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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1021R-T1-E3	-	RFQ	3279	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1021	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	（190ma ta）	4.5V，10V	4ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7 NC @ 15 V	±20V	23 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
SIS426DN-T1-GE3	-	RFQ	4830	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI7485DP-T1-GE3	-	RFQ	6840	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®SO-8	SI7485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12.5A（TA）		7.3mohm @ 20a，4.5V	900mv @ 1mA	150 NC @ 5 V			-
SQ3989EV-T1_BE3	0.6000	RFQ	8623	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3989	MOSFET （金属 o化物）	1.67W（TC）	6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3989EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	2.5A（TC）		155mohm @ 400mA，10v	1.5V @ 250µA	11.1nc @ 10V		-	-
IRF9520STRL	-	RFQ	5232	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SQA405EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA405	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	10A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1815 PF @ 25 V	-	13.6W（TC）
SIRS4301DP-T1-GE3	3.4700	RFQ	7455	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4301	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	53.7a（ta），227a（tc）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	19750 pf @ 15 V	-	7.4W（TA），132W（tc）
IRLIZ34GPBF	2.6600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLIZ34GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	20A（TC）	4V，5V	50mohm @ 12a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SIR638ADP-T1-RE3	1.8000	RFQ	139	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	+20V，-16V	9100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SIHB6N65E-GE3	1.9200	RFQ	7900	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SIHB6	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SQJA34EP-T1_GE3	1.1100	RFQ	4562	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA34	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SUM90142E-GE3	3.2700	RFQ	8011	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	sum90142	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	90A（TC）	7.5V，10V	15mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	3120 PF @ 100 V	-	375W（TC）
SI7686DP-T1-E3	1.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7686	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13.8A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1220 pf @ 15 V	-	5W（5W），37.9W（TC）
IRFSL9N60APBF	2.8600	RFQ	217	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL9	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFSL9N60APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SQJA62EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA62	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SIHH20N50E-T1-GE3	4.8500	RFQ	7820	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	sihh20	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	22a（TC）	10V	147mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2063 PF @ 100 V	-	174W（TC）
SI4136DY-T1-GE3	1.6300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4136	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	46A（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4560 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SIA411DJ-T1-GE3	-	RFQ	7128	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5.9a，4.5V	1V @ 250µA	38 NC @ 8 V	±8V	1200 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IRFRC20TRLPBF-BE3	1.8000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-RFRC20TRLPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFR1N60ATRRPBF	-	RFQ	3189	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SIA817EDJ-T1-GE3	0.5100	RFQ	6957	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA817	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.5A（TC）	2.5V，10V	65mohm @ 3a，10v	1.3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±12V	600 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SUD50N04-8M8P-4GE3	1.2900	RFQ	3233	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（14a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），48.1W（tc）
IRF840LCLPBF	2.9500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840LCLPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI9434BDY-T1-E3	-	RFQ	9597	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9434	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
IRFBC40AS	-	RFQ	7915	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC40AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI7913DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7913	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	5a		37MOHM @ 7.4A，4.5V	1V @ 250µA	24nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7812DN-T1-E3	2.0800	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7812	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	16A（TC）	4.5V，10V	37MOHM @ 7.2A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 35 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIR880ADP-T1-GE3	1.8600	RFQ	1429	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2289 PF @ 40 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI2366ds-T1-BE3	0.4600	RFQ	8433	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2366DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（ta），5.8a tc）	4.5V，10V	36mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	335 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
SQJQ186ER-T1_GE3	2.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	SQJQ186	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	329a（TC）	10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	10552 PF @ 25 V	-	600W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²