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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFBE20	-	RFQ	2735	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBE20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBE20	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	-
SIDR5102EP-T1-RE3	2.9900	RFQ	4824	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR5102	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	28.2A（TA），126a （TC）	7.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 50 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SIR878BDP-T1-RE3	1.7000	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir878	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	12a（12A），42.5A（TC）	7.5V，10V	14.4mohm @ 15a，10v	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 50 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SQS460ENW-T1_GE3	0.8900	RFQ	5409	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS460	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	36mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	755 pf @ 25 V	-	39W（TC）
IRFI540GPBF	3.1800	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI540GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	17a（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SIHB22N60S-GE3	-	RFQ	3462	Vishay Siliconix	s	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	22a（TC）	10V	190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2810 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SQJ465EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	784	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ465	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	85MOHM @ 3.5A，10V，1.17MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1140 pf @ 30 V	-	45W（TC）
SI5902BDC-T1-GE3	1.3200	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5902	MOSFET （金属 o化物）	3.12W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4a		65mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	逻辑级别门
SQJ460AEP-T1_GE3	1.5100	RFQ	2334	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ460	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	32A（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	4795 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SUV85N10-10-E3	-	RFQ	1250	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUV85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	85A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6550 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
SI7407DN-T1-E3	-	RFQ	8034	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7407	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	9.9a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 15.6a，4.5V	1V @ 400µA	59 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRFI9620G	-	RFQ	5746	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9620G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	30W（TC）
SI1469DH-T1-GE3	0.6300	RFQ	6496	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1469	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	2.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	1.5V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SIHG22N60EL-GE3	2.8760	RFQ	6686	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	227W（TC）
SI2303BDS-T1	-	RFQ	6326	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.49a（ta）	4.5V，10V	200mohm @ 1.7A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
IRF830BPBF	1.1200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI3529DV-T1-GE3	-	RFQ	2860	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3529	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	2.5a，1.95a		125mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		205pf @ 20V	逻辑级别门
SQM50P04-09L_GE3	2.6100	RFQ	651	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6045 pf @ 10 V	-	150W（TC）
IRFI9Z24GPBF	2.6600	RFQ	1536年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9Z24GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	8.5A（TC）	10V	280MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SIA112LDJ-T1-GE3	0.7100	RFQ	5351	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.5A（TA），8.8a tc）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±25V	355 pf @ 50 V	-	2.9W（TA），15.6W（TC）
SIHB30N60E-GE3	6.0700	RFQ	879	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB30N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI3429EDV-T1-GE3	0.4700	RFQ	2398	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3429	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8a（8a ta），8a tc（8a tc）	1.8V，4.5V	21MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±8V	4085 pf @ 50 V	-	4.2W（TC）
IRFR9214Trl	-	RFQ	6458	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI3443BDV-T1-E3	0.6600	RFQ	303	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
2N4859JTX02	-	RFQ	3226	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4859			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SQ4284EY-T1_GE3	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4284	MOSFET （金属 o化物）	3.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	-		13.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		2200pf @ 25V	逻辑级别门
SI7658ADP-T1-GE3	2.9200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7658	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4590 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
2N4860JTX02	-	RFQ	7381	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SUM40014M-GE3	3.4900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	sum40014	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）		0.99mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	15780 pf @ 20 V	-	375W（TC）
SIS426DN-T1-GE3	-	RFQ	4830	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²