V,4.5V 640MOHM @ 400mA,4.5V 800MV @ 250µA 4 NC @ 4.5 V ±5V 62 pf @ 6 V - 190mw(TA)
IRC830PBF Vishay Siliconix IRC830pbf -
RFQ
ECAD 2530 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 IRC830 MOSFET (金属 o化物) TO-220-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *IRC830pbf Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 4.5A(TC) 10V 1.5OHM @ 2.7a,10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 610 pf @ 25 V 电流感应 74W(TC)
SI1071X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1071X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6637 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1071 MOSFET (金属 o化物) SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 960ma(ta) 2.5V,10V 167MOHM @ 960mA,10V 1.45V @ 250µA 13.3 NC @ 10 V ±12V 315 pf @ 15 V - 236MW(TA)
IRF9540PBF Vishay Siliconix IRF9540pbf 2.1500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF9540 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF9540pbf Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 19a(tc) 10V 200mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 150W(TC)
IRFZ44PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ44PBF-BE3 2.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRFZ44 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) 742-IRFZ44PBF-BE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 50A(TC) 28mohm @ 31a,10v 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 25 V - 150W(TC)
IRF634S Vishay Siliconix IRF634S -
RFQ
ECAD 5391 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF634 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF634S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 8.1A(TC) 10V 450MOHM @ 5.1A,10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 770 pf @ 25 V - 3.1W(ta),74W(tc)
SI7946DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7946DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7946 MOSFET (金属 o化物) 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 150V 2.1a 150mohm @ 3.3a,10v 4V @ 250µA 20NC @ 10V - 逻辑级别门
IRFP22N50APBF Vishay Siliconix IRFP22N50APBF 5.5300
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP22 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFP22N50APBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 22a(TC) 10V 230MOHM @ 13A,10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±30V 3450 pf @ 25 V - 277W(TC)
SI6465DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6465DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1495 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6465 MOSFET (金属 o化物) 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 8 V 8.8a(ta) 1.8V,4.5V 12mohm @ 8.8a,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 80 NC @ 4.5 V ±8V - 1.5W(TA)
SIHG33N60E-E3 Vishay Siliconix SIHG33N60E-E3 4.1309
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 33A(TC) 10V 99MOHM @ 16.5A,10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±30V 3508 PF @ 100 V - 278W(TC)
SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6993 MOSFET (金属 o化物) 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 30V 3.6a 31MOHM @ 4.7A,10V 3V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG026N60EF-GE3 14.3000
RFQ
ECAD 4124 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 (1 (无限) 742-SIHG026N60EF-GE3 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 95A(TC) 10V 26mohm @ 38a,10v 5V @ 250µA 227 NC @ 10 V ±30V 7926 pf @ 100 V - 521W(TC)
SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7117DN-T1-E3 1.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7117 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 150 v 2.17A(TC) 6V,10V 1.2OHM @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 510 pf @ 25 V - 3.2W(TA),12.5W(tc)
SUP45P03-09-GE3 Vishay Siliconix SUP45P03-09-GE3 -
RFQ
ECAD 2149 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP45 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 500 P通道 30 V 45A(TC) 4.5V,10V 8.7MOHM @ 20A,10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 2700 pf @ 15 V - 73.5W(TC)
SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET4-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 2938 0.00000000 Vishay Siliconix e 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIHD7 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 7A(TC) 10V 600MOHM @ 3.5A,10V 4V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 680 pf @ 100 V - 78W(TC)
SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC16DP-T1-GE3 1.2600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SIRC16 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 60a(TC) 4.5V,10V 0.96mohm @ 15a,10v 2.4V @ 250µA 48 NC @ 4.5 V +20V,-16V 5150 pf @ 10 V - 54.3W(TC)
SI3481DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3481DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7240 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3481 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4A(ta) 4.5V,10V 48mohm @ 5.3a,10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V - 1.14W(TA)
SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ479EP-T1_GE3 1.2300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ479 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 80 V 32A(TC) 4.5V,10V 33mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 68W(TC)
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn SIZ920 MOSFET (金属 o化物) 39W,100W 8-Powerpair®(6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(半桥) 30V 40a 7.1MOHM @ 18.9a,10V 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 1260pf @ 15V -
SUP70040E-GE3 Vishay Siliconix SUP70040E-GE3 3.0600
RFQ
ECAD 490 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP70040 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 120A(TC) 7.5V,10V 4mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 50 V - 375W(TC)
SUD50N10-18P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N10-18P-GE3 -
RFQ
ECAD 8157 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SUD50 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 8.2a(ta),50a(tc) 10V 18.5mohm @ 15a,10v 5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 3W(TA),136.4W(TC)
TN2404K-T1-GE3 Vishay Siliconix TN2404K-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 6237 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TN2404 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 240 v 200ma(ta) 2.5V,10V 4ohm @ 300mA,10v 2V @ 250µA 8 nc @ 10 V ±20V - 360MW(TA)
IRFBE30SPBF Vishay Siliconix IRFBE30SPBF 3.2000
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFBE30 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFBE30SPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 4.1A(TC) 10V 3ohm @ 2.5A,10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 125W(TC)
SI1972DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1972DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1972 MOSFET (金属 o化物) 1.25W SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 1.3a 225mohm @ 1.3A,10V 2.8V @ 250µA 2.8NC @ 10V 75pf @ 15V -
SI2306BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-BE3 0.5500
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 742-SI2306BDS-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3.16a(ta) 4.5V,10V 47MOHM @ 3.5A,10V 3V @ 250µA 4.5 NC @ 5 V ±20V 305 pf @ 15 V - 750MW(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库