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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
IRFPS37N50APBF	-	RFQ	8060	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS37	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPS37N50APBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	36a（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	5579 PF @ 25 V	-	446W（TC）
SIHG25N50E-GE3	3.8600	RFQ	4359	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIRC06DP-T1-GE3	0.3733	RFQ	8732	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC06	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	32A（TA），60a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 15A，10V	2.1V @ 250µA	58 NC @ 10 V	+20V，-16V	2455 pf @ 15 V	（（（）	5W（5W），50W（50W）TC）
IRFBC20STRR	-	RFQ	2867	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIHF22N60E-E3	1.8728	RFQ	5341	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3完整包	SIHF22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF22N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）		180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V		1920 PF @ 100 V	-
SI4310BDY-T1-E3	-	RFQ	6530	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	SI4310	MOSFET （金属 o化物）	1.14W，1.47W	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	7.5a，9.8a		11mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	18NC @ 4.5V		2370pf @ 15V	逻辑级别门
2N4117A-2	-	RFQ	6504	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	2N4117		300兆	to-206af（72）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		n通道								3pf @ 10V			40 V	30 µA @ 10 V	600 mv @ 1 na
IRFD024	-	RFQ	2288	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD024	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.5a（ta）	10V	100mohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SIE836DF-T1-E3	-	RFQ	8315	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（SH）	SIE836	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（SH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	18.3a（TC）	10V	130MOHM @ 4.1A，10V	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 100 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SI1072X-T1-E3	-	RFQ	7584	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1072	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	93MOHM @ 1.3A，10V	3V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SIR5623DP-T1-RE3	1.7100	RFQ	4432	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR5623	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	10.5A（TA），37.1A （TC）	4.5V，10V	24mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 30 V	-	4.8W（ta），59.5W（TC）
IRF630STRL	-	RFQ	2493	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SIS698DN-T1-GE3	0.3045	RFQ	2231	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS698	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	6.9a（TC）	6V，10V	195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	210 pf @ 50 V	-	19.8W（TC）
SIS334DN-T1-GE3	-	RFQ	4068	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS334	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），50W（TC）
IRF830pbf	1.5800	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI1551DL-T1-E3	-	RFQ	5875	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1551	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	290mA，410mA		1.9OHM @ 290mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRC830pbf	-	RFQ	2530	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC830pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	电流感应	74W（TC）
IRFZ14STRLPBF	0.9500	RFQ	9473	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SIR436DP-T1-GE3	-	RFQ	3112	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir436	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1715 PF @ 15 V	-	5W（5W），50W（50W）TC）
SI6993DQ-T1-E3	-	RFQ	4104	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6993	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	3.6a		31MOHM @ 4.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUP85N04-03-E3	-	RFQ	2150	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
SI6473DQ-T1-E3	-	RFQ	2730	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6473	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	12.5MOHM @ 9.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 5 V	±8V		-	1.08W（TA）
SI3853DV-T1-E3	-	RFQ	8860	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3853	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.8A，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	830MW（TA）
SIA411DJ-T1-GE3	-	RFQ	7128	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5.9a，4.5V	1V @ 250µA	38 NC @ 8 V	±8V	1200 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI4800BDY-T1-E3	0.9200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4800	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 9a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±25V		-	1.3W（TA）
SQR40N10-25_GE3	2.3900	RFQ	4340	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）	SQR40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3380 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SIDR220DP-T1-GE3	2.8000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR220	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	87.7a（ta），100a tc）	4.5V，10V	5.8mohm @ 20a，10v	2.1V @ 250µA	200 NC @ 10 V	+16V，-12V	1085 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI7772DP-T1-GE3	0.8100	RFQ	2998	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7772	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35.6A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1084 pf @ 15 V	-	3.9W（TA），29.8W（TC）
SIR170DP-T1-RE3	1.9300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir170	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	23.2A（ta），95a（tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	6195 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIS436DN-T1-GE3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS436	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	16A（TC）	4.5V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	855 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），27.7W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²