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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SIHP11N80E-BE3	3.5300	RFQ	916	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHD7N60E-E3	0.9185	RFQ	7786	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SI3473CDV-T1-E3	0.7100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3473	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	22mohm @ 8.1a，4.5V	1V @ 250µA	65 NC @ 8 V	±8V	2010 PF @ 6 V	-	4.2W（TC）
SUD50P04-13L-E3	-	RFQ	2282	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3120 PF @ 25 V	-	3W（3），93.7W（TC）
SI4952DY-T1-GE3	-	RFQ	8181	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4952	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18NC @ 10V		680pf @ 13V	逻辑级别门
SIRC04DP-T1-GE3	1.6600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC04	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.45MOHM @ 15A，10V	2.1V @ 250µA	56 NC @ 10 V	+20V，-16V	2850 pf @ 15 V	（（（）	50W（TC）
SI7956DP-T1-GE3	3.1700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7956	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		150V	2.6a		105MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	26NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFB9N30A	-	RFQ	5932	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB9N30A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	9.3A（TC）	10V	450MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	96W（TC）
2N5115	-	RFQ	4657	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5115			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		-								-
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SUP70N03-09BP-E3	-	RFQ	2489	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP70	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	19 nc @ 5 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	93W（TC）
SUD08P06-155L-T4E3	-	RFQ	1129	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD08	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	8.4A（TC）	4.5V，10V	155MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1.7W（TA），20.8W（tc）
SIS468DN-T1-GE3	1.3200	RFQ	8633	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS468	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30A（TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	780 pf @ 40 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIA406DJ-T1-GE3	-	RFQ	9002	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA406	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	19.8mohm @ 10.8a，4.5V	1V @ 250µA	23 NC @ 5 V	±8V	1380 pf @ 6 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
2N4860JTXV02	-	RFQ	2023	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SI2301BDS-T1-E3	0.4600	RFQ	64	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2301	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2.8a，4.5V	950mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	375 pf @ 6 V	-	700MW（TA）
2N4392-E3	-	RFQ	4337	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4392		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道								14pf @ 20V			40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na	60欧姆
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2N4392-2	-	RFQ	8641	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4392		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道								14pf @ 20V			40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na	60欧姆
IRF9630S	-	RFQ	4438	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9630S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SI7846DP-T1-GE3	2.9400	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7846	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	4A（ta）	10V	50mohm @ 5a，10v	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI3440ADV-T1-GE3	0.4700	RFQ	3708	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3440	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	2.2A（TC）	7.5V，10V	380MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 75 V	-	3.6W（TC）
SIS452DN-T1-GE3	-	RFQ	6025	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS452	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	4.5V，10V	3.25MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SUD50P04-13L-GE3	-	RFQ	8598	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3120 PF @ 25 V	-	3W（3），93.7W（TC）
SI3451DV-T1-GE3	-	RFQ	2430	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3451	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.8A（TC）	2.5V，4.5V	115MOHM @ 2.6a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.1 NC @ 5 V	±12V	250 pf @ 10 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
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SIHD3N50DT4-GE3	0.3563	RFQ	8362	Vishay Siliconix	d	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²